本實(shí)用新型有關(guān)于一種光通訊用的高頻電路，特別是指一種雙端驅(qū)動(dòng)式高頻次基板結(jié)構(gòu)及包含其的高頻傳輸結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

于光通訊的領(lǐng)域中，資料傳輸持續(xù)不斷地朝高速化方向演進(jìn)，然而高速訊號傳輸面臨的課題卻不同于以往。在進(jìn)行高速訊號傳輸時(shí)，經(jīng)常需要考慮到高頻訊號于傳輸過程中訊號的完整性，于高頻電路設(shè)計(jì)時(shí)，為確保特性阻抗的整合匹配，必須思考抑制訊號衰減的對策。因此在設(shè)計(jì)阻抗匹配時(shí)，配線幅度與配線間隔的調(diào)整與貫孔的設(shè)計(jì)均是必須要考量的內(nèi)容。因此，如何重新設(shè)計(jì)適合的高頻封裝架構(gòu)來應(yīng)付高速網(wǎng)路中對于高頻電路的需求，為業(yè)界人士所欲克服的問題。

在光通訊的電路中，一般都是用微帶線(Microstrip)進(jìn)行次基板及電路板的電路布局，一般的微帶線次基板包含有一組訊號墊區(qū)、于其中一該訊號墊區(qū)的上方設(shè)置有半導(dǎo)體晶片，并由另一訊號墊區(qū)上打線至該半導(dǎo)體晶片，藉以驅(qū)動(dòng)該半導(dǎo)體晶片。然而，在高頻訊號傳輸中，微帶線的設(shè)計(jì)容易在高頻率訊號狀況下與周遭的介質(zhì)產(chǎn)生更細(xì)微的交互作用，進(jìn)而產(chǎn)生寄生電容電感效應(yīng)，這類的寄生效應(yīng)不僅會影響訊號的連續(xù)性，也會造成訊號常有失真的情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種雙端驅(qū)動(dòng)式高頻次基板結(jié)構(gòu)及包含其的高頻傳輸結(jié)構(gòu)，其具有優(yōu)異高頻傳輸特性，且運(yùn)行穩(wěn)定，壽命較長。

為達(dá)到上述的目的，本實(shí)用新型公開了一種雙端驅(qū)動(dòng)式高頻次基板結(jié)構(gòu)，具有一次基板本體，其特征在于：

該次基板本體的正面設(shè)置有一第一訊號墊區(qū)以及一第二訊號墊區(qū)，該第一訊號墊區(qū)及該第二訊號墊區(qū)相互對稱由該次基板本體的兩側(cè)朝中間的方向延伸，并于該第一訊號墊區(qū)延伸方向的末端及該第二訊號墊區(qū)延伸方向的末端間相當(dāng)靠近但保持一間隔，該第一訊號墊區(qū)設(shè)置半導(dǎo)體晶片，并于該第二訊號墊區(qū)上設(shè)置一跳線連接至該半導(dǎo)體晶片的電極，于該第一訊號墊區(qū)及該第二訊號墊區(qū)的兩側(cè)分別具有共面波導(dǎo)的接地墊區(qū)，并于該次基板本體的內(nèi)層或底側(cè)具有一接地層，經(jīng)由該接地墊區(qū)上的一或多個(gè)過孔穿過該次基板本體以電性連接該接地墊區(qū)及該接地層。

還公開了一種雙端驅(qū)動(dòng)式高頻次基板結(jié)構(gòu)，具有一次基板本體，其特征在于：該次基板本體的正面設(shè)置有一第一訊號墊區(qū)以及一第二訊號墊區(qū)，該第一訊號墊區(qū)及該第二訊號墊區(qū)相互對稱由該次基板本體的兩側(cè)朝中間的方向延伸，并于該第一訊號墊區(qū)延伸方向的末端及該第二訊號墊區(qū)延伸方向的末端間相當(dāng)靠近但保持一間隔，該第一訊號墊區(qū)用以設(shè)置半導(dǎo)體晶片，并于該第二訊號墊區(qū)上設(shè)置一跳線連接至該半導(dǎo)體晶片的電極，于該第一訊號墊區(qū)及該第二訊號墊區(qū)的兩側(cè)分別具有共面波導(dǎo)的接地墊區(qū)，該次基板本體的內(nèi)層或底側(cè)具有一接地層或結(jié)合于一接地層上。

