本發(fā)明的實施例涉及一種顯示裝置的制造方法，具體而言，涉及一種能夠提高密封特性以及機械強度的顯示裝置的制造方法。

背景技術：

隨著信息技術的發(fā)達，作為用戶和信息之間的連接媒介的顯示裝置的市場也隨之增長。這些顯示裝置正以多樣的形式得到開發(fā)，其中，有機發(fā)光顯示裝置作為具有諸如纖薄化、輕量化、低功耗化等優(yōu)良的性能的顯示裝置而受矚目。

有機發(fā)光顯示裝置在其顯示區(qū)域中具備有機發(fā)光元件，這種有機發(fā)光元件極易受水分以及氧氣的影響，因此有必要防止發(fā)生因透濕以及/或者透氧所引起的有機發(fā)光元件的劣化。作為上述的方法之一，可以利用密封部件而使上部基板以及下部基板接合，然而，近年來為了縮小有機發(fā)光顯示裝置的死區(qū)(deadspace)，進行著用于縮小密封部件的寬度的多樣的嘗試。

技術實現要素：

然而，對現有的柔性顯示裝置的制造方法的情況而言，在減少密封部件的寬度的過程中，存在著上·下基板之間的粘接力可能會降低的問題。

本發(fā)明是為了解決包括上述的問題在內的多種問題而提出的，其目的在于，提供一種能夠提高密封特性以及機械強度的顯示裝置的制造方法。然而這種課題僅僅為示例性的，本發(fā)明的范圍并不局限于此。

根據本發(fā)明的一側面，本發(fā)明提供一種顯示裝置的制造方法。其方法包括如下的步驟：在第一基板的第一面上形成顯示部；在冷卻第二基板的狀態(tài)下，向第二基板的第二面上的邊緣位置接觸高溫部件，從而在第二基板的第二面上的邊緣位置形成槽；以及以第二基板的形成有槽的第二面朝向第一基板上的顯示部的方式布置第二基板，從而使夾設于第一基板和第二基板之間的密封部件與槽接觸。

槽可以將第二基板的中央部環(huán)繞一周。

形成所述槽的步驟可以是以如下方式形成槽的步驟：在第二基板的第二面被布置成朝向第一基板上的顯示部時，使槽布置于顯示部的外側。

形成所述槽的步驟可以是如下的步驟：在第二基板的第二面，將高溫部件接觸的部分的至少一部分剝離；或者在第二基板的第二面，使高溫部件接觸的部分的至少一部分塑性變形。

在接觸高溫部件時，在使高溫部件接觸到第二基板的同時，可以利用高溫部件對第二基板進行加壓。

第二基板可以包含玻璃材料。

第二基板可以包含無堿玻璃材料；而且形成所述槽的步驟可以為如下的步驟：在第二基板的第二面，使高溫部件接觸的部分的至少一部分塑性變形。

高溫部件的溫度可以為第二基板的玻璃化轉變溫度(tg)以上。

在冷卻第二基板時，可以將第二基板冷卻至50℃以下。

在冷卻第二基板時，可以使第二基板接觸到低溫部件。

槽可以具有條形(strip)形狀。

槽的寬度可以為1000μm以下，而深度可以為100μm以下。

槽可以包括多個子槽。

密封部件可以包含有機物。

還可以包括如下步驟：在冷卻第一基板的狀態(tài)下，向第一基板的第一面上的邊緣位置接觸高溫部件，從而在第一基板的第一面上的邊緣位置上形成額外的槽。

所述形成所述額外的槽的步驟可以為如下的步驟：以使額外的槽在第一基板的第一面上位于顯示部外側的方式形成額外的槽。

根據以如上所述的方法構成的本發(fā)明的一實施例，可以實現一種在能夠容易地提高密封特性以及機械強度的同時還能夠縮小死區(qū)的顯示裝置的制造方法。當然，本發(fā)明的范圍并不局限于這樣的效果。

