1.一種具有高抗短路能力的IGBT器件，包括P阱（1）、第一柵極（2）、發(fā)射極（3）、第一絕緣氧化層（4）、P+區(qū)域（5）、金屬層（6）、FS層（7）、集電極（8）、第二柵極（9）、基區(qū)（10）與第二絕緣氧化層（11），其特征是：在集電極（8）上設(shè)有FS層（7），在FS層（7）上設(shè)有基區(qū)（10），在基區(qū)（10）上設(shè)有P阱（1），在P阱（1）上設(shè)有金屬層（6），在金屬層（6）內(nèi)設(shè)有左右兩個第一絕緣氧化層（4），在左右兩個第一絕緣氧化層（4）之間的金屬層（6）內(nèi)設(shè)有第二絕緣氧化層（11），在第一絕緣氧化層（4）的下端部連接有第一柵極（2），在第二絕緣氧化層（11）的下端部連接有第二柵極（9），第一柵極（2）與第二柵極（9）的下端部均位于基區(qū)（10）內(nèi)，在第一柵極（2）的上端部的左右兩側(cè)以及在第二柵極（9）的上端部的左右兩側(cè)均設(shè)有發(fā)射極（3），位于第二柵極（9）與第一柵極（2）之間的兩個發(fā)射極（3）之間以及位于第一柵極（2）外側(cè)的發(fā)射極（3）上連接有P+區(qū)域（5）。
2.如權(quán)利要求1所述的具有高抗短路能力的IGBT器件，其特征是：所述第二柵極（9）的寬度大于第一柵極（2）的寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的具有高抗短路能力的IGBT器件，其特征是：所述第二絕緣氧化層（11）的寬度大于第一絕緣氧化層（4）的寬度。