其中，該次基板本體為陶瓷散熱基板。

其中，該次基板本體為氮化鋁或氧化鋁制成。

其中，該跳線為金線緞帶或金線。

還公開了一種雙端驅(qū)動(dòng)式高頻傳輸結(jié)構(gòu)，包含有：

一主基板；

一次基板，設(shè)置于該主基板上，該次基板具有一次基板本體，其特征在于：

該次基板本體的正面設(shè)置有一第一訊號墊區(qū)以及一第二訊號墊區(qū)，該第一訊號墊區(qū)及該第二訊號墊區(qū)相互對稱由該次基板本體的兩側(cè)朝中間的方向延伸，并于該第一訊號墊區(qū)延伸方向的末端及該第二訊號墊區(qū)延伸方向的末端間相當(dāng)靠近但保持一間隔，該第一訊號墊區(qū)設(shè)置半導(dǎo)體晶片，并于該第二訊號墊區(qū)上設(shè)置一跳線連接至該半導(dǎo)體晶片的電極，于該第一訊號墊區(qū)及該第二訊號墊區(qū)的兩側(cè)分別具有共面波導(dǎo)的第一接地墊區(qū)，并于該次基板本體的內(nèi)層或底側(cè)具有一第一接地層，經(jīng)由該第一接地墊區(qū)上的一或多個(gè)過孔穿過該次基板本體以電性連接該第一接地墊區(qū)及該第一接地層；以及

一電路板，設(shè)置于該主基板上，該電路板的二側(cè)具有一第一金屬墊區(qū)以及一第二金屬墊區(qū)，于該第一金屬墊區(qū)及該第二金屬墊區(qū)的兩側(cè)分別具有共面波導(dǎo)的第二接地墊區(qū)，并于該電路板的內(nèi)層或底側(cè)具有一第二接地層，經(jīng)由該第二接地墊區(qū)上的一或多個(gè)過孔穿過該電路板以電性連接該第二接地墊區(qū)及該第二接地層，該第一金屬墊區(qū)透過電性連接手段連接至該第一訊號墊區(qū)，該第二金屬墊區(qū)透過電性連接手段連接至該第二訊號墊區(qū)。

還公開了一種雙端驅(qū)動(dòng)式高頻傳輸結(jié)構(gòu)，包含有：

一主基板，其上具有一接地層；

一次基板，設(shè)置于該主基板的接地層上，該次基板具有一次基板本體，其特征在于：該次基板本體的正面設(shè)置有一第一訊號墊區(qū)以及一第二訊號墊區(qū)，該第一訊號墊區(qū)及該第二訊號墊區(qū)相互對稱由該次基板本體的兩側(cè)朝中間的方向延伸，并于該第一訊號墊區(qū)延伸方向的末端及該第二訊號墊區(qū)延伸方向的末端間相當(dāng)靠近但保持一間隔，該第一訊號墊區(qū)用以設(shè)置半導(dǎo)體晶片，并于該第二訊號墊區(qū)上設(shè)置一跳線連接至該半導(dǎo)體晶片的電極，于該第一訊號墊區(qū)及該第二訊號墊區(qū)的兩側(cè)分別具有共面波導(dǎo)的第一接地墊區(qū)；以及

一電路板，設(shè)置于該主基板上，該電路板的二側(cè)具有一第一金屬墊區(qū)以及一第二金屬墊區(qū)，于該第一金屬墊區(qū)及該第二金屬墊區(qū)的兩側(cè)分別具有共面波導(dǎo)的第二接地墊區(qū)，并于該電路板的內(nèi)層或底側(cè)具有一第二接地層，經(jīng)由該第二接地墊區(qū)上的一或多個(gè)過孔穿過該電路板以電性連接該第二接地墊區(qū)及該第二接地層，該第一金屬墊區(qū)透過電性連接手段連接至該第一訊號墊區(qū)，該第二金屬墊區(qū)透過電性連接手段連接至該第二訊號墊區(qū)，且該第二接地層電性連接至該主基板上的該接地層。

