技術(shù)編號(hào):11921820
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種集成門極可關(guān)斷晶閘管(IGTO)的封裝結(jié)構(gòu),尤其多門極的集成門極可關(guān)斷晶閘管的封裝結(jié)構(gòu),屬于電子器件封裝技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)集成門極可關(guān)斷晶閘管(IntegratedGateTurn-off(IGTO)Thyristor)是在可關(guān)斷晶閘管(GTO)的基礎(chǔ)上研發(fā)的器件,門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)是一種大功率的電流型功率半導(dǎo)體器件,傳統(tǒng)的GTO開(kāi)關(guān)速度很慢,開(kāi)關(guān)頻率只有幾十赫茲。傳統(tǒng)型的GTO封裝只有單一引出門極結(jié)構(gòu),并且門極引線電感較大,直接將這種傳統(tǒng)的GTO和場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFE...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。