技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于m面Al2O3襯底的半極性AlN薄膜及制備方法，主要解決現(xiàn)有技術(shù)工藝復(fù)雜，制作周期長(zhǎng)和費(fèi)用昂貴的問(wèn)題。該薄膜自下而上包括：200?500μm厚的m面Al2O3襯底層、20?100nm厚的AlN成核層、1000?3000nm厚的Al組分漸變AlGaN層和500?1000nm厚的半極性AlN層，其中m面Al2O3襯底層的表面設(shè)有通過(guò)金剛石砂紙打磨形成的鋸齒條紋，Al組分漸變AlGaN層的Al組分從0.01漸變至1，本發(fā)明減小應(yīng)力，簡(jiǎn)化圖形襯底制作的工藝流程，縮短制作周期和減小費(fèi)用成本，提高了AlN材料的質(zhì)量，可用于制作半極性AlN基的紫外和深紫外半導(dǎo)體器件。

技術(shù)研發(fā)人員：許晟瑞;趙穎;范曉萌;李培咸;牛牧童;張進(jìn)成;林志宇;姜騰;郝躍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710021593
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.12
技術(shù)公布日：2017.06.09