本實(shí)用新型涉及一種單晶圓旋轉(zhuǎn)蝕刻清洗機(jī)臺(tái)的流體收集裝置，尤其涉及一種利用上下作動(dòng)導(dǎo)引流體的蓋盤而可將不同流體分別收集于對(duì)應(yīng)的回收盤的流體收集裝置。

背景技術(shù)：

濕式蝕刻為目前半導(dǎo)體制程當(dāng)中不可或缺的程序之一，一般來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體單晶圓在濕式蝕刻的過(guò)程中會(huì)經(jīng)過(guò)多道蝕刻清洗的程序，例如，先以A酸進(jìn)行第一次蝕刻，接著以B酸進(jìn)行第二次蝕刻，最后再以去離子水沖洗洗凈，而基于成本考慮，所述使用過(guò)的蝕刻液需要進(jìn)行回收再利用，因此，現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)蝕刻裝置設(shè)有多個(gè)蝕刻液收集槽，通過(guò)將各該蝕刻液收集槽整體相對(duì)于放置單晶圓的轉(zhuǎn)盤上下作動(dòng)，或者將放置單晶圓的轉(zhuǎn)盤相對(duì)于蝕刻液收集槽上下作動(dòng)的方式，來(lái)分別收集不同的蝕刻液，以避免蝕刻液之間的混摻而造成污染或發(fā)生化學(xué)變化而造成危險(xiǎn)的情況。

若旋轉(zhuǎn)蝕刻裝置在操作上以將各該蝕刻液收集槽整體相對(duì)于放置單晶圓的轉(zhuǎn)盤上下作動(dòng)的方式(即單晶圓不動(dòng)而蝕刻液回收槽上下移動(dòng))，來(lái)收集不同的蝕刻液，則與各該蝕刻液收集槽連接的排液管只能采用軟式管，且需加泵以將收集到的蝕刻液輸送至回收桶，同時(shí)有不易清洗蝕刻液收集槽內(nèi)部的問(wèn)題，從而造成軟式管中殘留蝕刻液并因清洗不干凈而有造成污染的疑慮。

若旋轉(zhuǎn)蝕刻裝置在操作上以將放置單晶圓的轉(zhuǎn)盤及單晶圓整體相對(duì)于蝕刻液收集槽上下作動(dòng)的方式(即單晶圓上下移動(dòng)而蝕刻液收集槽不動(dòng))，來(lái)收集不同的蝕刻液，則有容易造成單晶圓的震動(dòng)而使其破裂的風(fēng)險(xiǎn)，也有不易清洗蝕刻液收集槽內(nèi)部的問(wèn)題。

基于上述現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)蝕刻裝置的蝕刻液收集槽的缺失，提供一種單晶圓旋轉(zhuǎn)蝕刻清洗機(jī)臺(tái)的流體收集裝置，以使該流體收集裝置具有排液管有多種選擇性且不需增加泵以將收集到的蝕刻液輸送至回收桶以及容易清洗該流體收集裝置內(nèi)部的優(yōu)點(diǎn)為本實(shí)用新型所欲積極揭露之處。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的主要目的在于改善現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)蝕刻裝置有蝕刻液回收管的形式可選擇性少及不易清洗蝕刻液回收槽內(nèi)部的問(wèn)題。

為達(dá)上述目的及其他目的，本實(shí)用新型提出一種單晶圓旋轉(zhuǎn)蝕刻清洗機(jī)臺(tái)的流體收集裝置，用于收集蝕刻單晶圓的流體，包含：轉(zhuǎn)盤，固定及旋轉(zhuǎn)單晶圓；至少一個(gè)回收盤，固設(shè)于該轉(zhuǎn)盤的外緣，用以收集該單晶圓旋轉(zhuǎn)時(shí)甩出的該流體；至少一個(gè)蓋盤，對(duì)應(yīng)并蓋設(shè)于該回收盤上，用以導(dǎo)引該流體流至該回收盤中；至少一個(gè)升降組，該升降組包括對(duì)稱的兩個(gè)升降單元，該升降組連設(shè)于該蓋盤，用以相對(duì)于該轉(zhuǎn)盤及該回收盤而上下作動(dòng)該蓋盤。