其中，該第一接地墊區(qū)透過電性連接手段連接至該第二接地墊區(qū)。

其中，該次基板本體為陶瓷散熱基板。

其中，該陶瓷散熱基板為氮化鋁或氧化鋁制成。

其中，該電性連接手段為連接至二端墊區(qū)的跳線。

其中，該第一金屬墊區(qū)及該第二金屬墊區(qū)分別連接至差動(dòng)放大器的二輸出端。

其中，該跳線為金線緞帶或金線。

其中，該電路板為硬式印刷電路板、軟式印刷電路板或陶瓷電路板。

其中，該陶瓷電路板為氮化鋁或氧化鋁制成。

還公開了一種雙端驅(qū)動(dòng)式高頻傳輸結(jié)構(gòu)，包含有：

一基座，包含有一座本體、以及二穿過該座本體的電極腳位，該電極腳位分別與該座本體之間具有一絕緣層；以及

一次基板，垂直設(shè)置于該座本體上，該次基板具有一次基板本體，其特征在于：該次基板本體于垂直方向上的一側(cè)設(shè)置有一第一訊號墊區(qū)以及一第二訊號墊區(qū)，該第一訊號墊區(qū)及該第二訊號墊區(qū)分別與二該電極腳位電性連接，于該次基板本體垂直方向上的另一側(cè)或該次基板本體的內(nèi)層設(shè)置有一接地層，該第一訊號墊區(qū)及該第二訊號墊區(qū)相互對稱由該次基板本體的兩側(cè)朝中間的方向延伸，并于該第一訊號墊區(qū)延伸方向的末端及該第二訊號墊區(qū)延伸方向的末端間相當(dāng)靠近但保持一間隔，該第一訊號墊區(qū)用以設(shè)置半導(dǎo)體晶片，并于該第二訊號墊區(qū)上設(shè)置一跳線連接至該半導(dǎo)體晶片的電極，于該第一訊號墊區(qū)及該第二訊號墊區(qū)的兩側(cè)分別具有共面波導(dǎo)的接地墊區(qū)。

其中，該基座上包含有一垂直于該座本體的芯柱，該芯柱于垂直方向上的一面具有一用以供該次基板本體一側(cè)平面固定結(jié)合的結(jié)合平面。

其中，該次基板包含有一設(shè)置于該次基板本體的側(cè)邊緣并電性連接兩側(cè)該接地墊區(qū)及該接地層的側(cè)鍍金層。

其中，該接地墊區(qū)上具有一或多個(gè)過孔穿過該次基板本體以電性連接該接地墊區(qū)及該接地層。

還公開了一種雙端驅(qū)動(dòng)式高頻傳輸結(jié)構(gòu)，包含有：

一基座，包含有一座本體、二穿過該座本體的電極腳位、以及一垂直于該座本體的芯柱，該電極腳位分別與該座本體之間具有一絕緣層，該芯柱于垂直方向上的一面具有一具有導(dǎo)電效果的結(jié)合平面；以及

一次基板，垂直設(shè)置于該座本體上，該次基板具有一次基板本體，其特征在于：該次基板本體于垂直方向上的一側(cè)設(shè)置有一第一訊號墊區(qū)以及一第二訊號墊區(qū)，該第一訊號墊區(qū)及該第二訊號墊區(qū)分別與二該電極腳位電性連接，于該次基板本體垂直方向上的另一側(cè)結(jié)合于該芯柱的結(jié)合平面上，該第一訊號墊區(qū)及該第二訊號墊區(qū)相互對稱由該次基板本體的兩側(cè)朝中間的方向延伸，并于該第一訊號墊區(qū)延伸方向的末端及該第二訊號墊區(qū)延伸方向的末端間相當(dāng)靠近但保持一間隔，該第一訊號墊區(qū)用以設(shè)置半導(dǎo)體晶片，并于該第二訊號墊區(qū)上設(shè)置一跳線連接至該半導(dǎo)體晶片的電極，于該第一訊號墊區(qū)及該第二訊號墊區(qū)的兩側(cè)分別具有共面波導(dǎo)的接地墊區(qū)。