附圖說明

圖1是概略性地表示利用根據本發(fā)明的一實施例的顯示裝置的制造方法而制造的顯示裝置的平面圖。

圖2是沿著圖1的ii-ii'線截取的剖面圖。

圖3至圖7是概略性地表示圖1的顯示裝置的制造工序的剖面圖。

圖8a以及圖8b是示出圖4的制造工序的例的剖面圖。

圖9是概略性地表示根據本發(fā)明的另一實施例的顯示裝置的剖面圖。

圖10是概略性地表示根據本發(fā)明的又一實施例的顯示裝置的剖面圖。

圖11是概略性地表示圖1的顯示部的一例的剖面圖。

符號說明

1000：顯示裝置100：第一基板

110：第二基板200：顯示部

300：密封部件g：槽

11：低溫部件15：高溫部件

16：主體部17：接觸部

18：高頻感應加熱器19：感應線圈

具體實施方式

本發(fā)明可以實施多樣的變換，并可以具有多種實施例，以下在附圖中示出特定的實施例，并在詳細的說明中針對本發(fā)明進行詳細說明。然而其目的并不在于使本發(fā)明局限于特定的實施形式，應當理解的是，本發(fā)明包含本發(fā)明的思想以及技術范圍所包含的所有的變換、等同物以及替代物。在對本發(fā)明進行說明時，如果判斷為針對相關的公知技術進行的具體說明對本發(fā)明的主旨帶來混亂，則省去其詳細的說明。

本說明書中所使用的諸如“第一”、“第二”等的術語用于描述多樣的構成要素，但是此類構成要素不應該受以上術語的限制。以上術語僅用來將一個構成要素與另一構成要素區(qū)分開。

在本說明書中描述為層、膜、區(qū)域、板等構件位于另一構件“之上”或“上方”時，這不僅包括位于另一構件“緊上方”的情況，還包括其中間設有又一構件的情況。

在本說明書中使用的x軸、y軸和z軸不限于直角坐標系的三條軸，可以按包含此的廣義地來意思來解釋。例如，x軸、y軸和z軸可以是彼此垂直的，或者可以代表互不垂直的不同的方向。

以下，參照附圖對根據本發(fā)明的實施例進行詳細的說明，而且在參照附圖對本發(fā)明進行說明時，針對實質上相同或者對應的構成要素將賦予相同的附圖符號，并且省去對其的重復說明。在附圖中，為了明確地示出多個層以及區(qū)域而放大表示了其厚度。而且在附圖中，為了方便說明而夸張地表示了部分層以及區(qū)域的厚度。

圖1是概略性地表示利用根據本發(fā)明的一實施例的顯示裝置制造方法而制造的顯示裝置的平面圖；圖2是沿著圖1的ii-ii'線截取的剖面圖。

參照圖1以及圖2，根據本發(fā)明的一實施例的顯示裝置1000具備第一基板100、第二基板110、顯示部200以及密封部件300。第二基板110具有以與密封部件300接觸的方式布置的槽g(groove)。

第一基板100可以由玻璃材料、塑料材料以及金屬材料等形成。

第一基板100的第一面p1上布置有顯示部200。對此的具體內容將會參照圖11而在下文中進行說明。

第二基板110布置于第一基板100的形成有顯示部200的第一面p1的上部。據此，第一基板100的第一面p1和第二基板110的第二面將會形成對向。第二基板110可以由與第一基板100相同的材料形成。以下，以第一基板100以及第二基板110包括玻璃材料的情況為中心而進行說明。這也適用于下述的實施例以及其變形例。

第二基板110在其第二面p2的邊緣位置具備槽g。為了在第二基板110的第二面p2上形成槽g，可以采用激光加工、蝕刻等多樣的方法，然而在根據本發(fā)明的一實施例的顯示裝置1000的制造方法中，利用對被冷卻至常溫以下的第二基板110的第二面p2進行局部加熱而去除第二基板110的一部分的方法而形成槽g。對此，將會參照圖4而在下文中進行描述。

