本發(fā)明涉及電子部件的制造方法,特別涉及小型的電子部件的制造方法。
背景技術(shù):
作為公開了電子部件的層疊陶瓷電容器的構(gòu)成的現(xiàn)有文獻(xiàn),有特開昭62-237714號公報。在專利文獻(xiàn)1記載的層疊陶瓷電容器中,相對于層疊體的各側(cè)面分別留有側(cè)邊余裕(margin)那樣形成多個內(nèi)部電極。在層疊體的未燒成階段,在除了層疊體的側(cè)邊余裕以外的部分即芯片附加與構(gòu)成芯片的陶瓷材料相同成分的陶瓷漿料,由此形成構(gòu)成層疊體的側(cè)邊余裕的被覆電介質(zhì)部。通過將設(shè)置被覆電介質(zhì)部的芯片一體燒成來形成層疊體。側(cè)邊余裕的厚度為200μm以下。
近年來,層疊陶瓷電容器等電子部件謀求小型化以及大電容化,尋求側(cè)邊余裕的薄型化。隨著減薄側(cè)邊余裕,水分變得易于從側(cè)邊余裕浸入到層疊體的內(nèi)部。為此,在為了提高側(cè)邊余裕中的耐濕性而減少構(gòu)成側(cè)邊余裕的被覆電介質(zhì)部中所含的樹脂成分并提高陶瓷粒子的密度的情況下,被覆電介質(zhì)部的粘著性會降低,從而變得難以在芯片的側(cè)面整體使被覆電介質(zhì)部附著。在芯片的側(cè)面有未附著被覆電介質(zhì)部的部分的情況下,側(cè)邊余裕中的耐濕性會降低。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的主要的目的在于,提供能通過抑制側(cè)邊余裕的耐濕性的降低并使側(cè)邊余裕薄型化來謀求電子部件的小型化以及大電容化的電子部件的制造方法。
基于本發(fā)明的電子部件的制造方法具備:準(zhǔn)備包含層疊的多個電介質(zhì)層和多個內(nèi)部電極層、且多個內(nèi)部電極層在側(cè)面露出的芯片的工序;使多個被覆用電介質(zhì)薄片相互貼合來形成電介質(zhì)層疊薄片的工序;和在芯片的側(cè)面貼合電介質(zhì)層疊薄片的工序。
在本發(fā)明的1個形態(tài)的基礎(chǔ)上,電介質(zhì)層疊薄片由第1被覆用電介質(zhì)薄片和第2被覆用電介質(zhì)薄片構(gòu)成。在形成電介質(zhì)層疊薄片的工序中,通過將第1被覆用電介質(zhì)薄片和第2被覆用電介質(zhì)薄片用第1加壓體和第2加壓體夾持并加壓,來使第1被覆用電介質(zhì)薄片和第2被覆用電介質(zhì)薄片相互貼合,從而形成電介質(zhì)層疊薄片。
在本發(fā)明的1個形態(tài)的基礎(chǔ)上,第1被覆用電介質(zhì)薄片包含多于第2被覆用電介質(zhì)薄片的樹脂成分。在貼附電介質(zhì)層疊薄片的工序中,使第1被覆用電介質(zhì)薄片與芯片的側(cè)面接觸。
在本發(fā)明的1個形態(tài)的基礎(chǔ)上,第1加壓體以及第2加壓體分別是輥。
在本發(fā)明的1個形態(tài)的基礎(chǔ)上,第1加壓體位于第1被覆用電介質(zhì)薄片側(cè)。第2加壓體位于第2被覆用電介質(zhì)薄片側(cè)。第1加壓體的溫度為80℃以上100℃以下。
在本發(fā)明的1個形態(tài)的基礎(chǔ)上,在形成電介質(zhì)層疊薄片的工序中,第1加壓體以及第2加壓體各自繞軸以30m/分以下的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。
在本發(fā)明的1個形態(tài)的基礎(chǔ)上,第1被覆用電介質(zhì)薄片裱合在第1樹脂薄膜。第2被覆用電介質(zhì)薄片裱合在第2樹脂薄膜。第1被覆用電介質(zhì)薄片的寬度窄于第2被覆用電介質(zhì)薄片的寬度。在形成電介質(zhì)層疊薄片的工序中,在將第1被覆用電介質(zhì)薄片和第2被覆用電介質(zhì)薄片用第1加壓體和第2加壓體夾持并加壓后,使與裱合在第2樹脂薄膜的第2被覆用電介質(zhì)薄片貼合的第1被覆用電介質(zhì)薄片從第1樹脂薄膜剝離。
根據(jù)本發(fā)明,通過抑制側(cè)邊余裕的耐濕性的降低并使側(cè)邊余裕薄型化,能謀求電子部件的小型化以及大電容化。
