技術編號:11334406
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開總體上涉及一種集成電路器件制造中的電子和空穴遷移率,并且更具體地涉及一種用于電子和空穴遷移率增強的雙鰭集成。背景技術在固體物理中,電子遷移率表征了在被電場拉動時電子可以多快速地移動穿過金屬或者半導體。在半導體中,對于空穴存在類似的量,稱為空穴遷移率。術語載流子遷移率通常是指半導體中的電子和空穴遷移率兩者。電子和空穴遷移率是在施加的電場之下的帶電粒子的電學遷移率的特殊情況。例如,在電場E施加到一塊材料上時,電子通過以稱為漂移速度的平均速度移動來響應。電導率正比于遷移率與載流子濃度的乘積。例如...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。