本實(shí)用新型涉及射頻識(shí)別芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種雙ID芯片的組裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

目前RFID芯片都是制造成單顆的，客戶在使用時(shí)都是單顆芯片配單根天線。即使目前使用的復(fù)合芯片卡，內(nèi)部含有兩顆芯片，擁有兩個(gè)ID（ID指芯片里面的唯一識(shí)別號(hào)）號(hào)，這兩顆芯片也是分割開(kāi)的獨(dú)立的兩顆芯片。

兩顆獨(dú)立的芯片在制作雙ID卡或標(biāo)簽時(shí)，每顆芯片必須要貼一次，焊接一次，特別是做雙ID的電子標(biāo)簽時(shí)必須要用兩次導(dǎo)電膠水，還要倒封裝兩次。這樣將大大降低機(jī)器設(shè)備的生產(chǎn)效率，并且增加耗材成本。

本實(shí)用新型的雙ID芯片的結(jié)構(gòu)可以很好的解決上述問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述技術(shù)中存在的不足之處，本實(shí)用新型提供一種雙ID芯片的組裝結(jié)構(gòu)，將兩顆獨(dú)立的射頻識(shí)別芯片組成一個(gè)整體，由此只要實(shí)現(xiàn)一次貼裝和一次焊接，降低耗材等生產(chǎn)成本。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種雙ID芯片的組裝結(jié)構(gòu)，包括晶圓，所述晶圓的一邊采用跳行切割后形成多個(gè)列切割線，所述晶圓的另一邊采用單行切割后形成多個(gè)行切割線；多個(gè)列切割線與多個(gè)行切割線呈縱橫交錯(cuò)分割后，每相鄰兩個(gè)列切割線與每相鄰兩個(gè)行切割線之間形成一個(gè)雙ID芯片組裝區(qū)，每?jī)深w射頻識(shí)別芯片呈橫向安裝在該雙ID芯片組裝區(qū)內(nèi)后組成一整體，所述兩顆射頻識(shí)別芯片相鄰分布且其對(duì)應(yīng)的ID號(hào)碼也相連。

其中，同一雙ID芯片組裝區(qū)內(nèi)的兩顆射頻識(shí)別芯片之間的間距形成第一間距；同行相鄰的兩個(gè)雙ID芯片組裝區(qū)內(nèi)左右相鄰的兩顆射頻識(shí)別芯片之間的間距形成第二間距，所述第一間距與第二間距的距離相同。

其中，同列相鄰的兩個(gè)雙ID芯片組裝區(qū)內(nèi)上下相鄰的兩顆射頻識(shí)別芯片之間的間距形成第三間距，所述第一間距與第三間距的距離相同。

其中，所述晶圓為圓形結(jié)構(gòu)，每個(gè)射頻識(shí)別芯片為方形結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型的有益效果是：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的雙ID芯片的組裝結(jié)構(gòu)，一邊采用跳行切割的方式，另一邊采用單行切割的方式，將晶圓切割形成多個(gè)列切割線和多個(gè)行切割線，多個(gè)列切割線與多個(gè)行切割線分割后，每相鄰兩個(gè)列切割線與每相鄰兩個(gè)行切割線之間形成一個(gè)雙ID芯片組裝區(qū)，每?jī)深w射頻識(shí)別芯片呈橫向安裝在該雙ID芯片組裝區(qū)內(nèi)后組成一整體。該結(jié)構(gòu)形成的兩顆射頻識(shí)別芯片是相鄰分布，且其對(duì)應(yīng)的ID號(hào)碼也相連的，因此只要測(cè)試一個(gè)芯片的ID號(hào)，另一個(gè)芯片的ID號(hào)也就知道了，由于兩個(gè)ID號(hào)碼是連號(hào)的，使用起來(lái)極其方便。同時(shí)，因兩顆射頻識(shí)別芯片是組成的一個(gè)整體，在生產(chǎn)雙ID卡或電子標(biāo)簽時(shí)，就可以通過(guò)天線進(jìn)行一次性的貼裝和焊接即可。這樣就可以解決傳統(tǒng)工藝的缺點(diǎn)，大大提高機(jī)器設(shè)備的生產(chǎn)效率，降低耗材等生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的雙ID芯片的組裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。

主要元件符號(hào)說(shuō)明如下：

10、晶圓 11、列切割線

12、行切割線 13、雙ID芯片組裝區(qū)