本發(fā)明的上述以及其他目的、特征、局面以及優(yōu)點會從與附圖關(guān)聯(lián)而理解的與本發(fā)明相關(guān)的以下的詳細(xì)的說明得到明確。
附圖說明
圖1是表示用本發(fā)明的1個實施方式所涉及的電子部件的制造方法制造的層疊陶瓷電容器的外觀的立體圖。
圖2是從ii-ii線箭頭方向觀察圖1的層疊陶瓷電容器的截面圖。
圖3是從iii-iii線箭頭方向觀察圖1的層疊陶瓷電容器的截面圖。
圖4是表示圖1的層疊陶瓷電容器中所含的層疊體的外觀的立體圖。
圖5是表示圖1的層疊陶瓷電容器中所含的層疊體的主部的構(gòu)成的立體圖。
圖6是表示本發(fā)明的1個實施方式所涉及的電子部件的制造方法的流程圖。
圖7是表示設(shè)有內(nèi)部電極圖案的母薄片的構(gòu)成的俯視圖。
圖8是表示將設(shè)有內(nèi)部電極圖案的母薄片層疊的狀態(tài)的分解側(cè)視圖。
圖9是表示分?jǐn)嚯娊橘|(zhì)塊的分?jǐn)嗑€的截面圖。
圖10是表示從箭頭x方向觀察圖9的電介質(zhì)塊來表示分?jǐn)嗑€的俯視圖。
圖11是表示將第1被覆用電介質(zhì)薄片和第2被覆用電介質(zhì)薄片貼合來形成電介質(zhì)層疊薄片的狀態(tài)的側(cè)視圖。
圖12是從xii-xii線箭頭方向觀察圖11的第1被覆用電介質(zhì)薄片以及第2被覆用電介質(zhì)薄片的截面圖。
圖13是表示在載置于彈性體上的電介質(zhì)層疊薄片的上方將多個芯片保持于保持板的狀態(tài)的截面圖。
圖14是表示多個芯片被按壓在電介質(zhì)層疊薄片的狀態(tài)的截面圖。
圖15是表示按壓在電介質(zhì)層疊薄片的多個芯片被抬高的狀態(tài)的截面圖。
具體實施方式
以下參考附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的1個實施方式所涉及的電子部件的制造方法。另外,在以下所示的實施方式中,對相同或相當(dāng)?shù)牟糠衷趫D中標(biāo)注相同標(biāo)號,不再重復(fù)其說明。
首先說明用本發(fā)明的1個實施方式所涉及的電子部件的制造方法制造的電子部件的一例的層疊陶瓷電容器的構(gòu)成。但電子部件并不限于層疊陶瓷電容器,也可以是層疊陶瓷電感器等。
圖1是表示用本發(fā)明的1個實施方式所涉及的電子部件的制造方法制造的層疊陶瓷電容器的外觀的立體圖。圖2是從ii-ii線箭頭方向觀察圖1的層疊陶瓷電容器的截面圖。圖3是從iii-iii線箭頭方向觀察圖1的層疊陶瓷電容器的截面圖。圖4是表示圖1的層疊陶瓷電容器中所含的層疊體的外觀的立體圖。圖5是表示圖1的層疊陶瓷電容器中所含的層疊體的主部的構(gòu)成的立體圖。在圖1~5中,將后述的層疊體的長度方向以l表示,將層疊體的寬度方向以w表示,將層疊體的層疊方向以t表示。
如圖1~5所示那樣,用本發(fā)明的1個實施方式所涉及的電子部件的制造方法制造的層疊陶瓷電容器100具備層疊體110、第1外部電極121和第2外部電極122。層疊體110包含層疊的多個電介質(zhì)層130和多個內(nèi)部電極層140。
層疊體110具有大致長方體狀的外形。層疊體110包含:在層疊方向t上相對的第1主面111以及第2主面112;在與層疊方向t正交的寬度方向w上相對的第1側(cè)面113以及第2側(cè)面114;和在與層疊方向t以及寬度方向w兩方正交的長度方向l上相對的第1端面115以及第2端面116。
如上述那樣,層疊體110具有大致長方體狀的外形,但優(yōu)選在角部以及棱線部做圓。角部是層疊體110的3面相交的部分,棱線部是層疊體110的2面相交的部分。也可以在第1主面111、第2主面112、第1側(cè)面113、第2側(cè)面114、第1端面115以及第2端面116的至少任意1個面形成凹凸。
如圖1、3所示那樣,層疊體110由主部110a、覆蓋主部110a的一方的側(cè)面113a來規(guī)定第1側(cè)面113的第1被覆部110b和覆蓋主部110a的另一方側(cè)面114a來規(guī)定第2側(cè)面114的第2被覆部110c構(gòu)成。