其中，該次基板包含有一設(shè)置于該次基板本體的側(cè)邊緣并電性連接兩側(cè)該接地墊區(qū)及該接地層的側(cè)鍍金層。

其中，該接地墊區(qū)上具有一或多個(gè)過孔穿過該次基板本體以電性連接該接地墊區(qū)及該接地層。

其中，該次基板本體為陶瓷散熱基板。

其中，該陶瓷散熱基板為氮化鋁或氧化鋁制成。

其中，該跳線為金線緞帶或金線。

是以，本實(shí)用新型比起習(xí)知技術(shù)具有以下的優(yōu)勢功效：

1.本實(shí)用新型具有優(yōu)異高頻傳輸特性，比起習(xí)知的技術(shù)更能減少損耗或信號失真的現(xiàn)象。

2.本實(shí)用新型采用雙端驅(qū)動(dòng)的技術(shù)，可以減少信號傳輸中的反射現(xiàn)象，并可省略用以阻抗匹配的電阻。

3.本實(shí)用新型具有優(yōu)異散熱效果，避免半導(dǎo)體元件熱能累積過多影響元件的正常運(yùn)作。

附圖說明

圖1，本實(shí)用新型第一實(shí)施態(tài)樣的外觀示意圖。

圖2，本實(shí)用新型第一實(shí)施態(tài)樣的俯視圖。

圖3，本實(shí)用新型第一實(shí)施態(tài)樣的剖面示意圖。

圖4，本實(shí)用新型第一實(shí)施態(tài)樣的電路示意圖。

圖5，本實(shí)用新型第二實(shí)施態(tài)樣的外觀示意圖。

圖6，本實(shí)用新型第二實(shí)施態(tài)樣的剖面示意圖。

圖7，本實(shí)用新型第三實(shí)施態(tài)樣的外觀示意圖。

圖8，本實(shí)用新型第三實(shí)施態(tài)樣的正面示意圖。

圖9，本實(shí)用新型第三實(shí)施態(tài)樣的俯面示意圖。

圖10，本實(shí)用新型第三實(shí)施態(tài)樣的剖面示意圖。

圖11，本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施態(tài)樣的剖面示意圖。

圖12，本實(shí)用新型GCPW次基板配合GCPW電路板(A)與一般微帶線次基板配合微帶線電路板(B)的反射損失實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖。

圖13，本實(shí)用新型GCPW次基板配合GCPW電路板(A)與一般微帶線次基板配合微帶線電路板(B)的插入損失實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖。

圖14，本實(shí)用新型GCPW次基板配合GCPW電路板(A)與一般微帶線次基板配合微帶線電路板(B)的訊號于25Gbps實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖。

圖15，本實(shí)用新型GCPW次基板配合GCPW電路板(A)與一般微帶線次基板配合微帶線電路板(B)的訊號于35Gbps實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖。

圖16，本實(shí)用新型GCPW次基板配合GCPW電路板(A)與一般微帶線次基板配合微帶線電路板(B)的訊號于40Gbps實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖。

具體實(shí)施方式

有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說明及技術(shù)內(nèi)容，現(xiàn)就配合圖式說明如下。再者，本實(shí)用新型中的圖式，為說明方便，其比例未必照實(shí)際比例繪制，該等圖式及其比例并非用以限制本實(shí)用新型的范圍，在此先行敘明。

本實(shí)用新型提供一種雙端驅(qū)動(dòng)式驅(qū)動(dòng)電路，用以配合光通訊模組進(jìn)行高頻訊號傳輸。為配合高頻訊號傳輸，于搭載半導(dǎo)體晶片的次基板上具有接地共面波導(dǎo)(Grounded Coplanar Waveguide,GCPW)的訊號傳輸線，用以于高頻傳輸時(shí)抑制寄生效應(yīng)的產(chǎn)生，藉以避免阻抗匹配不連續(xù)以及雜訊的產(chǎn)生。于本實(shí)施態(tài)樣中，另外于軟式電路板(Flexible Printed Circuit,FPC)或硬式電路板(Printed Circuit Board,PCB)的部分同步采用接地共面波導(dǎo)(GCPW)的訊號傳輸線，經(jīng)多次試驗(yàn)的結(jié)果證實(shí)，軟式電路板(或電路板)及次基板均采用接地共面波導(dǎo)(GCPW)的訊號傳輸線時(shí)，將可獲得較佳的訊號連結(jié)效果，于雙端驅(qū)動(dòng)式的驅(qū)動(dòng)電路中，可改善訊號傳輸線與半導(dǎo)體晶片間跳線的訊號連續(xù)性，后面將輔以實(shí)際的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)作為佐證進(jìn)行說明。以下先針對本實(shí)用新型一較佳實(shí)施態(tài)樣的詳細(xì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。

請先參閱「圖1」、「圖2」及「圖3」，為本實(shí)用新型第一實(shí)施態(tài)樣的外觀示意圖、俯視圖、及剖面示意圖，如圖所示：

本實(shí)施態(tài)樣中提供的高頻傳輸結(jié)構(gòu)100主要包含有一主基板10、一設(shè)置于該主基板10上的次基板20、以及一設(shè)置于該主基板10上并電性連接至該次基板20的電路板30。

所述的主基板10可以為硬式電路板(Printed Circuit Board,PCB)、或是陶瓷電路板(ceramic board)、亦或是單純用以支撐次基板20及電路板30的板件或殼體等，于本實(shí)用新型中不予以限制。

