技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
公開(kāi)了具有罩層的氣隙互連結(jié)構(gòu)和用于形成這種氣隙互連結(jié)構(gòu)的方法。提供了具有電介質(zhì)層的襯底，該電介質(zhì)層具有在其中形成的多個(gè)互連。每個(gè)互連被阻擋層密閉。在電介質(zhì)層上形成硬掩膜，且圖案化該硬掩膜以暴露出在相鄰的互連之間的期望氣隙的電介質(zhì)層。蝕刻電介質(zhì)層以形成溝槽，其中該蝕刻工藝另外蝕刻阻擋層的至少一部分，以暴露出每個(gè)相鄰的銅互連的側(cè)表面的一部分。將罩層化學(xué)鍍到頂表面的暴露部分和側(cè)表面的暴露部分上，以重新密封互連。在器件之上形成間隙密封電介質(zhì)層，從而密封溝槽以形成氣隙。

技術(shù)研發(fā)人員：K·費(fèi)希爾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英特爾公司
技術(shù)研發(fā)日：2011.12.29
技術(shù)公布日：2017.08.29