本實(shí)用新型涉及一種集成門極可關(guān)斷晶閘管（IGTO）的封裝結(jié)構(gòu)，尤其多門極的集成門極可關(guān)斷晶閘管的封裝結(jié)構(gòu)，屬于電子器件封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

集成門極可關(guān)斷晶閘管（Integrated Gate Turn-off (IGTO) Thyristor）是在可關(guān)斷晶閘管（GTO）的基礎(chǔ)上研發(fā)的器件，門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)是一種大功率的電流型功率半導(dǎo)體器件，傳統(tǒng)的GTO開關(guān)速度很慢，開關(guān)頻率只有幾十赫茲。

傳統(tǒng)型的GTO封裝只有單一引出門極結(jié)構(gòu)，并且門極引線電感較大，直接將這種傳統(tǒng)的GTO和場效應(yīng)管（MOSFET）相連，較大的門極引線電感會限制IGTO器件開關(guān)時的電流變化率，從而限制IGTO器件的開關(guān)頻率，增加開關(guān)損耗；并且單一門極引出結(jié)構(gòu)也會在IGTO器件開關(guān)時刻造成器件內(nèi)部電流的不均衡分布，增加器件損壞的風(fēng)險。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提出一種多門極IGTO封裝結(jié)構(gòu)，將傳統(tǒng)單一門極引出的GTO封裝結(jié)構(gòu)更改為多個門極引出的GTO封裝結(jié)構(gòu)，同時和驅(qū)動電路板對稱連接，將它們以較低的引線電感方式連接；這種改良型的器件提高了IGTO器件的開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗，同時提升了器件的可靠性。

為實(shí)現(xiàn)以上技術(shù)目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：多門極IGTO封裝結(jié)構(gòu)，包括GTO器件和驅(qū)動電路板，所述GTO器件的門極和陰極與驅(qū)動電路板電連接，其特征在于：所述GTO器件四周均勻分布有若干個引線柱，所述引線柱與GTO器件的門極電連接，所述驅(qū)動電路板上設(shè)有與引線柱數(shù)目相同且對稱的第一電極，所述引線柱與第一電極連接。

進(jìn)一步地，所述GTO器件的頂部圓盤為陽極引出端，底部圓盤為陰極引出端；所述驅(qū)動電路板內(nèi)集成有第一MOS器件S₁、第二MOS器件S₂和第三MOS器件S₃，所述第一MOS器件S₁、第二MOS器件S₂和第三MOS器件S₃為電氣連接關(guān)系，所述驅(qū)動電路板中心圓盤為第二電極引出端，所述第二電極與第三MOS器件S₃的漏極相連，所述第二電極四周均勻分布有若干個第一電極，所述第一電極與第一MOS器件S₁、第二MOS器件S₂的漏極相連；所述GTO器件的陰極與驅(qū)動電路板的第二電極接觸式電連接。

進(jìn)一步地，所述第一電極上設(shè)有凹槽，所述GTO器件的門極通過引線柱卡入凹槽與驅(qū)動電路板的第一電極電連通。

進(jìn)一步地，所述第一電極上設(shè)有螺紋孔，所述螺紋孔為兩個，且分別位于凹槽兩側(cè)，所述第一電極通過螺釘穿過螺紋孔固定在驅(qū)動電路板上。

進(jìn)一步地，所述GTO器件的引線柱的數(shù)目至少為一個，相應(yīng)的驅(qū)動電路板上第一電極的數(shù)目也至少為一個。

進(jìn)一步地，所述驅(qū)動電路板內(nèi)還集成有輔助電源，所述輔助電源為整個驅(qū)動電路板供電。

進(jìn)一步地，還包括保護(hù)罩，所述保護(hù)罩罩在GTO器件和驅(qū)動電路板的非接觸區(qū)域。

從以上描述可以看出，本實(shí)用新型的有益效果在于：

1）將傳統(tǒng)型封裝的GTO單一門極引出結(jié)構(gòu)設(shè)計更改為多個門極引出封裝結(jié)構(gòu)，相應(yīng)的驅(qū)動電路板上設(shè)計相同數(shù)目且與多門極引線柱對稱的第一電極，使門極引線柱與第一電極相連，大幅降低了門極引線電感，提高了IGTO器件的開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗。

2）多個門極的引線柱均勻?qū)ΨQ分布，大幅降低了不均勻的分布雜散參數(shù)，有利于IGTO器件開關(guān)時刻器件電流的均勻分布，提升器件的可靠性。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型驅(qū)動電路板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實(shí)用新型GTO器件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實(shí)用新型GTO器件的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本實(shí)用新型的分解結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為本實(shí)用新型驅(qū)動電路板的第一電極的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7為本實(shí)用新型的等效電路圖。