所述的次基板20設(shè)置于該主基板10上，該次基板20較佳可透過導(dǎo)熱膠、導(dǎo)電膠、銀膠、或透過材質(zhì)AuSn的材料熔接的方式固定于該主基板10上，于本實(shí)用新型中不予以限制。該次基板20具有一次基板本體21，于該次基板本體21的正面設(shè)置有一第一訊號墊區(qū)211以及一第二訊號墊區(qū)212，該第一訊號墊區(qū)211及該第二訊號墊區(qū)212相互對稱由該次基板本體21的兩側(cè)朝中間的方向延伸，并于該第一訊號墊區(qū)211延伸方向的末端及該第二訊號墊區(qū)212延伸方向的末端間相當(dāng)靠近但保持一間隔213，該第一訊號墊區(qū)211用以設(shè)置半導(dǎo)體晶片22，并于該第二訊號墊區(qū)212上設(shè)置一跳線23連接至該半導(dǎo)體晶片22上側(cè)的電極，于該半導(dǎo)體晶片22下側(cè)的電極電性連接至下側(cè)的第一訊號墊區(qū)211，透過該第一訊號墊區(qū)211及該第二訊號墊區(qū)212間的差動(dòng)訊號驅(qū)動(dòng)該半導(dǎo)體晶片22。其中，上述的「對稱」于較佳實(shí)施態(tài)樣為兩側(cè)金屬墊區(qū)(第一訊號墊區(qū)211、第二訊號墊區(qū)212)的布局及形狀相同，但不限于上述的方式。明確的說，只要二側(cè)的第一訊號墊區(qū)211及第二訊號墊區(qū)212達(dá)到符合阻抗匹配要求的對稱即可，并不一定必須兩側(cè)金屬墊區(qū)的布局及形狀完全相同。另外，為增加訊號的連續(xù)性，該跳線23較佳可以為緞帶金線。于另一較佳實(shí)施態(tài)樣中，所述的半導(dǎo)體晶片22亦可以設(shè)置于第二訊號墊區(qū)212，并于該第一訊號墊區(qū)211上設(shè)置一跳線23連接至該半導(dǎo)體晶片22上側(cè)的電極，所述的配置型式亦為本實(shí)用新型的均等實(shí)施態(tài)樣。

請一并參閱「圖3」，該第一訊號墊區(qū)211及該第二訊號墊區(qū)212透過接地共面波導(dǎo)(GCPW)的方式增加高頻訊號穩(wěn)定性，用以提升高頻訊號的傳輸效果。于該第一訊號墊區(qū)211及該第二訊號墊區(qū)212的兩側(cè)分別具有共面波導(dǎo)的第一接地墊區(qū)214及第一接地墊區(qū)215，于該次基板本體21的底側(cè)具有一第一接地層216，經(jīng)由該第一接地墊區(qū)214、215上的一或多個(gè)過孔217(via hole)穿過該次基板本體以電性連接該第一接地墊區(qū)214、215及該第一接地層216。于另一較佳實(shí)施態(tài)樣中，所述的第一接地層216亦可設(shè)置于該次基板本體21的內(nèi)層，于本實(shí)用新型中不予以限制。除上述的實(shí)施態(tài)樣外，又于另一實(shí)施態(tài)樣中，該第一接地層216可以由主基板10上的接地層11所取代，于本實(shí)用新型中不予限制。

為增加散熱的效果，該次基板20的次基板本體21較佳可以為陶瓷散熱基板，例如氧化鋁(Al₂O₃)、氮化鋁(AlN)或參雜有氧化鋁(Al₂O₃)或氮化鋁(AlN)的材料制成。透過上述的材料，次基板20的熱可經(jīng)由主基板10快速散熱至殼體(圖未示)，于主基板10上可對應(yīng)設(shè)置配合該次基板20的熱導(dǎo)引機(jī)構(gòu)，于本實(shí)用新型中不予以限制。

所述的電路板30的二側(cè)具有一第一金屬墊區(qū)31以及一第二金屬墊區(qū)32，于該第一金屬墊區(qū)31及該第二金屬墊區(qū)32的兩側(cè)分別具有共面波導(dǎo)的第二接地墊區(qū)33、及第二接地墊區(qū)34，該第一金屬墊區(qū)31透過電性連接手段311連接至該第一訊號墊區(qū)211，該第二金屬墊區(qū)32透過電性連接手段321連接至該第二訊號墊區(qū)212，該第二接地墊區(qū)33透過電性連接手段331連接至該第一接地墊區(qū)215，該第二接地墊區(qū)34透過電性連接手段341連接至該第一接地墊區(qū)214。于該電路板30的內(nèi)層或底側(cè)具有一第二接地層35，經(jīng)由該第二接地墊區(qū)33、34上的一或多個(gè)過孔36穿過該基板本體21以電性連接該第二接地墊區(qū)33、34及該第二接地層35。于一較佳實(shí)施態(tài)樣中，該電性連接手段311、321、331、341為連接至二端墊區(qū)的跳線。為增加訊號的連續(xù)性，該跳線23較佳可以為緞帶金線。另外，該電性連接手段311、321、331、341除了可以為連接兩墊區(qū)的跳線外，亦可以為焊球或其他類此的電性結(jié)合方式，于本實(shí)用新型中不予以限制。所述的電路板30可以為硬式印刷電路板(PCB)、軟式印刷電路板(FPC)或陶瓷電路板。該陶瓷電路板例如可以為氮化鋁(AlN)或氧化鋁(Al₂O₃)。