于本實(shí)用新型的實(shí)施例中，其中該蓋盤為環(huán)狀且中央部具有徑向開(kāi)口。

于本實(shí)用新型的實(shí)施例中，其中該徑向開(kāi)口與該轉(zhuǎn)盤的外周距離為1～10mm。

于本實(shí)用新型的實(shí)施例中，其中該徑向開(kāi)口與該轉(zhuǎn)盤的外周距離較佳為3～5mm。

于本實(shí)用新型的實(shí)施例中，其中該回收盤為環(huán)狀。

于本實(shí)用新型的實(shí)施例中，其中該蓋盤還具有導(dǎo)引頂壁及導(dǎo)引側(cè)壁，該導(dǎo)引頂壁為朝外方傾斜的環(huán)狀頂面，該導(dǎo)引側(cè)壁系為該蓋盤的側(cè)面，該導(dǎo)引側(cè)壁的一部分與該回收盤的側(cè)壁的一部分相互重迭。

于本實(shí)用新型的實(shí)施例中，其中該回收盤與該蓋盤的數(shù)目相等。

于本實(shí)用新型的實(shí)施例中，其中該回收盤連接回收管，用以排出該流體。

借此，本實(shí)用新型的流體收集裝置通過(guò)固定不動(dòng)的回收盤與轉(zhuǎn)盤及相對(duì)于回收盤及轉(zhuǎn)盤而可上下作動(dòng)的蓋盤，來(lái)完成導(dǎo)引不同的流體流至對(duì)應(yīng)的回收盤，并且由于回收盤固定不動(dòng)，因此連接該回收盤的回收管可選擇使用硬式管或軟式管，以及由于回收盤與蓋盤可分離，因此可容易地清洗該回收盤的內(nèi)部。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中的流體收集裝置的開(kāi)蓋示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例中的流體收集裝置的下視圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例中的流體收集裝置的截面示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例中的流體收集裝置的第一使用狀態(tài)截面示意圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例中的流體收集裝置的第二使用狀態(tài)截面示意圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例中的流體收集裝置的第三使用狀態(tài)截面示意圖；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例中的流體收集裝置的第四使用狀態(tài)截面示意圖。

【符號(hào)說(shuō)明】

1 流體收集裝置

10 轉(zhuǎn)盤

101 轉(zhuǎn)軸

11 回收盤

111 第一回收盤

112 第二回收盤

113 第三回收盤

114 第一回收盤側(cè)壁

115 第二回收盤側(cè)壁

116 第三回收盤側(cè)壁

12 回收管

121 第一回收管

122 第二回收管

123 第三回收管

13 通孔

131 第一通孔

131’ 第一通孔

132 第二通孔

132’ 第二通孔

133 第三通孔

133’ 第三通孔

14 蓋盤

141 第一蓋盤

141a 第一導(dǎo)引頂壁

141b 第一導(dǎo)引側(cè)壁

142 第二蓋盤

142a 第二導(dǎo)引頂壁

142b 第二導(dǎo)引側(cè)壁

143 第三蓋盤

143a 第三導(dǎo)引頂壁

143b 第三導(dǎo)引側(cè)壁

15 升降組

151 第一升降單元

151’ 第一升降單元

152 第二升降單元

152’ 第二升降單元

153 第三升降單元

153’ 第三升降單元

20 噴嘴

d 距離

W 單晶圓

具體實(shí)施方式

為充分了解本實(shí)用新型的目的、特征及功效，現(xiàn)通過(guò)下述具體的實(shí)施例，并配合附圖，對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，說(shuō)明如下：

請(qǐng)參考圖1至圖4，本實(shí)用新型的流體收集裝置1，用于收集單晶圓W旋轉(zhuǎn)蝕刻時(shí)甩出的流體，該流體收集裝置1包含轉(zhuǎn)盤10、至少一個(gè)回收盤11、至少一個(gè)蓋盤14及至少一個(gè)升降組15。

該轉(zhuǎn)盤10連設(shè)轉(zhuǎn)軸101，以固定及旋轉(zhuǎn)單晶圓W。

該回收盤11為環(huán)狀且固設(shè)于該轉(zhuǎn)盤的外緣，用以收集該單晶圓W旋轉(zhuǎn)時(shí)甩出的該流體，該回收盤11連接回收管12以排出該流體，該回收管12再連接回收桶(圖未示)以承接通過(guò)該回收管12排出的流體。

該回收盤11包括第一回收盤111、第二回收盤112及第三回收盤113，其中該第一回收盤111固設(shè)于最靠近該轉(zhuǎn)盤10，該第三回收盤113固設(shè)于最遠(yuǎn)離該轉(zhuǎn)盤10，該第二回收盤112固設(shè)于該第一回收盤111及該第三回收盤113之間。該第一回收盤111具有第一回收盤側(cè)壁114，該第二回收盤112具有第二回收盤側(cè)壁115，該第三回收盤113具有第三回收盤側(cè)壁116。該第一回收盤111、該第二回收盤112及該第三回收盤113的底部呈凹槽狀。該第一回收盤111、該第二回收盤112及該第三回收盤113分別連接第一回收管121、第二回收管122及第三回收管123，以分別排出不同的流體。

