1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置具有：
第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)域；
第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)域，其配置在所述第1半導(dǎo)體區(qū)域上；
第1導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體區(qū)域，其配置在所述第2半導(dǎo)體區(qū)域上；
內(nèi)壁絕緣膜，其配置在槽的內(nèi)壁，該槽從所述第3半導(dǎo)體區(qū)域的上表面延伸并貫通所述第3半導(dǎo)體區(qū)域和所述第2半導(dǎo)體區(qū)域；
控制電極，其與所述第2半導(dǎo)體區(qū)域的側(cè)面對(duì)置地配置在所述槽的側(cè)面的所述內(nèi)壁絕緣膜上；
底面電極，其與所述控制電極絕緣分離地配置在所述槽的底面的所述內(nèi)壁絕緣膜上；以及
層間絕緣膜，其將所述控制電極和將所述底面電極之間絕緣，
從所述控制電極的下表面的至少一部分到所述槽的底面的距離，比從所述底面電極的下表面的至少一部分到所述槽的底面的距離長(zhǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述控制電極的所述下表面的位置比所述底面電極的上表面的位置靠下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述控制電極的所述下表面以如下方式形成為楔面：所述控制電極的所述下表面與所述槽的所述底面之間的距離隨著接近所述槽的所述側(cè)面而變短。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述底面電極為如下的梯形狀：所述底面電極的膜厚隨著接近所述槽的所述側(cè)面而變薄。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
從所述底面電極的所述下表面到所述槽的所述底面的距離在所述底面電極的所述下表面中，在中央?yún)^(qū)域比在周邊區(qū)域長(zhǎng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
在俯視觀察時(shí)，所述槽的延伸方向上的長(zhǎng)度比所述槽的寬度長(zhǎng)，而且所述槽的寬度比相鄰的所述槽的間隔寬。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述內(nèi)壁絕緣膜的膜厚在被配置于所述槽的所述底面的區(qū)域中、比被配置于所述槽的所述側(cè)面的區(qū)域厚。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
在所述控制電極的所述下表面的整個(gè)面中，從所述控制電極的所述下表面到所述槽的所述底面的距離、比從所述底面電極的所述下表面到所述槽的所述底面的距離長(zhǎng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
從所述控制電極的所述下表面的所述底面電極側(cè)的一部分到所述槽的所述底面的距離、比從所述底面電極的所述下表面到所述槽的所述底面的距離長(zhǎng)，從所述控制電極的所述下表面的另一部分到所述槽的所述底面的距離、與從所述底面電極的所述下表面到所述槽的所述底面的距離相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述控制電極的所述下表面的至少與所述底面電極對(duì)置的一側(cè)的位置，比所述底面電極的所述控制電極側(cè)的上表面的位置靠上側(cè)。
11.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置具有：
第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)域；
第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)域，其配置在所述第1半導(dǎo)體區(qū)域上；
第1導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體區(qū)域，其配置在所述第2半導(dǎo)體區(qū)域上；
內(nèi)壁絕緣膜，其配置在槽的內(nèi)壁，該槽從所述第3半導(dǎo)體區(qū)域的上表面延伸并貫通所述第3半導(dǎo)體區(qū)域和所述第2半導(dǎo)體區(qū)域；
控制電極，其與所述第2半導(dǎo)體區(qū)域的側(cè)面對(duì)置地配置在所述槽的側(cè)面的所述內(nèi)壁絕緣膜上；
底面電極，其與所述控制電極絕緣分離地配置在所述槽的底面的所述內(nèi)壁絕緣膜上；以及
層間絕緣膜，其將所述控制電極和所述底面電極之間絕緣，
從所述控制電極的下表面的至少一部分到所述槽的底面的距離，為從所述底面電極的下表面的至少一部分到所述槽的底面的距離以上。