本實(shí)用新型涉及電感技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，是涉及一種具有氣隙的共模電感。

背景技術(shù)：

共模電感又稱共模扼流圈，常用于電子設(shè)備的開關(guān)電源中，用于過濾共模的電磁干擾信號(hào)?，F(xiàn)有技術(shù)中常用的共模電感，通常為將兩個(gè)匝數(shù)和相位相同、繞制方向相反的線圈繞制在圓形磁芯的兩側(cè)部位，這樣，當(dāng)電路中的正常電流流經(jīng)共模電感時(shí)，電流在同相位繞制的電感線圈中產(chǎn)生反向的磁場(chǎng)而相互抵消；當(dāng)有共模電流流經(jīng)線圈時(shí)，由于共模電流的同向性，會(huì)在線圈內(nèi)產(chǎn)生同向的磁場(chǎng)而增大線圈的感抗，使線圈表現(xiàn)為高阻抗，產(chǎn)生較強(qiáng)的阻尼效果，以此衰減共模電流，達(dá)到濾波的目的。但是，現(xiàn)有技術(shù)中的共模電感在大電流時(shí)容易出現(xiàn)磁飽和現(xiàn)象，難以較好的控制電感量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷，提供一種具有氣隙的共模電感，其可提高磁飽和度，更好的控制電感量，延長(zhǎng)了使用壽命。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種具有氣隙的共模電感，包括磁芯和兩組對(duì)稱設(shè)置的繞組線圈，所述磁芯由上端磁芯柱、下端磁芯柱和位于左右兩邊的側(cè)邊磁芯柱連接而成，所述磁芯設(shè)置成方框形狀，所述繞組線圈卷繞在所述磁芯左右兩邊的側(cè)邊磁芯柱上，所述磁芯的上端磁芯柱的中部或者所述磁芯的下端磁芯柱的中部開設(shè)有用于提高磁飽和度的氣隙。

作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述氣隙設(shè)置為0.01mm以上。

作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述磁芯的表面設(shè)有絕緣層。

作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述繞組線圈的線徑為0.01mm～1.5mm。

作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述繞組線圈采用單股線的漆包銅線繞制而成或者采用多股線絞合在一起的漆包銅線繞制而成。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果在于：

本實(shí)用新型的磁芯由上端磁芯柱、下端磁芯柱和位于左右兩邊的側(cè)邊磁芯柱連接而成，磁芯設(shè)置成方框形狀，磁芯的上端磁芯柱的中部或者磁芯的下端磁芯柱的中部開設(shè)有用于提高磁飽和度的氣隙，其可改善在大電流時(shí)出現(xiàn)的磁飽和現(xiàn)象，能夠更好的控制電感量，延長(zhǎng)了電感的使用壽命。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實(shí)用新型提供的第一種具有氣隙的共模電感的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型提供的第二種具有氣隙的共模電感的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參考圖1，本實(shí)用新型的實(shí)施例一提供了一種具有氣隙的共模電感，該共模電感包括磁芯1和兩組對(duì)稱設(shè)置的繞組線圈2，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。

如圖1所示，磁芯1可以由上端磁芯柱11、下端磁芯柱12和位于左右兩邊的側(cè)邊磁芯柱13連接而成，其設(shè)置成方框形狀。此外，磁芯1的表面可以設(shè)有絕緣層。

兩組繞組線圈2分別卷繞在磁芯1的相應(yīng)側(cè)邊磁芯柱13上，兩組繞組線圈2的匝數(shù)和相位相同，繞制方向相反。其中，繞組線圈2可以采用單股線的漆包銅線繞制而成或者采用多股線絞合在一起的漆包銅線繞制而成。在本實(shí)施例中，繞組線圈2的線徑可以設(shè)置為0.01mm～1.5mm，當(dāng)然也可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行改變，非本實(shí)施例為限。

如圖1所示，磁芯1的上端磁芯柱11的中部開設(shè)有用于提高磁飽和度的氣隙3，該氣隙3可加大工作的磁通密度和飽和磁通密度，其可改善在大電流時(shí)出現(xiàn)的磁飽和現(xiàn)象，能夠更好的控制電感量，延長(zhǎng)了電感的使用壽命。

其中，該氣隙3可以設(shè)置為0.01mm以上，但氣隙越大，磁芯的電感系數(shù)就越小，為了達(dá)到一定的電感量就需要繞制更多的線圈，相關(guān)的銅損也增加，加上線圈匝數(shù)多，分布電容也相對(duì)增大，影響電磁元件的工作穩(wěn)定性，所以實(shí)際應(yīng)用時(shí)要多方權(quán)衡，確定出氣隙大小的最佳值。在本實(shí)施例中，可以優(yōu)選設(shè)置為1mm～1.5mm，當(dāng)然也可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行改變，非本實(shí)施例為限。

請(qǐng)參考圖2，本實(shí)用新型的實(shí)施例二提供了一種具有氣隙的共模電感，本實(shí)施例二的共模電感與上述實(shí)施例一所述的共模電感的結(jié)構(gòu)大部分相同，相同之處在此不再贅述，不同之處在于：該氣隙3也可以開設(shè)在磁芯1的下端磁芯柱12的中部。

上述實(shí)施例為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本實(shí)用新型的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。