接續(xù)，請參閱「圖4」，本實(shí)施態(tài)樣的次基板20以雙端驅(qū)動(dòng)的方式將訊號饋送至半導(dǎo)體晶片22。于電路板30的前端設(shè)置有ESD保護(hù)電路B1及差分驅(qū)動(dòng)電路B2，輸入訊號經(jīng)由ESD保護(hù)電路B1饋入至差分驅(qū)動(dòng)電路B2的輸入端，經(jīng)由差分驅(qū)動(dòng)電路B2將輸入差分訊號轉(zhuǎn)換為放大后差分訊號輸出，以將差分訊號分別經(jīng)由該電路板30的第一訊號墊區(qū)211及該第二訊號墊區(qū)212饋入至該半導(dǎo)體晶片22。所述的半導(dǎo)體晶片22于收到差動(dòng)訊號時(shí)，藉由該差動(dòng)訊號驅(qū)動(dòng)以送出負(fù)載有訊號的光波束，并將該光波束導(dǎo)入光纖(圖未示)以進(jìn)行光通訊。

以下針對本實(shí)用新型的第二實(shí)施態(tài)樣進(jìn)行說明，請參閱「圖5」及「圖6」，本實(shí)用新型第二實(shí)施態(tài)樣的外觀示意圖及剖面示意圖，如圖所示：

本實(shí)施態(tài)樣與第一實(shí)施態(tài)樣的主要差異在于次基板的設(shè)計(jì)，其余相同部分，以下即不再予以贅述。

于本實(shí)施態(tài)樣中所揭示的雙端驅(qū)動(dòng)式高頻傳輸結(jié)構(gòu)200，其次基板20A設(shè)置于該主基板10A上，該次基板20A具有一次基板本體21A，于該次基板本體21A的正面設(shè)置有一第一訊號墊區(qū)211A以及一第二訊號墊區(qū)212A，該第一訊號墊區(qū)211A及該第二訊號墊區(qū)212A相互對稱由該次基板本體21A的兩側(cè)朝中間的方向延伸，并于該第一訊號墊區(qū)211A延伸方向的末端及該第二訊號墊區(qū)212A延伸方向的末端間相當(dāng)靠近但保持一間隔213A。該第一訊號墊區(qū)211A用以設(shè)置半導(dǎo)體晶片22，并于該第二訊號墊區(qū)212A上設(shè)置一跳線23連接至該半導(dǎo)體晶片22上側(cè)的電極，于該半導(dǎo)體晶片22下側(cè)的電極電性連接至下側(cè)的第一訊號墊區(qū)212A，透過該第一訊號墊區(qū)211A及該第二訊號墊區(qū)212A間的差動(dòng)訊號驅(qū)動(dòng)該半導(dǎo)體晶片22。

本實(shí)施態(tài)樣中，同樣透過接地共面波導(dǎo)(GCPW)的方式增加高頻訊號穩(wěn)定性，提升高頻訊號的傳輸效果。與前一實(shí)施態(tài)樣的主要差異在于該第一訊號墊區(qū)211A及該第二訊號墊區(qū)212A兩側(cè)的第一接地墊區(qū)214A及第一接地墊區(qū)215A未設(shè)置過孔，而令該次基板20A的第一接地層216A經(jīng)由該主基板10A上的接地層11A連接至該電路板30的第二接地層35，使該次基板20A的第一接地層216A與該電路板30的第二接地層35共用接地線路，同樣能達(dá)到減少損耗或信號失真的效果。除上述的實(shí)施態(tài)樣外，又于另一實(shí)施態(tài)樣中，該第一接地層216A可以由主基板10A上的接地層11A所取代，于本實(shí)用新型中不予以限制。

于本實(shí)施態(tài)樣中，所述的接地層11A可以為例如設(shè)置于該主基板上的線路布局、設(shè)置于該主基板上的金屬箔片、設(shè)置于主基板上的焊料、鍍層等或其他直接設(shè)置于主基板上的機(jī)構(gòu)，于本實(shí)用新型中，不欲限制該接地層11A的實(shí)施型態(tài)。

以下針對本實(shí)用新型的第三實(shí)施態(tài)樣進(jìn)行說明，請參閱「圖7」、「圖8」及「圖9」，本實(shí)用新型第三實(shí)施態(tài)樣的外觀示意圖、正面示意圖、及俯面示意圖，如圖所示：