第1被覆部110b由直接覆蓋主部110a的一方的側(cè)面113a的第1內(nèi)側(cè)被覆部150b和從外側(cè)覆蓋第1內(nèi)側(cè)被覆部150b的第1外側(cè)被覆部151b構(gòu)成。
第2被覆部110c由直接覆蓋主部110a的另一方側(cè)面114a的第2內(nèi)側(cè)被覆部150c和從外側(cè)覆蓋第2內(nèi)側(cè)被覆部150c的第2外側(cè)被覆部151c構(gòu)成。
如圖2所示那樣,層疊體110在層疊方向t上,區(qū)分為內(nèi)層部和1對外層部。1對外層部當(dāng)中一方是包含層疊體110的第1主面111的部分,由位于第1主面111與最接近第1主面111的第1內(nèi)部電極層141之間的電介質(zhì)層130構(gòu)成。1對外層部當(dāng)中另一方是包含層疊體110的第2主面112的部分,由位于第2主面112與最接近第2主面112的第2內(nèi)部電極層142之間的電介質(zhì)層130構(gòu)成。
內(nèi)層部是被1對外層部所夾的區(qū)域。即,內(nèi)層部由未構(gòu)成外層部的多個電介質(zhì)層130和全部內(nèi)部電極層140構(gòu)成。
多個電介質(zhì)層130的層疊片數(shù)優(yōu)選是100片以上500片以下。1對外層部各自的厚度優(yōu)選是10μm以上30μm以下。內(nèi)層部中所含的多個電介質(zhì)層130各自的厚度優(yōu)選是0.2μm以上10μm以下。
電介質(zhì)層130由含ba或ti的鈣鈦礦型化合物構(gòu)成。作為構(gòu)成電介質(zhì)層130的材料,能使用以batio3、catio3、srtio3或cazro3等為主成分的電介質(zhì)陶瓷。另外,也可以使用在這些主成分中作為副成分添加了mn化合物、mg化合物、si化合物、fe化合物、cr化合物、co化合物、ni化合物、al化合物、v化合物或稀土類化合物等的材料。
多個內(nèi)部電極層140包含與第1外部電極121電連接的多個第1內(nèi)部電極層141和與第2外部電極122電連接的多個第2內(nèi)部電極層142。
多個內(nèi)部電極層140的層疊片數(shù)優(yōu)選是100片以上500片以下。多個內(nèi)部電極層140各自的厚度優(yōu)選是0.3μm以上2.0μm以下。多個內(nèi)部電極層140各自無間隙覆蓋電介質(zhì)層130的被覆率優(yōu)選是70%以上100%以下。
作為構(gòu)成內(nèi)部電極層140的材料,由從ni、cu、ag、pd以及au所構(gòu)成的群中選出的1種金屬或者含該金屬的合金構(gòu)成,例如能使用ag與pd的合金等。內(nèi)部電極層140可以包含與電介質(zhì)層130中所含的電介質(zhì)陶瓷同一組成系的電介質(zhì)的粒子。
第1內(nèi)部電極層141以及第2內(nèi)部電極層142各自在俯視觀察下是大致矩形。第1內(nèi)部電極層141和第2內(nèi)部電極層142,在層疊體110的層疊方向t上等間隔地交替配置。另外,第1內(nèi)部電極層141和第2內(nèi)部電極層142配置成在其間夾著電介質(zhì)層130而相互對置。第1內(nèi)部電極層141以及第2內(nèi)部電極層142各自由相互對置的對置電極部、從對置電極部引出到層疊體110的第1端面115側(cè)或第2端面116側(cè)的引出電極部構(gòu)成。通過使電介質(zhì)層130位于對置電極部彼此之間來形成靜電容。由此產(chǎn)生電容器的功能。
在層疊體110中,從層疊方向t觀察,對置電極部與第1側(cè)面113之間的位置是第1側(cè)邊余裕,對置電極部與第2側(cè)面114之間的位置是第2側(cè)邊余裕,對置電極部與第1端面115之間的位置是第1末端余裕,對置電極部與第2端面116之間的位置是第2末端余裕。
第1側(cè)邊余裕由第1被覆部110b構(gòu)成。第2側(cè)邊余裕由第2被覆部110c構(gòu)成。第1末端余裕由多個第1內(nèi)部電極層141各自的引出電極部、以及與這些引出電極部各自相鄰的多個電介質(zhì)層130構(gòu)成。第2末端余裕由多個第2內(nèi)部電極層142各自的引出電極部、以及與這些引出電極部各自相鄰的多個電介質(zhì)層130構(gòu)成。