密封部件300夾設于第一基板100和第二基板110之間，從而將第一基板110和第二基板110接合。此時，密封部件300以包圍第一基板100的顯示部200的方式布置。據此，顯示部200可以被密封部件300、第一基板100以及第二基板110密封，從而能夠防止發(fā)生向顯示部200的透濕、透氧等現象。

密封部件300可以設置成與布置在第一基板100的邊緣位置的配線(未圖示)的一部分重疊。所述配線可以執(zhí)行如下的功能：向配備于顯示部200的薄膜晶體管(未圖示)以及有機發(fā)光元件(oled)施加電信號以及電壓。此時，所述配線以及用于驅動該配線的驅動部(未圖示)可以連接于布置在第一基板100上的焊盤pad部。如上所述，通過使密封部件300位于與所述配線重疊的位置，可以縮小顯示裝置1000的死區(qū)(deadspace)。

作為一例，密封部件300可以利用玻璃原料(frit)等無機物等而形成。作為另一例，密封部件300可以利用熱固性樹脂等有機物而形成，或者可以利用有機·無機復合材料而被形成。

密封部件300可以通過如下的方式形成：在第一基板100或者第二基板110的一面上沿著基板的邊緣位置而形成密封部件用圖案之后，在所述圖案上照射激光而將其熔融，之后再將其硬化。然而，在所述密封部件用圖案形成于第一基板100上的邊緣位置的情況下，在向所述密封部件用圖案照射激光時，可能會引發(fā)顯示部200的劣化，因此需要注意。以下，為方便說明，以在第二基板110上的邊緣位置形成所述密封部件用圖案的情況作為中心而進行說明。這同樣適用于下述的實施例以及其變形例。

密封部件300在填充形成于第二基板110的第二面p2的槽g的狀態(tài)下接觸到第二基板110。從而，密封部件300與第二基板110的接觸面積將會變寬。如上所述，因密封部件300和第二基板110之間的接觸面積變寬，密封部件300和第二基板110之間的粘接力可以得到提高。進而，顯示裝置1000的密封特性以及機械強度可以得到提高。

如上所述，隨著密封部件300和第二基板110的接觸面積變寬，密封部件300不僅可以利用與第二基板110的材料類似的物質而形成，還可以利用與第二基板110的材料不同的物質而形成。例如，在第二基板110包括玻璃材料的情況下，密封部件300不僅可以利用與第二基板110的材料類似的玻璃原料而形成，還可以利用與第二基板110的材料不同的有機物而形成。此外，可以與密封部件300的粘接力的提高程度相應地減少密封部件300的寬度，因此能夠縮小顯示裝置1000的死區(qū)。

隨著密封部件300與第二基板110的槽g接觸，槽g將會如同密封部件300那樣將形成于第一基板100中央部的顯示部200包圍，并位于顯示部200的外側。因此，槽g以將與第一基板100對向的第二基板110的中央部環(huán)繞一周的方式布置于第二基板110的第二面p2。

圖3至圖7是概略性地表示圖1的顯示裝置的制造工藝的剖面圖。

首先，如圖3所示，準備第一基板100，并在第一基板100的第一面p1上形成顯示部200。此時，顯示部200以位于第一基板100的第一面p1上的中央部的方式形成。

之后，如圖4所示，準備第二基板110，并冷卻第二基板110。在冷卻第二基板110的狀態(tài)下，向第二基板110的第二面p2上的邊緣位置接觸高溫部件15以對第二基板110進行加熱。從而，在與第二基板110的高溫部件15接觸的部分形成槽g。此時，第二基板110可以包含玻璃材料。

為了冷卻第二基板110而可以利用多樣的方法。即，將第二基板110在保持低溫的場所堆放預定時間，或者可以在保持低溫的部件上接觸第二基板110。此時，為了防止第二基板110的溫度在工藝過程中上升，優(yōu)選地，如同后者，使第二基板110與低溫部件11接觸而持續(xù)地冷卻第二基板110。

