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用于電子和空穴遷移率增強(qiáng)的雙鰭集成的制作方法

文檔序號:11334406閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
提供了一種用于形成半導(dǎo)體器件的技術(shù)。在半導(dǎo)體層上的硬掩模層之上形成犧牲芯棒。在犧牲芯棒的側(cè)壁上形成間隔體。移除犧牲芯棒以留下間隔體。掩模工藝留下暴露的間隔體的第一組,第二組被保護(hù)。響應(yīng)于掩模工藝,第一鰭蝕刻工藝經(jīng)由間隔體的第一組在半導(dǎo)體層中形成鰭的第一組。鰭的第一組具有垂直的側(cè)壁輪廓。另一個(gè)掩模工藝留下暴露的間隔體的第二組,間隔體的第一組和鰭的第一組被保護(hù)。響應(yīng)于其他的掩模工藝,第二鰭蝕刻工藝使用間隔體的第二組在半導(dǎo)體層中形成鰭的第二組。鰭的第二組具有梯形的側(cè)壁輪廓。

技術(shù)研發(fā)人員:劉作光;陳家佑;山下典洪;王苗苗
受保護(hù)的技術(shù)使用者:國際商業(yè)機(jī)器公司
技術(shù)研發(fā)日:2016.02.17
技術(shù)公布日:2017.10.13
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