1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括：
襯底；
第一類型半導(dǎo)體層，所述第一類型半導(dǎo)體層設(shè)置在所述襯底上，所述第一類型半導(dǎo)體層具有臺階，所述臺階以外區(qū)域設(shè)置有第一類型電極；
多量子阱發(fā)光層，所述多量子阱發(fā)光層設(shè)置在所述臺階上；
第二類型半導(dǎo)體層，所述第二類型半導(dǎo)體層設(shè)置在所述多量子阱發(fā)光層上，所述第二類型半導(dǎo)體層上設(shè)置有第二類型電極；
第二類型接觸層，所述第二類型接觸層設(shè)置在所述第二類型半導(dǎo)體層的上表面上；
超晶格反射層，所述超晶格反射層設(shè)置在所述第二類型半導(dǎo)體層以及所述第二類型接觸層之間，或者設(shè)置在所述第二類型接觸層上表面上；以及
基板，所述第一類型電極以及所述第二類型電極倒裝在所述基板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述超晶格反射層為AlGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，，所述AlGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)的周期數(shù)為20~50。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，周期厚度為2~4nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一類型半導(dǎo)體層是由N型氮化鎵形成的，所述第二類型半導(dǎo)體層是由P型氮化鎵形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二類型接觸層為InGaN。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述襯底以及所述第一類型半導(dǎo)體層之間進(jìn)一步包括：
第一類型半導(dǎo)體成核層，所述第一類型半導(dǎo)體成核層設(shè)置在所述襯底上；以及
第一類型半導(dǎo)體層緩沖層，所述第一類型半導(dǎo)體層緩沖層設(shè)置在所述第一類型半導(dǎo)體成核層以及所述第一類型半導(dǎo)體層之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，進(jìn)一步包括：應(yīng)力釋放層，所述應(yīng)力釋放層設(shè)置在所述第一類型半導(dǎo)體層以及所述多量子阱發(fā)光層之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述應(yīng)力釋放層由多個依次層疊的InGaN亞層以及GaN亞層形成，或者所述應(yīng)力釋放層為InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，進(jìn)一步包括：電子阻擋層，所述電子阻擋層設(shè)置在所述多量子阱發(fā)光層以及所述第二類型半導(dǎo)體層之間。