本實(shí)用新型涉及4G天線技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種新型板載4G全向天線。

背景技術(shù)：

近年來(lái)隨著TD-LTE的迅猛發(fā)展，人民對(duì)通信網(wǎng)絡(luò)及數(shù)據(jù)流量要求越來(lái)越高，盡管宏站建設(shè)已經(jīng)覆蓋了各個(gè)城市，然而城市綜合環(huán)境復(fù)雜，網(wǎng)絡(luò)信號(hào)覆蓋仍然存在較多盲區(qū)，特別是室內(nèi)應(yīng)用場(chǎng)景，信號(hào)弱，用戶量多，這都是亟需解決的問(wèn)題。由于宏站站址資源匱乏，建站成本高，依靠增加宏站建設(shè)并不是解決該問(wèn)題的最佳途徑。分布式解決方案正是針對(duì)室內(nèi)熱點(diǎn)擴(kuò)容和盲點(diǎn)補(bǔ)充的室內(nèi)無(wú)線多模深度覆蓋解決方案。

在室內(nèi)覆蓋設(shè)備中，內(nèi)置天線直接集成在主板上，體積小，經(jīng)濟(jì)成本低，而且相對(duì)外置天線等其他非集成一體化的天線而言，它減少了主板射頻端口與天線端口之間的連接損耗，從而減少射頻功率損耗并提高設(shè)備穩(wěn)定性。所以從工藝、經(jīng)濟(jì)、性能三個(gè)角度分析，內(nèi)置天線具有無(wú)與倫比的優(yōu)勢(shì)，在室內(nèi)覆蓋設(shè)備中，得到越來(lái)越多的應(yīng)用。

目前內(nèi)置集成天線采用的方案有：PIFA面天線、金屬結(jié)構(gòu)IFA。PIFA雖然增益大，但需要一定的高度空間，而金屬結(jié)構(gòu)IFA也需要一定的高度空間，而且因?yàn)樗怪焙附釉谥靼迳希搽y以滿足輻射場(chǎng)的全向性。由于天線與設(shè)備主板集成一體化，主板上金屬散熱器、插件器件和天線區(qū)域空間較小等因素的限制都加大天線設(shè)計(jì)難度，天線輻射場(chǎng)性能難以達(dá)到全向覆蓋的效果。在復(fù)雜的主板環(huán)境中如何保證內(nèi)置天線輻射場(chǎng)的全向性、天線本身駐波比及同頻天線之間的隔離度指標(biāo)是業(yè)界一直在突破的重要問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提供一種新型板載4G全向天線，將天線內(nèi)置在電路板上，使體積小、加工性和經(jīng)濟(jì)性好，提高天線增益，改善天線阻抗匹配，降低駐波比，并使天線具有全向輻射能力。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為：

一種新型板載4G全向天線，包括倒F天線本體、耦合接地片、第二輻射片、第一引向片和第二引向片，所述倒F天線本體包括饋電片、短接片和第一輻射片，所述饋電片位于所述倒F天線本體的中部，所述短接片的形狀為L(zhǎng)形，所述短接片位于所述饋電片的下方，所述第一輻射片位于所述饋電片的上方，所述饋電片一端與所述短接片的一端和第一輻射片的一端連接，另一端與外設(shè)的電路板連接；所述耦合接地片一端與所述短接片的另一端連接，所述第二輻射片與所述第一輻射片平行設(shè)置，所述第二輻射片也位于所述饋電片的上方，所述第二輻射片也與所述饋電片連接，所述第一引向片位于所述倒F天線本體的上方，且與所述饋電片平行設(shè)置，所述第一引向片一端與外設(shè)的電路板連接，所述第二引向片位于所述倒F天線本體的下方，且與所述饋電片平行設(shè)置，所述第二引向片一端與外設(shè)的電路板連接。