第1外部電極121從層疊體110的第1端面115延續(xù)到第1主面111、第2主面112、第1側(cè)面113以及第2側(cè)面114各自而設(shè)。第2外部電極122從層疊體110的第2端面116延續(xù)到第1主面111、第2主面112、第1側(cè)面113以及第2側(cè)面114各自而設(shè)。
第1外部電極121以及第2外部電極122各自包含基底電極層和配置在基底電極層上的鍍層?;纂姌O層包含燒固層、樹脂層以及薄膜層的至少一者。
燒固層包含玻璃和金屬。燒固層中所含的金屬材料由從ni、cu、ag、pd以及au所構(gòu)成的群選出的1種金屬或含該金屬的合金構(gòu)成,例如能使用ag與pd的合金等。燒固層可以由層疊的多個層構(gòu)成。作為燒固層,可以是在層疊體110涂布導(dǎo)電性膏并燒固的層、或者與內(nèi)部電極層140同時燒成的層。燒固層的厚度優(yōu)選10μm以上30μm以下。
樹脂層包含導(dǎo)電性粒子和熱硬化性樹脂。在設(shè)置樹脂層的情況下,也可以不設(shè)燒固層,而將樹脂層直接設(shè)置在層疊體110上。樹脂層可以由層疊的多個層構(gòu)成。樹脂層的厚度優(yōu)選是10μm以上50μm以下。
薄膜層通過濺射法或蒸鍍法等薄膜形成法形成。薄膜層是金屬粒子所堆積的1μm以下的層。
構(gòu)成鍍層的材料由從ni、cu、ag、pd、au所構(gòu)成的群選出的1種金屬、或含該金屬的合金構(gòu)成,例如能使用ag與pd的合金等。
鍍層可以由層疊的多個層構(gòu)成。在該情況下,作為鍍層,優(yōu)選是在ni鍍層上形成sn鍍層的2層結(jié)構(gòu)。ni鍍層具有防止基底電極層被安裝陶瓷電子部件時的焊料侵蝕的功能。sn鍍層具有使與安裝陶瓷電子部件時焊料的潤濕性提升、使陶瓷電子部件的安裝容易的功能。鍍層的每1層的厚度優(yōu)選是1μm以上10μm以下。
在層疊陶瓷電容器100中,長度方向l的外形尺寸、寬度方向w的外形尺寸以及層疊方向t的外形尺寸各自例如是1.6mm×0.8mm×0.8mm、1.0mm×0.5mm×0.5mm、0.6mm×0.3mm×0.3mm、0.4mm×0.2mm×0.2mm或0.2mm×0.1mm×0.1mm。層疊陶瓷電容器100外形尺寸能通過使用測微計或者用顯微鏡觀察層疊陶瓷電容器100來測定。
以下參考附圖來說明本發(fā)明的1個實施方式所涉及的電子部件的制造方法。圖6是表示本發(fā)明的1個實施方式所涉及的電子部件的制造方法的流程圖。
如圖6所示那樣,在用本發(fā)明的1個實施方式所涉及的電子部件的制造方法制造層疊陶瓷電容器100時,首先調(diào)制陶瓷電介質(zhì)漿料(工序s1)。具體地,將陶瓷電介質(zhì)粉末、添加粉末、粘合劑樹脂以及溶解液等分散混合,由此調(diào)制陶瓷電介質(zhì)漿料。陶瓷電介質(zhì)漿料可以是溶劑系或水系的任一者。在將陶瓷電介質(zhì)漿料設(shè)為水系涂料的情況下,通過將水溶性的粘合劑以及分散劑等和溶解于水的電介質(zhì)原料混合來調(diào)制陶瓷電介質(zhì)漿料。
接下來形成陶瓷電介質(zhì)薄片(工序s2)。具體地,通過陶瓷電介質(zhì)漿料在承載膜上使用模壓涂布機、凹版涂布機或微凹版涂布機等成形為薄片狀并干燥,來形成陶瓷電介質(zhì)薄片。陶瓷電介質(zhì)薄片的厚度從層疊陶瓷電容器100的小型化以及高電容化的觀點出發(fā)而優(yōu)選為3μm以下。
接下來形成母薄片(工序s3)。具體地,通過對陶瓷電介質(zhì)薄片將導(dǎo)電性膏涂布成具有給定的圖案那樣,來在陶瓷電介質(zhì)薄片上形成設(shè)有給定的內(nèi)部電極圖案的母薄片。作為導(dǎo)電性膏的涂布方法而能使用絲網(wǎng)印刷法、噴墨法或凹版印刷法等。內(nèi)部電極圖案的厚度從層疊陶瓷電容器100的小型化以及高電容化的觀點出發(fā)有優(yōu)選為1.5μm以下。另外,作為母薄片,除了準(zhǔn)備具有內(nèi)部電極圖案的母薄片以外,還準(zhǔn)備未經(jīng)歷上述工序s3的陶瓷電介質(zhì)薄片。
