1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：襯底和設(shè)置在所述襯底上的由金屬氧化物構(gòu)成的有源層，所述有源層與柵極疊層相毗鄰；所述有源層部分區(qū)域上覆蓋有電極；所述電極與所述有源層之間還包括第一絕緣層，所述第一絕緣層的厚度小于含氧元素的物質(zhì)在所述第一絕緣層中的擴(kuò)散長(zhǎng)度；所述電極上覆蓋有第二絕緣層，所述第二絕緣層的厚度大于所述含氧元素的物質(zhì)在所述第二絕緣層中的擴(kuò)散長(zhǎng)度；所述有源層在所述第二絕緣層覆蓋下的區(qū)域分別形成源區(qū)和漏區(qū)，在非所述第二絕緣層覆蓋下的區(qū)域形成溝道區(qū)；所述源區(qū)、所述漏區(qū)與所述溝道區(qū)相互連接、且分別位于所述溝道區(qū)的兩端；所述源區(qū)、所述漏區(qū)和所述溝道區(qū)的連接面自對(duì)準(zhǔn)于所述第二絕緣層在所述有源層投影面積之內(nèi)的邊界的鉛垂面；所述源區(qū)、所述漏區(qū)的電阻率小于所述溝道區(qū)的電阻率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于，所述源區(qū)、所述漏區(qū)和所述溝道區(qū)之間是由退火形成的所述連接面，該連接面和所述第二絕緣層在所述有源層投影面積之內(nèi)的邊界的鉛垂面的間距小于所述有源層厚度的100倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道區(qū)與所述源區(qū)、所述漏區(qū)的電阻率比值大于1000倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于，所述第二絕緣層的厚度為所述含氧元素的物質(zhì)在所述第二絕緣層中擴(kuò)散長(zhǎng)度的2至100倍之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于，所述第一絕緣層是由氧化硅或氮氧化硅形成的絕緣層，所述第一絕緣層的厚度為10至3000納米；所述第二絕緣層由氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁或氧化鉿形成的絕緣層，所述第二絕緣層的厚度為10至3000納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極疊層設(shè)置在所述有源層與所述襯底之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層設(shè)置在所述柵極疊層和所述襯底之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極疊層包括柵極電極和柵極絕緣層，所述柵極電極的厚度小于所述含氧元素的物質(zhì)在所述柵極電極中的擴(kuò)散長(zhǎng)度，所述柵極絕緣層的厚度小于所述含氧元素的物質(zhì)在所述柵極絕緣層中的擴(kuò)散長(zhǎng)度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極電極是由氧化銦錫、氧化鋁鋅或氧化銦鋅形成的電極，所述柵極電極的厚度為10至3000納米；所述柵極絕緣層是由氧化硅或氮氧化硅形成的絕緣層，所述柵極絕緣層的厚度為10至3000納米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種薄膜晶體管，其特征在于，所述源區(qū)、所述漏區(qū)的電阻率小于10歐姆厘米，所述溝道區(qū)的電阻率大于10歐姆厘米。
11.一種顯示器面板，包括多組顯示模塊，其特征在于，所述顯示模塊包含權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述薄膜晶體管。