技術(shù)總結(jié)
本實用新型公開了一種用于降低功率損耗的晶體硅太陽能電池多層減反射膜，所述多層減反射膜由下到上依次設(shè)有采用臭氧氧化的方法在已經(jīng)擴(kuò)散后的硅片表面制得的SiO2層、第一SiN層、第二SiN層、第三SiN層、第四SiN層，所述第一SiN層、第二SiN層、第三SiN層、第四SiN層均采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制得，所述第一SiN層厚度為10?12nm，所述第二SiN層厚度為10?12nm，所述第三SiN層厚度為8?10mm，所述第四SiN層厚度為48?52nm。

技術(shù)研發(fā)人員：張洪寶;朱琛;張子森;曹華;謝桂書;奚琦鵬;趙蒼;赫漢;李恒亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江昱輝陽光能源江蘇有限公司
文檔號碼：201621257154
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.22
技術(shù)公布日：2017.06.16