技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及一種電光器件，包括：復(fù)合襯底，包括硅襯底層以及鍵合在所述硅襯底層上的藍(lán)寶石襯底層；開關(guān)結(jié)構(gòu)層，由生長(zhǎng)在所述藍(lán)寶石襯底層上的氮化鎵晶體形成；以及器件主體結(jié)構(gòu)，包括鍵合于所述硅襯底層上的電光晶體層。上述電光器件，由于采用氮化鎵基晶體管的開關(guān)結(jié)構(gòu)層，與Si基晶體管相比，可以降低待機(jī)功耗并且可以提高工作頻率。上述電光器件中的開關(guān)結(jié)構(gòu)層，采用藍(lán)寶石襯底層與硅襯底層鍵合而成的復(fù)合襯底，這樣可以在藍(lán)寶石襯底層上生長(zhǎng)高質(zhì)量的氮化鎵晶體，從而有利于獲得高質(zhì)量的開關(guān)結(jié)構(gòu)層，進(jìn)而有利于制造出性能優(yōu)異的電光器件；同時(shí)該復(fù)合襯底的硅襯底層，可以滿足大尺寸主流生產(chǎn)線的需求，與現(xiàn)有的硅襯底工藝兼容。

技術(shù)研發(fā)人員：林岳明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州愛彼光電材料有限公司
文檔號(hào)碼：201621470412
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.29
技術(shù)公布日：2017.07.21