圖7是表示設(shè)有內(nèi)部電極圖案的母薄片的構(gòu)成的俯視圖。如圖7所示那樣,在母薄片中,在陶瓷電介質(zhì)薄片130g上相互空開間隔等間距地設(shè)置帶狀的內(nèi)部電極圖案140g。
如圖6所示那樣層疊多個母薄片(工序s4)。具體地,將未形成內(nèi)部電極圖案、僅由陶瓷電介質(zhì)薄片130g構(gòu)成的母薄片層疊給定片數(shù)。在其上,在長度方向l上錯開半個間距來層疊給定片數(shù)設(shè)有內(nèi)部電極圖案140g的母薄片。
圖8是表示將設(shè)有內(nèi)部電極圖案的母薄片層疊的狀態(tài)的分解側(cè)視圖。如圖8所示那樣,通過母薄片在長度方向l上錯開半個間距來進(jìn)行層疊,內(nèi)部電極圖案140g以各錯開半個間距的狀態(tài)層疊。具體地,成為第1內(nèi)部電極層141的第1內(nèi)部電極圖案141g和成為第2內(nèi)部電極層142的第2內(nèi)部電極圖案142g以在長度方向l上各錯開半個間距的狀態(tài)層疊。
進(jìn)一步在其上不形成內(nèi)部電極圖案,層疊給定片數(shù)僅由陶瓷電介質(zhì)薄片130g構(gòu)成的母薄片。由此構(gòu)成母薄片群。
接下來通過將母薄片群壓接來形成電介質(zhì)塊(工序s5)。具體地,通過用靜水壓壓機或剛體壓機對母薄片群在層疊方向加壓而壓接,來形成電介質(zhì)塊。
接下來分?jǐn)嚯娊橘|(zhì)塊來形成芯片(工序s6)。具體地,通過壓切、切片或激光切割來將電介質(zhì)塊分?jǐn)喑删仃嚑睿瑔纹啥鄠€芯片。芯片通過如后述那樣燒成而成為主部110a。
圖9是表示分?jǐn)嚯娊橘|(zhì)塊的分?jǐn)嗑€的截面圖。圖10是表示從箭頭x方向觀察圖9的電介質(zhì)塊來表示分?jǐn)嗑€的俯視圖。在圖9中,在沿著長度方向l以及層疊方向t的各方向的截面進(jìn)行截面觀察來示出。
如圖9、10所示那樣,在長度方向l上等間隔交替設(shè)置分?jǐn)嗑€l10和分?jǐn)嗑€l11。在分?jǐn)嗑€l10分?jǐn)嗟?內(nèi)部電極圖案141g。在分?jǐn)嗑€l11分?jǐn)嗟?內(nèi)部電極圖案142g。在寬度方向w上等間隔設(shè)置分?jǐn)嗑€l20。被分?jǐn)嗑€l10、分?jǐn)嗑€l11和相互相鄰的2條分?jǐn)嗑€l20包圍的部分成為1個芯片。
在芯片的一方的端面露出第1內(nèi)部電極圖案141g的端部,在芯片的另一方的端面露出第2內(nèi)部電極圖案142g的端部,在芯片的兩方的側(cè)面露出第1內(nèi)部電極圖案141g以及第2內(nèi)部電極圖案142g各自的側(cè)部。
接下來,使第1被覆用電介質(zhì)薄片和第2被覆用電介質(zhì)薄片貼合來形成電介質(zhì)層疊薄片(工序s7)。圖11是表示將第1被覆用電介質(zhì)薄片和第2被覆用電介質(zhì)薄片貼合來形成電介質(zhì)層疊薄片的狀態(tài)的側(cè)視圖。圖12是從xii-xii線箭頭方向觀察圖11的第1被覆用電介質(zhì)薄片以及第2被覆用電介質(zhì)薄片的截面圖。
第1被覆用電介質(zhì)薄片如后述那樣,構(gòu)成第1內(nèi)側(cè)被覆部150b以及第2內(nèi)側(cè)被覆部150c。第2被覆用電介質(zhì)薄片如后述那樣構(gòu)成第1外側(cè)被覆部151b以及第2外側(cè)被覆部151c。
如圖11所示那樣,在本實施方式中,第1被覆用電介質(zhì)薄片150g裱合在長條的第1樹脂薄膜160。第2被覆用電介質(zhì)薄片151g裱合在長條的第2樹脂薄膜161。
陶瓷電介質(zhì)漿料在第1樹脂薄膜160上用模壓涂布機、凹版涂布機或微凹版涂布機等薄片狀地成形并干燥,由此形成第1被覆用電介質(zhì)薄片150g。第1被覆用電介質(zhì)薄片150g的厚度優(yōu)選為1μm以上5μm以下。