進(jìn)一步的，所述耦合接地片與所述饋電片垂直設(shè)置，且所述耦合接地片的另一端向所述饋電片延伸設(shè)置。

進(jìn)一步的，所述耦合接地片到外設(shè)的電路板的邊界的距離為0.3mm。

進(jìn)一步的，所述4G全向天線的厚度為1.6mm。

進(jìn)一步的，所述第一輻射片的寬度為1.3mm。

進(jìn)一步的，所述第二輻射片的寬度為1.2mm，所述第一輻射片與第二輻射片之間的距離為4.5-4.8mm。

進(jìn)一步的，所述第一引向片的寬度為1mm。

進(jìn)一步的，所述第一引向片的長(zhǎng)度為8-8.5mm。

進(jìn)一步的，所述第二引向片的寬度為2mm。

進(jìn)一步的，所述第二引向片的長(zhǎng)度為13.3mm。

本實(shí)用新型的有益效果在于：饋電片、第一輻射片和L形的短接片組成倒F天線本體，饋電片直接與電路連接，使4G天線與電路板直接連接，具有體積小、節(jié)省空間、阻抗低的優(yōu)點(diǎn)；在饋電片上連接有平行設(shè)置的第一輻射片和第二輻射片，兩個(gè)輻射片的存在縮短了4G天線的長(zhǎng)度，使4G天線具有雙諧振功能，提高了4G天線在饋電點(diǎn)的阻抗匹配能力，且第一輻射片與第二輻射片之間的距離大小還可調(diào)節(jié)4G天線的阻抗、駐波比以及帶寬；耦合接地片與短接片連接，使倒F天線本體具有耦合接地能力；第一引向片和第二引向片分別位于倒F天線的上方和下方，且均與電路板連接，第一引向片和第二引向片協(xié)同作用，共同改善4G天線的輻射場(chǎng)，結(jié)合倒F天線本體，所述4G天線具有全向輻射的能力。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的新型板載4G全向天線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的新型板載4G全向天線的輻射效果圖。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明：

1、倒F天線本體；2、耦合接地片；3、第二輻射片；4、第一引向片；

5、第二引向片；6、電路板；

11、饋電片；12、短接片；13、第一輻射片。

具體實(shí)施方式

為詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖予以說(shuō)明。

本實(shí)用新型最關(guān)鍵的構(gòu)思在于：將倒F天線本體與電路板連接，耦合接地片與倒F天線本體連接，設(shè)置兩個(gè)輻射片，還設(shè)有分別位于倒F天線本體上方和下方的第一引向片和第二引向片，使4G天線體積小，且具有全向輻射能力。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，本實(shí)用新型提供了一種新型板載4G全向天線，包括倒F天線本體1、耦合接地片2、第二輻射片3、第一引向片4和第二引向片5，所述倒F天線本體1包括饋電片11、短接片12和第一輻射片13，所述饋電片11位于所述倒F天線本體1的中部，所述短接片12的形狀為L(zhǎng)形，所述短接片12位于所述饋電片11的下方，所述第一輻射片13位于所述饋電片11的上方，所述饋電片11一端與所述短接片12的一端和第一輻射片13的一端連接，另一端與外設(shè)的電路板6連接；所述耦合接地片2一端與所述短接片12的另一端連接，所述第二輻射片3與所述第一輻射片13平行設(shè)置，所述第二輻射片3也位于所述饋電片11的上方，所述第二輻射片3也與所述饋電片11連接，所述第一引向片4位于所述倒F天線本體1的上方，且與所述饋電片11平行設(shè)置，所述第一引向片4一端與外設(shè)的電路板6連接，所述第二引向片5位于所述倒F天線本體1的下方，且與所述饋電片11平行設(shè)置，所述第二引向片5一端與外設(shè)的電路板6連接。

進(jìn)一步的，所述耦合接地片2與所述饋電片11垂直設(shè)置，且所述耦合接地片2的另一端向所述饋電片11延伸設(shè)置。

由上述描述可知，耦合接地片2一端與短接片12的另一端連接，另一端向饋電片11延伸設(shè)置，且耦合接地片2與饋電片11垂直設(shè)置，則耦合接地片2的另一端指向饋電片11的另一端，饋電片11另一端與電路板6連接，則耦合接地片2靠近電路板6的邊界，結(jié)構(gòu)合理，保證耦合接地穩(wěn)定性。

進(jìn)一步的，所述耦合接地片2到外設(shè)的電路板6的邊界的距離為0.3mm。

由上述描述可知，外設(shè)的電路板6在與所述耦合接地片2位置對(duì)應(yīng)的邊界上設(shè)有地線，耦合接地片2到電路板6的邊界的距離為0.3mm，具有結(jié)構(gòu)緊湊，耦合接地性能穩(wěn)定的特點(diǎn)。

進(jìn)一步的，所述4G全向天線的厚度為1.6mm。

由上述描述可知，4G全向天線的厚度為1.6mm，具有體積小、重量輕、便于安裝的優(yōu)點(diǎn)。

進(jìn)一步的，所述第一輻射片13的寬度為1.3mm。

由上述描述可知，第一輻射片13的寬度為1.3mm，具有體積小、重量輕、便于安裝的優(yōu)點(diǎn)。

進(jìn)一步的，所述第二輻射片3的寬度為1.2mm，所述第一輻射片13與第二輻射片3之間的距離為4.5-4.8mm。

由上述描述可知，第二輻射片3的寬度為1.2mm，具有體積小、重量輕、便于安裝的優(yōu)點(diǎn)；第一輻射片13與第二輻射片3之間的間距會(huì)影響4G天線在饋電點(diǎn)的阻抗匹配能力、駐波比以及帶寬，將第一輻射片13與第二輻射片3之間的距離設(shè)為4.5-4.8mm，使4G天線具有較好的饋電點(diǎn)阻抗匹配能力、駐波比以及良好的帶寬。

