技術(shù)編號(hào):12478717
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種IGBT器件,本發(fā)明尤其是涉及一種具有高抗短路能力的IGBT器件,本發(fā)明屬于半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域。背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu),為了追求更低的飽和壓降,可以將原胞密度增大(溝槽密度增大,溝槽間距降低),這樣會(huì)帶來(lái)飽和電流較大的負(fù)面影響,進(jìn)而降低器件的抗短路能力。如圖2所示,現(xiàn)有的器件結(jié)構(gòu)中柵極2的寬度一致,這樣會(huì)導(dǎo)致在原胞密度較高的情況下,器件的短路電流較高。當(dāng)器件發(fā)生短路時(shí),較高短路電流會(huì)引起較高的發(fā)熱量,更容易導(dǎo)致器件失效,抗短路能力較差。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。