陶瓷電介質(zhì)漿料在第2樹脂薄膜161上用模壓涂布機、凹版涂布機或微凹版涂布機等薄片狀地成形并干燥,由此形成第2被覆用電介質(zhì)薄片151g。第2被覆用電介質(zhì)薄片151g的厚度優(yōu)選為4μm以上20μm以下。
另外,作為第2被覆用電介質(zhì)薄片151g,由于與含較多粘合劑樹脂的第1被覆用電介質(zhì)薄片150g相比更厚的話更能確保側(cè)邊余裕的耐濕性,因此優(yōu)選。另外,第1被覆用電介質(zhì)薄片150g以及第2被覆用電介質(zhì)薄片151g的制作中所用的陶瓷電介質(zhì)漿料,可以含與成為主部110a的電介質(zhì)層130的陶瓷電介質(zhì)薄片的制作中所用的陶瓷電介質(zhì)漿料不同的成分。
如圖12所示那樣,第1被覆用電介質(zhì)薄片150g的寬度w1窄于第2被覆用電介質(zhì)薄片151g的寬度w2。
成為第1被覆用電介質(zhì)薄片150g以及第2被覆用電介質(zhì)薄片151g各自的材料的陶瓷電介質(zhì)漿料,用與上述的工序s1同樣的方法調(diào)整,作為粘合劑而含聚乙烯醇縮丁烯或聚乙烯醇。
第1被覆用電介質(zhì)薄片150g,含有比第2被覆用電介質(zhì)薄片151g更多的粘合劑樹脂。由此,第1被覆用電介質(zhì)薄片150g的粘著性高于第2被覆用電介質(zhì)薄片151g的粘著性。另外,第2被覆用電介質(zhì)薄片151g中的陶瓷粒子的密度高于第1被覆用電介質(zhì)薄片150g中的陶瓷粒子的密度。
如圖11所示那樣,在本實施方式中,準(zhǔn)備卷繞了裱合在第1樹脂薄膜160的第1被覆用電介質(zhì)薄片150g的卷r1、和卷繞了裱合在第2樹脂薄膜161的第2被覆用電介質(zhì)薄片151g的卷r2。
從卷r1提供的裱合在第1樹脂薄膜160的第1被覆用電介質(zhì)薄片150g和從卷r2提供的裱合在第2樹脂薄膜161的第2被覆用電介質(zhì)薄片151g,如圖11、12所示那樣,被第1加壓體170和第2加壓體171夾持而被加壓。第1加壓體170與第1樹脂薄膜160接觸,第2加壓體171與第2樹脂薄膜161接觸。即,第1加壓體170位于第1被覆用電介質(zhì)薄片150g側(cè)。第2加壓體171位于第2被覆用電介質(zhì)薄片151g側(cè)。
在本實施方式中,第1加壓體170是金屬制的輥。用硅橡膠等彈性體覆蓋金屬制的輥的外周面來構(gòu)成第2加壓體171。但第1加壓體170并不限于金屬制的輥,也可以是金屬制的平板。用硅橡膠等彈性體覆蓋金屬制的平板的表面來構(gòu)成第2加壓體171。
第1加壓體170以及第2加壓體171各自繞軸以30m/分以下的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。第1加壓體170如箭頭1所示那樣逆時針旋轉(zhuǎn)。第2加壓體171如箭頭2所示那樣順時針旋轉(zhuǎn)。第1加壓體170的溫度是80℃以上100℃以下。在第1加壓體170設(shè)置未圖示的加熱器。在第1加壓體170以及第2加壓體171各自連接未圖示的電動機。
裱合在第1樹脂薄膜160的第1被覆用電介質(zhì)薄片150g以及裱合在第2樹脂薄膜161的第2被覆用電介質(zhì)薄片151g,在第1被覆用電介質(zhì)薄片150g和第2被覆用電介質(zhì)薄片151g相互接觸的狀態(tài)下被第1加壓體170和第2加壓體171夾持,由此如圖12所示那樣,從第1加壓體170如箭頭1p所示那樣被加壓,從第2加壓體171如箭頭2p所示那樣被加壓。作用在第1加壓體170與第2加壓體171之間的線壓力,優(yōu)選為150n/cm以上300n/cm以下。
如上述那樣,通過使第1被覆用電介質(zhì)薄片150g的寬度w1窄于第2被覆用電介質(zhì)薄片151g的寬度w2,即使在寬度方向上第1被覆用電介質(zhì)薄片150g與第2被覆用電介質(zhì)薄片151g的相互的位置錯開的情況下,也能易于將寬度方向上的第1被覆用電介質(zhì)薄片150g的整體按壓在第2被覆用電介質(zhì)薄片151g。通過將寬度方向上的第1被覆用電介質(zhì)薄片150g的整體按壓在第2被覆用電介質(zhì)薄片151g,第1被覆用電介質(zhì)薄片150g的未加壓部分消失,從而能抑制第1被覆用電介質(zhì)薄片150g從第2被覆用電介質(zhì)薄片151g剝離。