該蓋盤14為環(huán)狀且具有徑向開(kāi)口，以蓋設(shè)于該回收盤11上，用以導(dǎo)引該流體流至該回收盤11中。該蓋盤14包括第一蓋盤141、第二蓋盤142及第三蓋盤143，其中該第一蓋盤141對(duì)應(yīng)蓋設(shè)該第一回收盤111，該第二蓋盤142對(duì)應(yīng)蓋設(shè)該第二回收盤112，該第三蓋盤143對(duì)應(yīng)蓋設(shè)該第三回收盤113。該第一蓋盤141、該第二蓋盤142及該第三蓋盤143的徑向開(kāi)口與該轉(zhuǎn)盤10的外周的距離d可為1～10mm，較佳的距離d為3～5mm，以避免使用時(shí)因旋轉(zhuǎn)的該單晶圓W的離心力而朝外飛散的流體會(huì)噴濺至非對(duì)應(yīng)收集該流體的回收盤。

該第一蓋盤141具有第一導(dǎo)引頂壁141a及第一導(dǎo)引側(cè)壁141b，該第二蓋盤142具有第二導(dǎo)引頂壁142a及第二導(dǎo)引側(cè)壁142b，該第三蓋盤143具有第三導(dǎo)引頂壁143a及第三導(dǎo)引側(cè)壁143b。該第一導(dǎo)引頂壁141a、該第二導(dǎo)引頂壁142a及該第三導(dǎo)引頂壁143a為朝外方傾斜的環(huán)狀頂面，用以提供單晶圓W甩出的流體的撞擊，再將流體分別導(dǎo)引至該第一回收盤111、該第二回收盤112及該第三回收盤113。該第一導(dǎo)引側(cè)壁141b、該第二導(dǎo)引側(cè)壁142b及該第三導(dǎo)引側(cè)壁143b的一部分分別與該第一回收盤側(cè)壁114、該第二回收盤側(cè)壁115及該第三回收盤側(cè)壁116的一部分相互重迭，以確保單晶圓W甩出的流體不會(huì)滲出該第一回收盤111、該第二回收盤112及該第三回收盤113而造成流體之間的污染。

該升降組15包括第一升降組、第二升降組及第三升降組，其中該第一升降組包括對(duì)稱的第一升降單元151,151’，該第二升降組包括對(duì)稱的第二升降單元152,152’，該第三升降組包括對(duì)稱的第三升降單元153,153’。

該第一回收盤側(cè)壁114、該第二回收盤側(cè)壁115及該第三回收盤側(cè)壁116分別于同一徑向上設(shè)有一對(duì)第一通孔131,131’、第二通孔132,132’及第三通孔133,133’，以分別穿設(shè)第一升降單元151,151’、第二升降單元152,152’及第三升降單元153,153’。

第一升降單元151,151’、第二升降單元152,152’及第三升降單元153,153’分別穿過(guò)第一通孔131,131’、第二通孔132,132’及第三通孔133,133’，而與該第一導(dǎo)引側(cè)壁141b、該第二導(dǎo)引側(cè)壁142b及該第三導(dǎo)引側(cè)壁143b相連接，以將該第一蓋盤141、該第二蓋盤142及該第三蓋盤143相對(duì)于該第一回收盤111、該第二回收盤112、該第三回收盤113及該轉(zhuǎn)盤10而上下作動(dòng)。

以下將詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的流體收集裝置1于不同操作狀態(tài)時(shí)的作動(dòng)方式。以下，將假設(shè)第一回收盤111收集注入添加于單晶圓W的第一流體；第二回收盤112收集注入添加于單晶圓W的第二流體；第三回收盤113收集注入添加于單晶圓W的第三流體，其中該第一流體為混合酸，該第二流體為稀氫氟酸，該第三流體為去離子水。并假設(shè)整個(gè)蝕刻制程系是以依序?qū)尉AW注入混合酸、稀氫氟酸及去離子水為一個(gè)循環(huán)。

然而，在此須說(shuō)明的是，注入添加于單晶圓W的流體的順序并不限于上述，而是可以根據(jù)使用者的需求來(lái)設(shè)定各回收盤對(duì)應(yīng)收集不同的流體；并且，本實(shí)用新型的流體收集裝置1的回收盤的數(shù)量也不以三個(gè)為限，而可以為一個(gè)，或者更多個(gè)；該第一流體及該第二流體、該第三流體也不限于使用混合酸、稀氫氟酸及去離子水，而可以根據(jù)使用者的制程需求來(lái)使用不同的流體。