本實(shí)施態(tài)樣與第一實(shí)施態(tài)樣及第二實(shí)施態(tài)樣的主要差異在于次基板的設(shè)置方式。

本實(shí)施態(tài)樣中所揭示的雙端驅(qū)動(dòng)式高頻傳輸結(jié)構(gòu)300主要包含有一基座40、以及安裝于該基座上的次基板20B。

所述的基座40包含有一座本體41、二穿過該座本體41的電極腳位42、以及一穿過該座本體41的擴(kuò)充腳位45，該電極腳位42及該擴(kuò)充腳位45分別與該座本體41之間具有一絕緣層43。于一較佳實(shí)施態(tài)樣中，該基座40上包含有一垂直于該座本體41的芯柱44，該芯柱44于垂直方向上的一面具有一用以供該次基板20B一側(cè)平面固定結(jié)合的結(jié)合平面。于另一較佳實(shí)施態(tài)樣中，該次基板20B可以透過其他定位手段垂直固定于該座本體41上，例如焊接、黏著、插設(shè)或透過其他方式固定于該座本體上，于本實(shí)用新型中不予以限制。

該次基板20B具有一次基板本體21B，于該次基板本體21B的正面設(shè)置有一第一訊號墊區(qū)211B以及一第二訊號墊區(qū)212B，該第一訊號墊區(qū)211B及該第二訊號墊區(qū)212B相互對稱由該次基板本體21B的兩側(cè)朝中間的方向延伸，并于該第一訊號墊區(qū)211B延伸方向的末端及該第二訊號墊區(qū)212B延伸方向的末端間相當(dāng)靠近但保持一間隔213B。該第一訊號墊區(qū)211B用以設(shè)置半導(dǎo)體晶片22，并于該第二訊號墊區(qū)212B上設(shè)置一跳線23連接至該半導(dǎo)體晶片22上側(cè)的電極，于該半導(dǎo)體晶片22下側(cè)的電極電性連接至下側(cè)的第一訊號墊區(qū)211B，透過該第一訊號墊區(qū)211B及該第二訊號墊區(qū)212B間的差動(dòng)訊號驅(qū)動(dòng)該半導(dǎo)體晶片22。本實(shí)施態(tài)樣透過接地共面波導(dǎo)(GCPW)的方式增加高頻訊號穩(wěn)定性，于該第一訊號墊區(qū)211B及該第二訊號墊區(qū)212B的兩側(cè)分別具有共面波導(dǎo)的接地墊區(qū)214B及接地墊區(qū)215B。

其中，該次基板20B垂直設(shè)置于該座本體41上，該次基板本體21B于垂直方向上的一側(cè)的第一訊號墊區(qū)211B以及第二訊號墊區(qū)212B分別與二該電極腳位42電性連接。具體而言，該第一訊號墊區(qū)211B及該第二訊號墊區(qū)212B可以透過焊接的方式或是透過其他電性連接手段(例如跳線)與二該電極腳位42電性連接，于本實(shí)用新型中不予以限制。于該次基板本體21B垂直方向上的另一側(cè)或該次基板本體21B的內(nèi)層設(shè)置有一接地層216B，為連接該接地層216B及次基板本體21B正面的接地墊區(qū)214B、215B，如圖10所示，該接地墊區(qū)214B、215B上具有一或多個(gè)過孔217穿過該次基板本體21B以電性連接該接地墊區(qū)214B、215B及該接地層216B。于另一較佳實(shí)施態(tài)樣中，如圖11所示，該次基板20B包含有一設(shè)置于該次基板本體21B的側(cè)邊緣并電性連接兩側(cè)該接地墊區(qū)214B、215B及該接地層216B的側(cè)鍍金層218B，透過該側(cè)鍍金層218B將接地墊區(qū)214B、215B及該接地層216B共同連接至該座本體41作為接地，藉此抑制寄生電容的產(chǎn)生。

于另一較佳實(shí)施態(tài)樣中，該次基板20B可以不須設(shè)置該接地層216B，透過底側(cè)的芯柱44作為接地取代該接地層216B，并將前側(cè)的接地墊區(qū)214B、215B與底側(cè)的座本體41(例如透過上述的側(cè)鍍金層218B、焊接)或垂直方向一側(cè)芯柱44(例如透過上述的過孔217B)電性連接，同樣能達(dá)到抑制寄生電容的效果。

以下配合試驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行說明，請一并參閱「圖12」至「圖16」，揭示本實(shí)用新型GCPW次基板配合GCPW電路板(A)及一般微帶線次基板配合微帶線電路板(B)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖，如圖所示：