在被第1加壓體170和第2加壓體171夾持并加壓后,使與裱合在第2樹脂薄膜161的第2被覆用電介質(zhì)薄片151g貼合的第1被覆用電介質(zhì)薄片150g如箭頭3所示那樣從第1樹脂薄膜160剝離。
其結(jié)果,形成第1被覆用電介質(zhì)薄片150g和第2被覆用電介質(zhì)薄片151g相互貼合而構(gòu)成的電介質(zhì)層疊薄片以裱合在第2樹脂薄膜161的狀態(tài)卷繞而成的卷r3、和卷繞第1樹脂薄膜160而成的卷r4。
在本實施方式中,使2片被覆用電介質(zhì)薄片相互貼合來構(gòu)成電介質(zhì)層疊薄片,但并不限于此,也可以通過多次重復(fù)上述的工序s7使3片以上的被覆用電介質(zhì)薄片相互貼合,來構(gòu)成電介質(zhì)層疊薄片。
接下來在芯片的側(cè)面貼附電介質(zhì)層疊薄片(工序s8)。圖13是表示在載置于彈性體上的電介質(zhì)層疊薄片的上方將多個芯片保持于保持板的狀態(tài)的截面圖。
如圖13所示那樣,由第1被覆用電介質(zhì)薄片150g和第2被覆用電介質(zhì)薄片151g構(gòu)成的電介質(zhì)層疊薄片,在從第2樹脂薄膜161剝離后,載置在彈性體93上。彈性體93載置在平臺91上。另外,在電介質(zhì)層疊薄片較薄難以處理的情況下,為了易于處理電介質(zhì)層疊薄片,也可以在使第2樹脂薄膜161保持附著于電介質(zhì)層疊薄片的狀態(tài)下直接載置在彈性體93上。
多個芯片110ag各自相互空開間隔貼附在貼附于保持板90的下表面的發(fā)泡剝離薄片92。多個芯片110ag各自的另一方的側(cè)面與發(fā)泡剝離薄片92相接。多個芯片110ag各自的一方的側(cè)面與電介質(zhì)層疊薄片對置。在多個芯片110ag各自的一方的側(cè)面涂布粘結(jié)劑180。但不一定非要在多個芯片110ag各自的一方的側(cè)面涂布粘結(jié)劑180。
接下來使保持板90如箭頭4所示那樣下降,由此將多個芯片110ag各自按壓在電介質(zhì)層疊薄片。圖14是表示多個芯片被按壓在電介質(zhì)層疊薄片的狀態(tài)的截面圖。如圖14所示那樣,多個芯片110ag各自具有按壓力地對電介質(zhì)層疊薄片進(jìn)行按壓,其中,上述按壓力是其間夾著電介質(zhì)層疊薄片與該多個芯片110ag間接接觸的部分的彈性體93分別在各芯片近旁彈性變形的程度的力。
由此,在電介質(zhì)層疊薄片中被多個芯片110ag和彈性體93夾入的部分,分別壓接在多個芯片110ag的一方的側(cè)面。進(jìn)而,由于在包圍多個芯片110ag的一方的側(cè)面的棱線部剪斷力作用于電介質(zhì)層疊薄片,因而電介質(zhì)層疊薄片被打穿。
圖15是表示按壓在電介質(zhì)層疊薄片的多個芯片被抬高的狀態(tài)的截面圖。如圖15所示那樣,通過使保持板90如箭頭5所示那樣上升,多個芯片110ag各自從電介質(zhì)層疊薄片被抬高。
在該狀態(tài)下,電介質(zhì)層疊薄片的被打穿的部分貼附在芯片110ag的一方的側(cè)面。能用與上述同樣的方法在芯片110ag的另一方的側(cè)面貼附電介質(zhì)層疊薄片。電介質(zhì)層疊薄片當(dāng)中的第1被覆用電介質(zhì)薄片150g與芯片110ag的兩方的側(cè)面接觸。
接下來,通過將電介質(zhì)層疊薄片壓接在芯片來形成被覆芯片(工序s9)。具體地,通過在將第1被覆用電介質(zhì)薄片150g以及第2被覆用電介質(zhì)薄片151g,用加熱的平臺91保持的狀態(tài)下對芯片110ag側(cè)進(jìn)行按壓,由此第1被覆用電介質(zhì)薄片150g以及第2被覆用電介質(zhì)薄片151g熱壓接在芯片110ag,從而形成成為圖4所示的層疊體110的被覆芯片。
接下來進(jìn)行被覆芯片的滾筒研磨(工序s10)。具體地,被覆芯片和相比于電介質(zhì)材料而硬度更高的介質(zhì)球一起被封入被稱作滾筒的小箱內(nèi),使該滾筒旋轉(zhuǎn),由此進(jìn)行被覆芯片的研磨。由此在被覆芯片的角部以及棱線部做圓。