如上所述，第二基板110可以在與低溫部件11接觸的狀態(tài)下得到冷卻。在此，所謂第二基板110得到冷卻，意味著第二基板110的溫度變得低于周圍部的溫度。此時，對第二基板110而言，也可以選擇性地僅冷卻用于形成槽g的區(qū)域，然而在溫度控制這方面上，冷卻整個第二基板110可能更為穩(wěn)定。

低溫部件11可以保持為低于常溫的溫度，然而考慮到作業(yè)場所的溫度，低溫部件11可以保持在50℃以下。然而，如果低溫部件11的溫度低至0℃以下，則會在第二基板110上發(fā)生結露現象，或者會為了實現冷卻而需要過多的能量，因此需要注意。

高溫部件15可以接觸到第二基板110的局部區(qū)域c，從而在短時間內加熱該局部區(qū)域c。這種高溫部件15可以有多種，然而作為一例，可以利用基于高頻感應加熱方式的高溫部件。以下，對基于高頻感應加熱方式的高溫部件15進行更為具體的說明。

高溫部件15可以包含桿狀的主體部16和形成于主體部16一端的圓錐形狀的接觸部17。主體部16的另一端被固定在基底(base)14，從而在與第二基板110接觸時能夠支撐主體部16。此外，主體部16借助于連接到高頻感應加熱器18的感應線圈而得到加熱。這種高頻感應加熱方式為利用位于流經高頻電流的線圈的中間的感應體由于電磁感應作用而引起的渦電流以及部分磁滯(hysteresis)熱損失而被急速加熱的現象的方法，高溫部件15的主體部16對應于位于所述線圈中間的感應體。高頻感應加熱器18可以將能量有效地集中于貫通感應線圈19的高溫部件15，從而可以在短時間內使高溫部件15的溫度上升，并防止與第二基板110之間的接觸所引起的高溫部件15的溫度的降低。

所謂高溫部件15與第二基板110的第二面p2接觸，意味著高溫部件15的接觸部17物理接觸到第二基板110的第二面p2。此外，接觸部17以預定的壓力對第二基板110的第二面p2進行加壓，以調節(jié)形成于第二基板110的槽g的寬度。此時，如果接觸部17向第二基板110施加的壓力過高，則可能會降低第二基板110的強度，嚴重的話可能會對第二基板110引起損傷。相反，如果接觸部17向第二基板110施加的壓力過低，則可能會降低第二基板110的加工生產性。作為一例，高溫部件15可以以0.1kgf/cm2至3.0kgf/cm2程度的壓力實施加壓。

高溫部件15的溫度將會具有第二基板110所包含的玻璃材料的玻璃化轉變溫度(tg，glasstransitiontemperature)以上的值。為使第二基板110的加工變得容易，高溫部件15可以保持為比第二基板110所包含的玻璃材料的玻璃化轉變溫度(tg)高50℃至500℃程度的溫度。作為一例，高溫部件15的溫度可以為1200℃以上。作為一例，與第二基板110的高溫部件15接觸的部分的局部區(qū)域c暴露于1200℃以上的高溫，從而能夠在短時間內得到加熱。

如上所述，如果第二基板110的局部區(qū)域c被加熱至玻璃化轉變溫度以上，則在第二基板110上，在局部區(qū)域c和局部區(qū)域c周圍的低溫區(qū)域之間將會發(fā)生溫度差。據此，以第二基板110的局部區(qū)域c為中心，第二基板110的至少一部分可能會被剝離或者發(fā)生塑性變形。關于此的具體內容將參照圖8a以及圖8b而在下文中進行說明。

之后，如圖5所示，以第二基板110的局部區(qū)域c為中心，第二基板110的至少一部分被剝離或者發(fā)生塑性變形，從而在第二基板110的第二面p2上形成槽g。此時，如果過度地形成槽g，則可能會降低第二基板110的強度，相反，如果過少地形成槽g，則與密封部件300之間的接觸面積或者粘接力無法達到所期望的的水平。因此，考慮到第二基板110的強度、與密封部件300之間的粘接力、密封部件300的寬度等，可以使槽g的寬度形成1000μm以下，并使槽g的深度形成為100μm以下。

