本實用新型涉及一種高密度芯片重布線封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

當(dāng)前芯片尺寸封裝（CSP）工藝主要有：

一、芯片先貼裝在引線框架或者基板上后在芯片表面引線鍵合，或者芯片表面二次布線制作凸點后倒裝在引線框架或者基板上再進(jìn)行模塑包封及后工序；

二、芯片表面二次布線后在布線層Pad處制作焊球，再進(jìn)行模塑包封（或裸芯片）及后工序。

當(dāng)前芯片尺寸封裝（CSP）工藝存在以下不足和缺陷：

1、隨著封裝產(chǎn)品小型化、超薄化、高密度的要求不斷提高，對引線框架或者基板制作要求也小型化、超薄化、高密度，引線框架或基板制作過程易變形、翹曲，難度越大，進(jìn)而導(dǎo)致封裝工藝難度大，成本高；

2、采用引線鍵合工藝的產(chǎn)品，受焊線弧高和弧長的限制，產(chǎn)品的厚度和尺寸大小都不可能做到更小，同時引線鍵合無法做到超高密度，且打線效率低下；

3、采用倒裝工藝或者圓片級封裝的產(chǎn)品，芯片需要二次布線制作凸點，前期制造成本較高；

4、隨著芯片引腳數(shù)的增多以及對芯片尺寸縮小要求的提高，芯片倒裝時與基板的對位精度要求非常高；

5、絕大多數(shù)的倒裝產(chǎn)品中都采用了底部填充劑，其作用是緩解芯片和基板之間由熱膨脹系數(shù)（CTE）差所引起的剪切應(yīng)力，但存在填充不滿、空洞的問題；

6、芯片與基板FC焊接，存在多種材料，各材料之間的CTE不一，易造成封裝過程中的翹曲問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種高密度芯片重布線封裝結(jié)構(gòu)，它在金屬載板表面先制作凸點，壓絕緣材料后減薄，露出所需的凸點，再貼裝芯片使其與凸點一端相連，對芯片壓絕緣材料后去除載板，使凸點另一端露出后通過重布線工藝與外引腳相連，從而實現(xiàn)高性能的電性連接與良好的可靠性保證，形成高密度重布線封裝工藝。

本實用新型解決上述問題所采用的技術(shù)方案為：一種高密度芯片重布線封裝結(jié)構(gòu)，它包括金屬線路層，所述金屬線路層正面設(shè)置有凸點，所述凸點上貼裝有芯片，所述芯片的pad與凸點相連接，所述凸點和芯片外圍填充有絕緣材料，所述金屬線路層背面設(shè)置有引腳線路層，所述金屬線路層和引腳線路層外圍填充有絕緣材料，所述引腳線路層背面露出絕緣材料，所述引腳線路層露出絕緣材料的植球區(qū)域設(shè)置有金屬球。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的優(yōu)點在于：

1、本實用新型采用在普通的載板上電鍍凸點后再直接貼裝芯片，不需要定制引線框架或者基板，且可以根據(jù)需要進(jìn)行多芯片的混裝，降低了制造成本；

2、本實用新型采用載板電鍍凸點的方式直接使芯片PAD與重布線線路相連，實現(xiàn)了芯片上二次布線制作凸點的過程，大大降低了前期芯片上制作凸點成本，提高了生產(chǎn)效率；

3、本實用新型的組裝方式不需要芯片的倒裝和倒裝以后的底填工序，避免了因此產(chǎn)生的倒裝對位和底填空洞的風(fēng)險性；

4、本實用新型使用的絕緣材料單一，材料之間的CTE差異小，翹曲小，封裝可靠性等級高。

附圖說明

圖1~圖14為本實用新型一種高密度芯片重布線封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的各工序流程圖。

圖15為本實用新型一種高密度芯片重布線封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

其中：

凸點1

芯片2

絕緣材料3

金屬線路層4

引腳線路層5

金屬球6。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

如圖15所示，本實施例中的一種高密度芯片重布線封裝結(jié)構(gòu)，它包括金屬線路層4，所述金屬線路層4正面設(shè)置有凸點1，所述凸點1上貼裝有芯片2，所述芯片2的pad與凸點相連接，所述凸點1和芯片2外圍填充有絕緣材料3，所述金屬線路層4背面設(shè)置有引腳線路層5，所述金屬線路層4和引腳線路層5外圍填充有絕緣材料3，所述引腳線路層5背面露出絕緣材料3，所述引腳線路層5露出絕緣材料3的植球區(qū)域設(shè)置有金屬球6。

其制作方法如下：

步驟一、取一金屬載板；

參見圖1，取一片厚度合適的金屬載板，金屬載板的材質(zhì)可以依據(jù)芯片的功能與特性進(jìn)行變換，例如：銅材、鐵材、鎳鐵材或鋅鐵材等；

步驟二、金屬載板表面預(yù)鍍銅材；

參見圖2，在金屬載板表面電鍍一層銅材，目的是為后續(xù)電鍍作基礎(chǔ)，所述電鍍的方式可以采用化學(xué)鍍或是電解電鍍；

步驟三、形成凸點

參見圖3，在完成預(yù)鍍銅材的金屬載板表面通過電鍍或蝕刻等方法形成所需的凸點；

步驟四、凸點外圍填充絕緣材料

參見圖4，利用壓膜、包封、印刷等工藝在凸點外圍填充絕緣材料，通過減薄等工藝使凸點露出絕緣材料；

步驟五、貼裝芯片

參見圖5，通過倒裝使芯片貼裝于露出的凸點上，并使芯片pad與凸點相連接；

步驟六、芯片外圍填充絕緣材料

參見圖6，利用壓膜、包封、印刷等工藝在芯片之間填充絕緣材料，對芯片形成保護(hù)；

步驟七、去除金屬載板

參見圖7，通過蝕刻、peeling等方式去除金屬載板；

步驟八、形成金屬導(dǎo)電層

參見圖8，在去除金屬載板的絕緣材料表面通過化學(xué)沉銅的形成一層薄的金屬導(dǎo)電層；

步驟九、電鍍金屬線路層

參見圖9，在金屬導(dǎo)電層表面通過電鍍形成金屬線路層；

步驟十、電鍍引腳線路層

參見圖10，在金屬線路層表面通過電鍍形成引腳線路層；

步驟十一、快速蝕刻

參見圖11，將金屬線路層和引腳線路層外的金屬導(dǎo)電層去除；

步驟十二、金屬線路層和引腳線路層外圍填充絕緣材料

參見圖12，利用壓膜、包封、印刷等工藝在金屬線路層與引腳線路層外圍填充絕緣材料，通過減薄等工藝使引腳線路層露出絕緣材料；

步驟十三、植球

參見圖13，在引腳線路層露出的植球區(qū)域植入金屬球；

步驟十四、切割

參見圖14，將植好金屬球的半成品切割成單顆產(chǎn)品；

所述步驟八到步驟十二可以在步驟七到步驟十三之間重復(fù)多次，以形成多層金屬線路層。

所述步驟十三的植球可以采用其他表面處理方式（如NiAu，PPF，OSP）替代。

除上述實施例外，本實用新型還包括有其他實施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案，均應(yīng)落入本實用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。