接下來進(jìn)行被覆芯片的燒成(工序s11)。具體地,被覆芯片被加熱,由此將被覆芯片中所含的電介質(zhì)材料以及導(dǎo)電性材料燒成,形成層疊體110。通過進(jìn)行燒成,第1被覆用電介質(zhì)薄片150g成為第1內(nèi)側(cè)被覆部150b以及第2內(nèi)側(cè)被覆部150c。通過進(jìn)行燒成,第2被覆用電介質(zhì)薄片151g成為第1外側(cè)被覆部151b以及第2外側(cè)被覆部151c。燒成溫度對應(yīng)于電介質(zhì)材料以及導(dǎo)電性材料來適宜設(shè)定。
接下來形成第1外部電極121以及第2外部電極122(工序s12)。例如,通過將涂布在層疊體110中的包含第1端面115的端部以及包含第2端面116的端部這兩方的導(dǎo)電膏燒成來形成基底電極層,在基底電極層按照ni鍍以及sn鍍的順序施予鍍,來形成鍍層,由此在層疊體110的外表面上形成第1外部電極121以及第2外部電極122。
能通過經(jīng)過上述的一系列工序來制造層疊陶瓷電容器100。
用本實施方式所涉及的電子部件的制造方法制造的層疊陶瓷電容器100,通過將第1被覆用電介質(zhì)薄片150g以及第2被覆用電介質(zhì)薄片151g所構(gòu)成的電介質(zhì)層疊薄片貼附在芯片的側(cè)面,確保了第1被覆用電介質(zhì)薄片150g與芯片的緊貼性地使電介質(zhì)層疊薄片附著在芯片的側(cè)面整體,從而能抑制側(cè)邊余裕的耐濕性的降低。另外,還能通過使第2被覆用電介質(zhì)薄片151g的陶瓷粒子的密度高來抑制側(cè)邊余裕的耐濕性的降低。
通過如上述那樣使第1被覆用電介質(zhì)薄片150g和第2被覆用電介質(zhì)薄片151g的特性互不相同,能抑制側(cè)邊余裕的耐濕性的降低并使電介質(zhì)層疊薄片薄型化。其結(jié)果,能使層疊體110的側(cè)邊余裕薄型化。由此能使層疊陶瓷電容器100小型化。另外,能通過加大層疊體110的主部110a的寬度來增加內(nèi)部電極層140彼此的對置面積,能使層疊陶瓷電容器100大電容化。
在此說明對使第1被覆用電介質(zhì)薄片150g和第2被覆用電介質(zhì)薄片151g相互貼合來形成電介質(zhì)層疊薄片時的條件進(jìn)行驗證的實驗例。
(實驗例)
作為實驗條件,使第1加壓體170的溫度、第1加壓體170以及第2加壓體171各自的旋轉(zhuǎn)速度以及作用于第1加壓體170與第2加壓體171之間的線壓力各自變化,來驗證第1被覆用電介質(zhì)薄片150g與第2被覆用電介質(zhì)薄片151g的貼合的穩(wěn)定性。作為第1被覆用電介質(zhì)薄片150g與第2被覆用電介質(zhì)薄片151g的貼合的穩(wěn)定性,將未在貼合界面確認(rèn)到剝離的地方的情況判定為良好,將在貼合界面少量確認(rèn)到剝離的地方的情況判定為合格,將貼合界面整體性剝離的情況判定為不合格。
【表1】
表1是將實驗結(jié)果匯總的表。如表1所示那樣,在第1加壓體170的溫度為80℃以上100℃以下的范圍、且第1加壓體170以及第2加壓體171各自的旋轉(zhuǎn)速度為30m/分以下、且作用于第1加壓體170與第2加壓體171之間的線壓力為150n/cm以上300n/cm以下的范圍的情況下,第1被覆用電介質(zhì)薄片150g與第2被覆用電介質(zhì)薄片151g的貼合的穩(wěn)定性為良好。
為了滿足上述的條件,通過使第1被覆用電介質(zhì)薄片150g和第2被覆用電介質(zhì)薄片151g相互貼合來形成電介質(zhì)層疊薄片,能穩(wěn)定地降低側(cè)邊余裕的耐濕性的降低。
對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行了說明,但本次公開的實施方式在全部點上都是例示而不應(yīng)認(rèn)為是限制。本發(fā)明的范圍通過權(quán)利要求書示出,意圖包含與權(quán)利要求的范圍等同的意義以及范圍內(nèi)的全部變更。