另外，第二基板110相對高溫部件15進行相對運動，從而可以形成條形(strip)形狀的槽g。重新參照圖4，第二基板110將會在高溫部件15得到固定的狀態(tài)下沿著x軸方向以及其反方向進行運動。此外，第二基板110可以在高溫部件15得到固定的狀態(tài)下沿著第二基板110的寬度方向運動，即，沿著垂直于xy平面的方向(圖1的z軸方向以及其反方向)運動。然而，并不一定局限于此，可以在第二基板110得到固定的狀態(tài)下，高溫部件15沿著x軸方向以及其反方向運動，或者也可以沿著z軸方向以及其反方向運動。這樣的第二基板110以及高溫部件15的移動速度可考慮到槽形狀、玻璃材料的種類、溫度差、壓力差、生產性等而被調節(jié)為適當的值。如上所述，隨著第二基板110以及/或者高溫部件15的運動，槽g可以形成為具有條形(strip)形狀。作為一例，在高溫部件15被固定在基底14的狀態(tài)下，隨著第二基板110沿著x軸方向運動，將會在第二基板110的邊緣位置形成槽g，而這種槽g可以具有沿著x軸方向延伸而形成的條形(strip)形狀。

之后，將會如圖6以及圖7所示地，以填充第二基板110的第二面p2的邊緣位置所形成的槽g的方式形成密封部件用圖案301。然后，使第二基板110的形成有密封部件用圖案301的第二面p2和第一基板100的形成有顯示部200的第一面p1對向之后，使第一基板100以及第二基板110借助密封部件用圖案301而接合。

圖8a以及圖8b是示出圖4的制造工藝的例的剖面圖。

作為一例，如圖8a的(i)所示，如果在第二基板110的第二面p2上接觸高溫部件15的接觸部17，則接觸部17將會對第二基板110的第二面(p2)進行加壓，并急速地加熱第二基板110的局部區(qū)域c。據此，在第二基板110中，局部區(qū)域c和局部區(qū)域c的周圍區(qū)域之間將會發(fā)生溫度差。由于這種溫度差，以局部區(qū)域c為中心的高溫區(qū)域ha表現出要膨脹的傾向，位于高溫區(qū)域ha周圍的低溫區(qū)域la表現出相對要收縮的傾向。

據此，如圖8a的(ii)所示，以局部區(qū)域c為中心的第二基板110的至少一部分受到較高的變形壓力而瞬間被剝離，據此，第二基板110上可以形成槽g。此時，第二基板110可以包括熱膨脹系數較高的堿石灰(soda-lime)玻璃材料。

作為另一例，如圖8b的(i)所示，如果第二基板110'的第二面p2'上的局部區(qū)域c'與高溫部件15的接觸部17接觸，則由于接觸部17施加的壓力，第二基板110'的局部區(qū)域c'將會發(fā)生塑性變形。此時，第二基板110'可以包含熱膨脹系數相對低于圖8a的第二基板110的玻璃材料。例如，第二基板110'可以包含無堿玻璃材料。因此，第二基板110'將會進行不同于圖8a所示的形態(tài)的變形。即，以局部區(qū)域c'為中心的第二基板110'的至少一部分將會因高溫部件15所施加的壓力而以對應于高溫部件15的接觸部17的形狀被凹陷，而不是因溫度的上升而被膨脹。

據此，如圖8b的(ii)所示，以局部區(qū)域c'為中心的第二基板110b'的至少一部分被凹陷，從而第二基板110'上可以形成槽g'。此時，可能會因高溫部件15所施加的壓力而形成與槽g'鄰接的隆起部pr'。

圖9是概略性地表示根據本發(fā)明的另一實施例的顯示裝置的剖面圖；圖10是概略性地表示根據本發(fā)明的又一實施例的顯示裝置的剖面圖。

首先，參照圖9，第二基板110a的第二面p21上可以形成有多個子槽g1、g2。據此，可以擴展第二基板110a和密封部件300a之間的接觸面積，從而進一步增加第二基板110a和密封部件300a之間的粘接力。因此，能夠更為牢固地密封形成于第一基板100a的第一面p11上的顯示部200a。

