本實用新型涉及照明領域，尤其是涉及一種CSP光源。

背景技術：

現(xiàn)有普通五面發(fā)光CSP光源(Chip Scale Package,芯片級封裝)結構如圖1、圖2所示，它由位于中部的發(fā)光芯片110和從上面和四周包圍發(fā)光芯片的熒光膠體120組成。其中，發(fā)光芯片110是電極位于芯片下部的倒裝芯片，使光源可以直接與應用端基板焊接，省去焊線工序，同時避免了傳統(tǒng)SMD光源容易斷線死燈的信賴性問題；熒光膠由透明硅膠、熒光粉和輔助添加劑混合而成。

現(xiàn)有普通五面發(fā)光CSP光源的特點在于出光角度非常大，不僅可以從四周和上面五個面發(fā)光，有一部份光線也從底部發(fā)光芯片的外圍膠體發(fā)出，由于此特點，普通五面發(fā)光CSP光源由極佳的光均勻性；此外，這種五面出光的CSP光源因結構簡單、物料組成種類少，使得這種光源的能節(jié)省了大量物料并且制程和工藝相對簡單。

但是現(xiàn)有五面發(fā)光CSP光源的結構在具有較大出光角度的同時，也帶來了新的問題：

(1)由于五面都發(fā)光，導致光源中心亮度不足，無法將其應用在如手機閃光燈等中心亮度需求較高的領域；

(2)在發(fā)光芯片底部外圍的熒光膠，受發(fā)光芯片發(fā)出的藍光激發(fā)后，產生的光會從下部發(fā)出，這一部份的光通常會因多次折射、反射等迅速衰減，導致光源的整體光通量降低，光的利用率也不高；

(3)由于熒光膠體裸露在外圍，當膠體中熒光粉濃度過高時，在使用五面發(fā)光CSP光源的過程中，容易出現(xiàn)膠體碎裂、破損的情況，當這種情況出現(xiàn)時，CSP光源的色坐標、色溫等性能參數(shù)將發(fā)生較大偏移，CSP光源的這種性能偏差是不能容忍的，尤其是在電視背光、顯示屏技術等對光源的光電色參數(shù)精準度相對較高的場合；

(4)普通五面發(fā)光CSP光源，發(fā)光芯片與熒光膠體的粘接是靠膠體自帶的固有粘接性能，這種粘接力很小，使得這種CSP光源在使用過程中，易出現(xiàn)熒光膠體與發(fā)光芯片脫離，導致光源失效的情況。

因此，提供一種亮度均勻、中心亮度足、光通量高、色溫穩(wěn)定、結構穩(wěn)定的CSP光源及其制造方法實為必要。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種整體亮度高、中心光強提高的CSP光源。

為實現(xiàn)本實用新型目的，提供以下技術方案：

本實用新型提供一種CSP光源，其包括發(fā)光芯片，該發(fā)光芯片上設有熒光膠體層，該發(fā)光芯片和熒光膠體層的四周包圍有具有反光性能的外包膠體層。

本實用新型CSP光源設置了具有反光性能的外包膠體層，形成了聚光結構，利于聚光，減少光通量損失，提升了光源的整體亮度，并且增大了中心光強；且由于熒光膠層位于藍光發(fā)光芯片的正上方，熒光粉可以被充分激發(fā)，提升了光源的出光效率。

優(yōu)選的，該CSP光源還包括有第一透明硅膠層、第二透明硅膠層，與所述發(fā)光芯片、熒光膠體層一起四層結構由下而上依次設置的順序是：發(fā)光芯片、第一透明硅膠層、發(fā)光芯片、第二透明硅膠層，所述具有反光性能的外包膠體層包圍在該四層結構四周。

優(yōu)選的，該外包膠體層為具有高反射性能和較高拉伸強度的白色膠體層。

對比現(xiàn)有技術，本實用新型具有以下優(yōu)點：

由于用具有高反射率的白色膠體形成了聚光結構，利于聚光，減少光通量損失，提升了光源的整體亮度，并且增大了中心光強；

該白色膠體具有較強的拉伸斷裂強度，且彈性好，包圍著熒光膠膜和發(fā)光芯片后，在使用過程中起到緩沖作用，光源跌落或碰撞時，熒光膠膜和發(fā)光芯片不會損壞；

由于熒光膠層位于藍光發(fā)光芯片的正上方，熒光粉可以被充分激發(fā)，提升了光源的出光效率。

【附圖說明】

圖1為現(xiàn)有技術五面發(fā)光CSP光源的側視圖；

圖2為現(xiàn)有技術五面發(fā)光CSP光源的俯視圖；

圖3為本實用新型CSP光源的側視圖；

圖4為本實用新型CSP光源的制造方法的流程示意圖。

【具體實施方式】

請參閱圖3，本實施例中，本實用新型CSP光源包括由下而上依次設置的發(fā)光芯片210、第一透明硅膠層230、熒光膠體層240、第二透明硅膠層250，在所述發(fā)光芯片210、第一透明硅膠層230、熒光膠體層240、第二透明硅膠層250四層結構的四周包圍有具有反光性能的外包膠體層220。

該外包膠體層220為具有高反射性能和較高拉伸強度的白色膠體層。

具體地，該外包膠體層220與發(fā)光芯片210組合成類似碗狀結構。發(fā)光芯片210底部及其底部設置的電極露出。

作為可替換實施方式，可以在該發(fā)光芯片210上設有熒光膠體層，在該發(fā)光芯片和熒光膠體層的四周包圍有具有反光性能的外包膠體層。

本實用新型CSP光源設置了具有反光性能的外包膠體層220，形成了聚光結構，利于聚光，減少光通量損失，提升了光源的整體亮度，并且增大了中心光強；且由于熒光膠層位于藍光發(fā)光芯片的正上方，熒光粉可以被充分激發(fā)，提升了光源的出光效率。

請參與圖4，本實用新型CSP光源的制造方法，其包括如下步驟：

S1、將透明硅膠膜粘貼在載板上；

S2、通過熒光膠膜自有的黏性，將熒光膠膜粘貼在上述透明硅膠膜上，并在真空、加熱、加壓條件下壓合；

S3、在熒光膠膜上涂覆液態(tài)透明硅膠膜，涂覆方式為點膠或者印刷；

S4、將多個發(fā)光芯片反向(電極朝上)貼裝在液態(tài)的透明硅膠膜上并在真空條件下加熱固化；

S5、沿相鄰發(fā)光芯片的透明硅膠層中間切割出特定寬度溝道，切割時同時且斷S1和S2所述的透明硅膠層和熒光膠層；

S6、在切出的溝道中涂覆具有反光性能的白色膠體，白色膠體不能淹沒芯片電極，并在真空、加熱條件下固化，該白色膠體為具有高反射性能和較高拉伸強度的白色膠體；

S7、沿相鄰發(fā)光芯片的中間將白色膠體切斷；

S8、將步驟S7所得光源分離形成單個CSP光源。

步驟S1中，所述載板可以是玻璃基板或不銹鋼板，且載板上須有Mark點，作為排列芯片和切割等工序的識別點；該透明硅膠膜成型后即為上述第二透明硅膠層250。

步驟S2中，該熒光膠膜成型后即為上述結構的熒光膠體層240。

步驟S3中，該液態(tài)透明硅膠模成型后即為上述結構的第一透明硅膠層230。

步驟S6中，在切出的溝道中涂覆的白色膠體成型后即為上述結構的外包膠體層220。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何基于本實用新型技術方案上的等效變換均屬于本實用新型保護范圍之內。