14、射頻識(shí)別芯片 L1、第一間距

L2、第二間距 L3、第三間距。

具體實(shí)施方式

為了更清楚地表述本實(shí)用新型，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地描述。

請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型的雙ID芯片的組裝結(jié)構(gòu)，包括晶圓10，晶圓10的一邊采用跳行切割后形成多個(gè)列切割線11，晶圓10的另一邊采用單行切割后形成多個(gè)行切割線12；多個(gè)列切割線11與多個(gè)行切割線12呈縱橫交錯(cuò)分割后，每相鄰兩個(gè)列切割線11與每相鄰兩個(gè)行切割線12之間形成一個(gè)雙ID芯片組裝區(qū)13，每?jī)深w射頻識(shí)別芯片14呈橫向安裝在該雙ID芯片組裝區(qū)13內(nèi)后組成一整體，兩顆射頻識(shí)別芯片14相鄰分布且其對(duì)應(yīng)的ID號(hào)碼也相連。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型提供的雙ID芯片的組裝結(jié)構(gòu)，一邊采用跳行切割的方式，另一邊采用單行切割的方式，將晶圓切割形成多個(gè)列切割線和多個(gè)行切割線，多個(gè)列切割線與多個(gè)行切割線分割后，每相鄰兩個(gè)列切割線與每相鄰兩個(gè)行切割線之間形成一個(gè)雙ID芯片組裝區(qū)，每?jī)深w射頻識(shí)別芯片呈橫向安裝在該雙ID芯片組裝區(qū)內(nèi)后組成一整體。該結(jié)構(gòu)形成的兩顆射頻識(shí)別芯片是相鄰分布，且其對(duì)應(yīng)的ID號(hào)碼也相連的，因此只要測(cè)試一個(gè)芯片的ID號(hào)，另一個(gè)芯片的ID號(hào)也就知道了，由于兩個(gè)ID號(hào)碼是連號(hào)的，使用起來(lái)極其方便。同時(shí)，因兩顆射頻識(shí)別芯片是組成的一個(gè)整體，在生產(chǎn)雙ID卡或電子標(biāo)簽時(shí)，就可以通過(guò)天線進(jìn)行一次性的貼裝和焊接即可。這樣就可以解決傳統(tǒng)工藝的缺點(diǎn)，大大提高機(jī)器設(shè)備的生產(chǎn)效率，降低耗材等生產(chǎn)成本。

在本實(shí)施例中，同一雙ID芯片組裝區(qū)13內(nèi)的兩顆射頻識(shí)別芯片14之間的間距形成第一間距L1；同行相鄰的兩個(gè)雙ID芯片組裝區(qū)13內(nèi)左右相鄰的兩顆射頻識(shí)別芯片14之間的間距形成第二間距L2，第一間距L1與第二間距L2的距離相同。同列相鄰的兩個(gè)雙ID芯片組裝區(qū)13內(nèi)上下相鄰的兩顆射頻識(shí)別芯片14之間的間距形成第三間距L3，第一間距L1與第三間距L3的距離相同。上述等距離結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，方便了對(duì)射頻識(shí)別芯片的安裝，且大大提高機(jī)器設(shè)備的生產(chǎn)效率。

在本實(shí)施例中，晶圓10為圓形結(jié)構(gòu)，每個(gè)射頻識(shí)別芯片14為方形結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，可以根據(jù)實(shí)際的需要改變晶圓或射頻識(shí)別芯片的形狀。

本實(shí)用新型與傳統(tǒng)工藝相比，切割方式有所不同，這樣兩顆獨(dú)立的射頻識(shí)別芯片就組成了一個(gè)整體，并且因?yàn)檫@兩顆射頻識(shí)別芯片是相鄰的，因此射頻識(shí)別芯片里面的ID號(hào)碼也是相連的，這樣只需要測(cè)試一個(gè)芯片的號(hào)碼，就可以推測(cè)出另一個(gè)芯片的號(hào)碼。因兩顆射頻識(shí)別芯片組成一個(gè)整體，在生產(chǎn)雙ID卡或電子標(biāo)簽時(shí)，就可以通過(guò)天線的設(shè)計(jì)，進(jìn)行一次性的貼裝和焊接。這樣就可以解決傳統(tǒng)工藝的缺點(diǎn)，大大提高機(jī)器設(shè)備的生產(chǎn)效率，降低耗材等生產(chǎn)成本。

以上公開(kāi)的僅為本實(shí)用新型的幾個(gè)具體實(shí)施例，但是本實(shí)用新型并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。