為了在第二基板110a上形成多個子槽g1、g2，用于加熱第二基板110a的高溫部件(未圖示)可以接觸位于第二基板110a的第二面p21上的多個子局部區(qū)域c1、c2。此時，高溫部件可以具備多個接觸部，還可以由具有一個接觸部的高溫部件通過多次的工序而形成子槽g1、g2。

參照圖10，在第二基板110b的第二面p22，可以以接觸到高溫部件(未圖示)的上部局部區(qū)域c3為中心而形成上部槽g3，同時在第一基板100b的第一面p12，可以以接觸到所述高溫部件的下部局部區(qū)域c4為中心而形成下部槽g4。此時，下部槽g4與上部槽g3相對向而布置。據此，不僅會增加第二基板110b和密封部件300b之間的粘接力，還會增加第一基板100b和密封部件300b之間的粘接力，從而能夠更為牢固地密封形成于第一基板100b的第一面p12上的顯示部200b。

為了在第一基板100b上形成下部槽g4，參照圖4，在如上所述地將冷卻第一基板100b的狀態(tài)下，向第一基板100b的下部局部區(qū)域c4接觸所述高溫部件，從而對第一基板100b進行加熱。之后，以下部局部區(qū)域c4為中心的第一基板100b的至少一部分被剝離或者發(fā)生塑性變形，從而會形成下部槽g4。在此過程中，若要防止布置于第一基板100b上的顯示部200劣化，優(yōu)選地，在形成顯示部200之前的步驟中，在第一基板100b上形成下部槽g4。

如上所述，如果利用根據本發(fā)明的一是實施例的顯示裝置的制造方法，則不僅可以提高顯示裝置的密封特性以及機械強度，還可以縮小顯示裝置的死區(qū)。

圖11是概略性地表示圖1的顯示部的一例的剖面圖。

配備于顯示部200的顯示元件可以根據顯示裝置的種類而具有多樣的形態(tài)。以下，為了方便說明，將作為顯示元件而具備有機發(fā)光元件oled的情況為中心而進行說明。

參照圖11，在第一基板100上，諸如緩沖層51、柵極絕緣膜(gateinsulatingfilm)53、層間絕緣膜55等共同層可以形成于第一基板100的整個表面，還可形成有被圖案化的半導體層52，所述被圖案化的半導體層52包含溝道區(qū)域52a、源極接觸(sourccontact)區(qū)域52b以及漏極接觸(draincontact)區(qū)域52c，而且，可以形成有與這種被圖案化的半導體層一同構成薄膜晶體管tft的構成要素的柵電極54、源電極56以及漏電極57。

此外，在第一基板100的整個表面上可以形成有保護膜58和平坦化膜59，所述保護膜58用于覆蓋所述薄膜晶體管tft，所述平坦化膜59位于保護膜58上，并且其上表面近于平坦。這種平坦化膜59可以以使有機發(fā)光元件oled位于其上部的方式形成，其有機發(fā)光元件oled包含：圖案化的像素電極61、大致對應于第一基板100的整個表面的對向電極63、以及多層結構的中間層62，夾設于像素電極61和對向電極63之間，并包含發(fā)光層。

當然，中間層62可以與如圖所示的情形不同地，其部分層可以是大致對應于第一基板100的整個表面的共同層，另一部分層可以是以與像素電極61對應的方式被圖案化的圖案化層。像素電極61可以通過通孔而電連接到薄膜晶體管tft。當然，可以以如下方式形成于平坦化膜59上：覆蓋像素電極61的邊緣位置并且具有定義各個像素區(qū)域的開口的像素定義膜60大致對應于第一基板100的整個表面。

如此，雖然已經參照附圖所示的一實施例描述了本發(fā)明，然而這只是示例性的，如果是本領域中具有通常的知識的人員，則應當理解可以由此進行多樣的變形以及實施例的變形。因此，本發(fā)明真正的技術保護范圍應由所附權利要求書的技術思想而得到確定。