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電光器件的制造方法與工藝技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):11686489

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本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種電光器件。背景技術(shù)氮化鎵材料的研究與應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn),是研制半導(dǎo)體器件的新型半導(dǎo)體材料,被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力,在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。例如氮化鎵基晶體管。形成氮化鎵基的半導(dǎo)體器件,必須先選擇一種襯底來(lái)形成氮化鎵層。目前有的采用硅(Si)襯底,有的...
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