附圖說明：1-GTO器件、101-引線柱、102-陽極、103-陰極、2-驅(qū)動電路板、201-第一電極、2011-凹槽、2012-螺紋孔、2013-螺釘、202-第二電極、203-保護(hù)罩。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。

實(shí)施例1為四門極IGTO封裝結(jié)構(gòu)，如圖1和圖5所示，包括GTO器件1和驅(qū)動電路板2，所述GTO器件1的門極和陰極與驅(qū)動電路板2電連接，其特征在于：所述GTO器件1四周均勻?qū)ΨQ分布有四個引線柱101，所述引線柱101與GTO器件1的門極電連接，所述驅(qū)動電路板2上設(shè)有與引線柱101數(shù)目相同且對稱的第一電極201，所述引線柱101與第一電極201連接；所述GTO器件1的陰極103與驅(qū)動電路板2的第二電極202接觸式電連接。

如圖2所示，所述驅(qū)動電路板2內(nèi)集成有第一MOS器件S₁、第二MOS器件S₂和第三MOS器件S₃，所述第一MOS器件S₁、第二MOS器件S₂和第三MOS器件S₃的電氣連接關(guān)系如圖7所示，所述驅(qū)動電路板2中心圓盤為第二電極202引出端，所述第二電極202與第三MOS器件S₃的漏極相連，所述第二電極202四周均勻分布有四個第一電極201，所述第一電極201與第一MOS器件S₁、第二MOS器件S₂的漏極相連；所述驅(qū)動電路板2內(nèi)還集成有輔助電源，所述輔助電源為整個驅(qū)動電路板2供電；還包括保護(hù)罩203，所述保護(hù)罩203罩在驅(qū)動電路板2和GTO器件1的非接觸區(qū)域。

如圖3和圖4所示，所述GTO器件1的頂部圓盤為陽極102引出端，底部圓盤為陰極103引出端，所述GTO器件1四周均勻?qū)ΨQ分布有四個引線柱101，所述引線柱101與GTO器件1的門極電連接；

如圖5和圖6所示，所述第一電極201上設(shè)有凹槽2011，所述GTO器件1的門極通過引線柱101卡入凹槽2011與驅(qū)動電路板2的第一電極201電連通；所述第一電極201上設(shè)有螺紋孔2012，所述螺紋孔2012為兩個，且分別位于凹槽2011兩側(cè)，所述第一電極201通過螺釘2013穿過螺紋孔2012固定在驅(qū)動電路板2上。

如圖7所示，為本實(shí)用新型的等效電路圖，驅(qū)動電路板2內(nèi)集成有第一MOS器件S₁、第二MOS器件S₂、第三MOS器件S₃和輔助電源，所述輔助電源與為整個電路供電，且與第一MOS器件S₁串聯(lián)，串聯(lián)后與第二MOS器件S₂并聯(lián)，GTO器件1的門極與第一MOS器件S₁、第二MOS器件S₂的漏極相連，陰極與第三MOS器件S₃的漏極相連。

本實(shí)用新型中GTO器件1的門極引線柱101的數(shù)目至少為一個，引線柱101數(shù)目為多個時為對稱均勻分布，相應(yīng)的驅(qū)動電路板2上第一電極201的數(shù)目也至少為一個，也為對稱均勻分布，使GTO器件1的門極引線柱101與驅(qū)動電路板2上第一電極201能夠?qū)ΨQ連接。

本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)型封裝的GTO單一門極引出結(jié)構(gòu)設(shè)計更改為多個門極引出封裝結(jié)構(gòu)，這種設(shè)計可以大幅降低GTO器件1的門極引線電感，并且可以使GTO器件1的門極與驅(qū)動電路板2的第一電極201對稱連接，確保IGTO器件具有分布一致的雜散參數(shù)，從而保證IGTO器件的電流在開關(guān)時刻能夠均勻分布，這種改良型的設(shè)計提高了IGTO器件的開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗，同時提升了器件的可靠性。

以上對本實(shí)用新型及其實(shí)施方式進(jìn)行了描述，該描述沒有限制性，附圖中所示的也只是本實(shí)用新型的實(shí)施方式之一，實(shí)際的結(jié)構(gòu)并不局限于此?？偠灾绻绢I(lǐng)域的普通技術(shù)人員受其啟示，在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造宗旨的情況下，不經(jīng)創(chuàng)造性的設(shè)計出與該技術(shù)方案相似的結(jié)構(gòu)方式及實(shí)施例，均應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。