圖12至圖16中的實(shí)驗(yàn)組為如本實(shí)用新型中所提實(shí)施態(tài)樣的具有GCPW線路的次基板20配合具有GCPW線路的電路板30所獲得的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，對照組為一般微帶線次基板配合微帶線電路板的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，實(shí)驗(yàn)組的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對應(yīng)至圖式中的(A)，對照組的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對應(yīng)至圖式中的(B)，在此先行說明。實(shí)驗(yàn)組(A)經(jīng)由電路板30的第一金屬墊區(qū)31及第二金屬墊區(qū)32饋入訊號，并由第一訊號墊區(qū)211及跳線23作為輸出端獲得檢測訊號。對照組(B)經(jīng)由微帶線電路板的訊號線饋入，并經(jīng)由微帶線的次基板的訊號線作為輸出端獲得檢測訊號。

請先參閱圖12，于圖式中實(shí)線代表實(shí)驗(yàn)組(A)，虛線代表對照組(B)，圖式中的垂直軸為反射損失(單位：dB)、水平軸為頻率(單位：GHz)。由圖式中可知，在輸入的訊號為高頻訊號時(shí)(20GHz至40GHz以上)，由圖表數(shù)據(jù)可知反射損失的倍數(shù)單位(dB)可以獲得明顯的下降。

請續(xù)參閱圖13，于圖式中實(shí)線代表實(shí)驗(yàn)組(A)，虛線代表對照組(B)，圖式中的垂直軸為插入損失(單位：dB)、水平軸為頻率(單位：GHz)。由圖式中可知，在輸入的訊號為高頻訊號時(shí)(20GHz至40GHz以上)，實(shí)驗(yàn)組的倍數(shù)單位(dB)相較于對照組的倍數(shù)單位高出非常多，由圖表數(shù)據(jù)可知插入損失相對獲得明顯的下降。

請續(xù)參閱圖14，圖式中左側(cè)的為實(shí)驗(yàn)組(A)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，右側(cè)的為對照組(B)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，圖式中的垂直軸為訊號振幅(單位：伏特)、水平軸為時(shí)間(單位：秒)。于饋入訊號的位元速率為25Gbps時(shí)，實(shí)驗(yàn)組(A)的輸出訊號維持在合理值，相對應(yīng)的對照組(B)受到些微結(jié)構(gòu)上插入損失的影響，訊號的波形相對實(shí)驗(yàn)組(A)較不穩(wěn)定，但已可以分辨出訊號之間的差異性。

請續(xù)參閱圖15，圖式中左側(cè)的為實(shí)驗(yàn)組(A)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，右側(cè)的為對照組(B)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，圖式中的垂直軸為訊號振幅(單位：伏特)、水平軸為時(shí)間(單位：秒)。于饋入訊號的位元速率為35Gbps時(shí)，實(shí)驗(yàn)組(A)的輸出訊號仍維持在合理值，相對應(yīng)的對照組(B)的訊號波形受到較多結(jié)構(gòu)上插入損失的影響，訊號的波形相對實(shí)驗(yàn)組(A)更明顯不穩(wěn)定，雜訊所造成的振幅趨近于0.5V，對照組(B)訊號雜訊比相對低許多。

請續(xù)參閱圖16，圖式中左側(cè)的為實(shí)驗(yàn)組(A)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，右側(cè)的為對照組(B)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，圖式中的垂直軸為訊號振幅(單位：伏特)、水平軸為時(shí)間(單位：秒)。于饋入訊號的位元速率為40Gbps時(shí)，實(shí)驗(yàn)組(A)的輸出訊號尚維持在合理值，但相對應(yīng)的對照組(B)的訊號波形已經(jīng)難以辨識，雜訊所造成的振幅已趨近于0.6V，對照組(B)的訊號雜訊比非常的低。

由圖12至圖16的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可知，本實(shí)用新型實(shí)施態(tài)樣使用GCPW的次基板及電路板，于饋入高頻訊號時(shí)明顯較對照組的實(shí)施態(tài)樣可有效抑制雜訊、并降低反射損失及插入損失的產(chǎn)生。

綜上所述，本實(shí)用新型具有優(yōu)異高頻傳輸特性，比起習(xí)知的技術(shù)更能減少損耗或信號失真的現(xiàn)象。此外，本實(shí)用新型采用雙端驅(qū)動(dòng)的技術(shù)，可以減少信號傳輸中的反射現(xiàn)象，并可省略用以阻抗匹配的電阻。再者，本實(shí)用新型具有優(yōu)異散熱效果，避免熱能累積過多影響電子元件的正常運(yùn)作。

以上已將本實(shí)用新型做一詳細(xì)說明，惟以上所述，僅惟本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能以此限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，即凡依本實(shí)用新型申請專利范圍所作的均等變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型的專利涵蓋范圍內(nèi)。