進(jìn)一步的，所述第一引向片4的寬度為1mm。

由上述描述可知，第一引向片4的寬度為1mm，具有體積小、重量輕、便于安裝的優(yōu)點(diǎn)。

進(jìn)一步的，所述第一引向片4的長(zhǎng)度為8-8.5mm。

由上述描述可知，第一引向片4的長(zhǎng)度為8-8.5mm，便于對(duì)天線的輻射方向進(jìn)行引導(dǎo)。

進(jìn)一步的，所述第二引向片5的寬度為2mm。

由上述描述可知，第二引向片5的寬度為2mm，具有體積小、重量輕、便于安裝的優(yōu)點(diǎn)。

進(jìn)一步的，所述第二引向片5的長(zhǎng)度為13.3mm。

由上述描述可知，第二引向片5的長(zhǎng)度為13.3mm，便于對(duì)天線的輻射方向進(jìn)行引導(dǎo)。

進(jìn)一步的，外設(shè)的電路板6的右上角設(shè)有一個(gè)與所述4G全向天線形狀適配的L形缺口。

由上述描述可知，所述4G天線安裝在電路板6的右上角的L形缺口處，使4G天線不占用額外的空間，不超過(guò)電路板6在長(zhǎng)度和寬度方向上的輪廓，安裝便捷。

進(jìn)一步的，外設(shè)的電路板6上安裝有散熱器，所述散熱器在所述電路板6的L形缺口處也設(shè)有相同形狀的缺口。

由上述描述可知，所述4G天線所在位置處的散熱器也同樣設(shè)置有對(duì)應(yīng)的缺口，可以減少金屬散熱器對(duì)天線輻射場(chǎng)的影響。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，本實(shí)用新型的實(shí)施例一為：

一種新型板載4G全向天線，包括倒F天線本體1、耦合接地片2、第二輻射片3、第一引向片4和第二引向片5，所述倒F天線本體1包括饋電片11、短接片12和第一輻射片13，所述饋電片11位于所述倒F天線本體1的中部，所述短接片12的形狀為L(zhǎng)形，所述短接片12位于所述饋電片11的下方，所述第一輻射片13位于所述饋電片11的上方，所述饋電片11一端與所述短接片12的一端和第一輻射片13的一端連接，另一端與外設(shè)的電路板6連接；所述耦合接地片2一端與所述短接片12的另一端連接，所述第二輻射片3與所述第一輻射片13平行設(shè)置，所述第二輻射片3也位于所述饋電片11的上方，所述第二輻射片3也與所述饋電片11連接，所述第一引向片4位于所述倒F天線本體1的上方，且與所述饋電片11平行設(shè)置，所述第一引向片4一端與外設(shè)的電路板6連接，所述第二引向片5位于所述倒F天線本體1的下方，且與所述饋電片11平行設(shè)置，所述第二引向片5一端與外設(shè)的電路板6連接；優(yōu)選地，所述耦合接地片2與所述饋電片11垂直設(shè)置，且所述耦合接地片2的另一端向所述饋電片11延伸設(shè)置。

請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖2，本實(shí)用新型的實(shí)施例二為：

一種新型板載4G全向天線，在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，具體尺寸為：所述4G全向天線的厚度為1.6mm，所述耦合接地片2到外設(shè)的電路板6的邊界的距離為0.3mm，所述第一輻射片13的寬度為1.3mm，所述第二輻射片3的寬度為1.2mm，所述第一輻射片13與第二輻射片3之間的距離為4.5-4.8mm，所述第一引向片4的寬度為1mm，長(zhǎng)度為8-8.5mm，所述第二引向片5的寬度為2mm，長(zhǎng)度為13.3mm。

對(duì)上述4G全向天線的輻射效果進(jìn)行測(cè)試，具體測(cè)試結(jié)果見(jiàn)圖2所示，從圖2中可以看出，上述4G全向天線在360°范圍內(nèi)均具有較好的輻射效果。

綜上所述，本實(shí)用新型提供的新型板載4G全向天線，通過(guò)饋電片11直接與外設(shè)的電路板6連接，通過(guò)耦合接地片2與電路板6耦合接地，通過(guò)第一輻射片13和第二輻射片3形成雙諧振功能，通過(guò)第一引向片4和第二引向片5進(jìn)行方向引導(dǎo)，所述4G天線體積小、安裝便捷，加工性和經(jīng)濟(jì)性好，提高了天線增益，具有良好的饋電點(diǎn)阻抗匹配能力，良好的駐波比，良好的帶寬，且具有360°全向輻射能力。

以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等同變換，或直接或間接運(yùn)用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。