請(qǐng)參考圖4，其為流體收集裝置1于第一使用狀態(tài)的截面示意圖，其顯示單晶圓W載置時(shí)或卸除時(shí)的狀態(tài)。該第一蓋盤141、該第二蓋盤142及該第三蓋盤143的頂面位于比該轉(zhuǎn)盤10略低的位置，以便于放置或卸除單晶圓W。

請(qǐng)參考圖5，其為流體收集裝置1于第二使用狀態(tài)的截面示意圖。首先，單晶圓W置于該轉(zhuǎn)盤10上；接著，第一升降單元151,151’、第二升降單元152,152’及第三升降單元153,153’將該第一蓋盤141、該第二蓋盤142及該第三蓋盤143的頂面上升超過(guò)該轉(zhuǎn)盤10；接著，該轉(zhuǎn)盤20帶動(dòng)該單晶圓W旋轉(zhuǎn)；接著，噴嘴20朝該單晶圓W上注入混合酸以作第一次蝕刻，于此時(shí)，該混合酸因旋轉(zhuǎn)的該單晶圓W的離心力而朝外飛散，并撞擊至該第一導(dǎo)引頂壁141a或該第一導(dǎo)引側(cè)壁141b然后再流至該第一回收盤111以排出。

接著請(qǐng)參考圖6，其為流體收集裝置1于第三使用狀態(tài)的截面示意圖。使用該混合酸對(duì)該單晶圓W作第一次蝕刻后，再使用稀氫氟酸對(duì)該單晶圓W作第二次蝕刻。首先，第一升降單元151,151’將該第一蓋盤141的頂面下降至低于該轉(zhuǎn)盤10的位置，即前述第一使用狀態(tài)的位置；接著，該轉(zhuǎn)盤20帶動(dòng)該單晶圓W旋轉(zhuǎn)；接著，噴嘴20朝該單晶圓W上注入稀氫氟酸以作第二次蝕刻，于此時(shí)，該稀氫氟酸因旋轉(zhuǎn)的該單晶圓W的離心力而朝外飛散，并撞擊至該第二導(dǎo)引頂壁142a或該第二導(dǎo)引側(cè)壁142b然后再流至該第二回收盤112以排出。

接著請(qǐng)參考圖7，其為流體收集裝置1于第四使用狀態(tài)的截面示意圖。使用該稀氫氟酸對(duì)該單晶圓W作第二次蝕刻后，最后使用去離子水對(duì)該單晶圓W作洗凈的動(dòng)作。首先，第二升降單元152,152’將該第二蓋盤142的頂面下降至低于該轉(zhuǎn)盤10的位置，即前述第一使用狀態(tài)的位置；接著，該轉(zhuǎn)盤20帶動(dòng)該單晶圓W旋轉(zhuǎn)；接著，噴嘴20朝該單晶圓W上注入去離子水以洗凈，于此時(shí)，該去離子水因旋轉(zhuǎn)的該單晶圓W的離心力而朝外飛散，并撞擊至該第三導(dǎo)引頂壁143a或該第三導(dǎo)引側(cè)壁143b然后再流至該第三回收盤113以排出。此時(shí)，即完成整個(gè)蝕刻制程。然后第三升降單元153,153’將該第三蓋盤143的頂面下降至低于該轉(zhuǎn)盤10的位置，即前述第一使用狀態(tài)的位置，再將該單晶圓W于該轉(zhuǎn)盤10上取出。

綜上所述，本實(shí)用新型的單晶圓旋轉(zhuǎn)蝕刻清洗機(jī)臺(tái)的流體收集裝置用于分別收集蝕刻單晶圓的不同流體，通過(guò)固定不動(dòng)的回收盤與轉(zhuǎn)盤及相對(duì)于回收盤及轉(zhuǎn)盤而可上下作動(dòng)的蓋盤，來(lái)完成導(dǎo)引不同的流體流至對(duì)應(yīng)的回收盤，并且由于回收盤固定不動(dòng)，因此連接該回收盤的回收管可選擇使用硬式管或軟式管及不需增加泵將收集到的流體通過(guò)回收管輸送至回收桶，以及由于回收盤與蓋盤可分離，因此可容易地清洗該回收盤的內(nèi)部。

本實(shí)用新型在上文中已以較佳實(shí)施例揭露，然而熟習(xí)本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解的是，該實(shí)施例僅用于描繪本實(shí)用新型，而不應(yīng)解讀為限制本實(shí)用新型的范圍。應(yīng)注意的是，凡是與該實(shí)施例等效的變化與置換，均應(yīng)設(shè)為涵蓋于本實(shí)用新型的范疇內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。