本實(shí)用新型涉及溝槽柵型的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

作為進(jìn)行大電流的開關(guān)動(dòng)作的開關(guān)元件(功率半導(dǎo)體元件)，采用功率MOSFET和絕緣柵型雙極晶體管(IGBT)等。在這些開關(guān)元件中采用溝槽型的柵電極構(gòu)造(溝槽柵型)，即在形成于半導(dǎo)體基體的槽(溝槽)內(nèi)形成柵絕緣膜和柵電極。但是，在溝槽柵型的半導(dǎo)體裝置中，柵電極和漏區(qū)之間的電容(柵極-漏極間電容)、柵電極和集電區(qū)之間的電容(柵極-集電極間電容)等的反饋電容較大。因此，開關(guān)速度下降，在高頻動(dòng)作中產(chǎn)生問題。

在研究用于減小反饋電容的各種方法。例如，已公開了如下的構(gòu)造：在槽的側(cè)面配置柵電極，在槽的底面配置與發(fā)射電極連接的電極(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】

【專利文獻(xiàn)】

【專利文獻(xiàn)1】日本特開2015－201615號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)用新型要解決的問題

但是，在上述構(gòu)造中，反饋電容的減小不充分。因此，本實(shí)用新型的目的在于，提供降低了在槽的底面產(chǎn)生的反饋電容的溝槽柵型的半導(dǎo)體裝置。

用于解決問題的手段

本實(shí)用新型的一個(gè)方式提供半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置具有：第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)域；第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)域，其配置在第1半導(dǎo)體區(qū)域上；第1導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體區(qū)域，其配置在第2半導(dǎo)體區(qū)域上；內(nèi)壁絕緣膜，其配置在槽的內(nèi)壁，該槽從第3半導(dǎo)體區(qū)域的上表面延伸并貫通第3半導(dǎo)體區(qū)域和第2半導(dǎo)體區(qū)域；控制電極，其與第2半導(dǎo)體區(qū)域的側(cè)面對(duì)置地配置在槽的側(cè)面的內(nèi)壁絕緣膜上；底面電極，其與控制電極絕緣分離地配置在槽的底面的內(nèi)壁絕緣膜上；以及層間絕緣膜，其設(shè)于控制電極和底面電極之間，從控制電極的下表面的至少與所述底面電極對(duì)置的一側(cè)到槽的底面的距離，比從底面電極的下表面到槽的底面的距離長(zhǎng)。

在所述半導(dǎo)體裝置中，所述控制電極的所述下表面的位置比所述底面電極的上表面的位置靠下。

在所述半導(dǎo)體裝置中，所述控制電極的所述下表面以如下方式形成為楔面：所述控制電極的所述下表面與所述槽的所述底面之間的距離隨著接近所述槽的所述側(cè)面而變短。

在所述半導(dǎo)體裝置中，所述底面電極為如下的梯形狀：所述底面電極的膜厚隨著接近所述槽的所述側(cè)面而變薄。

在所述半導(dǎo)體裝置中，從所述底面電極的所述下表面到所述槽的所述底面的距離在所述底面電極的所述下表面中，在中央?yún)^(qū)域比在周邊區(qū)域長(zhǎng)。

在所述半導(dǎo)體裝置中，在俯視觀察時(shí)，所述槽的延伸方向上的長(zhǎng)度比所述槽的寬度長(zhǎng)，而且所述槽的寬度比相鄰的所述槽的間隔寬。

在所述半導(dǎo)體裝置中，所述內(nèi)壁絕緣膜的膜厚在被配置于所述槽的所述底面的區(qū)域中、比被配置于所述槽的所述側(cè)面的區(qū)域厚。

在所述半導(dǎo)體裝置中，在所述控制電極的所述下表面的整個(gè)面中，從所述控制電極的所述下表面到所述槽的所述底面的距離、比從所述底面電極的所述下表面到所述槽的所述底面的距離長(zhǎng)。

在所述半導(dǎo)體裝置中，從所述控制電極的所述下表面的所述底面電極側(cè)的一部分到所述槽的所述底面的距離、比從所述底面電極的所述下表面到所述槽的所述底面的距離長(zhǎng)，從所述控制電極的所述下表面的另一部分到所述槽的所述底面的距離、與從所述底面電極的所述下表面到所述槽的所述底面的距離相同。

在所述半導(dǎo)體裝置中，所述控制電極的所述下表面的至少與所述底面電極對(duì)置的一側(cè)的位置，比所述底面電極的所述控制電極側(cè)的上表面的位置靠上側(cè)。

本實(shí)用新型的另一個(gè)方式提供半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置具有：第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)域；第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)域，其配置在所述第1半導(dǎo)體區(qū)域上；第1導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體區(qū)域，其配置在所述第2半導(dǎo)體區(qū)域上；內(nèi)壁絕緣膜，其配置在槽的內(nèi)壁，該槽從所述第3半導(dǎo)體區(qū)域的上表面延伸并貫通所述第3半導(dǎo)體區(qū)域和所述第2半導(dǎo)體區(qū)域；控制電極，其與所述第2半導(dǎo)體區(qū)域的側(cè)面對(duì)置地配置在所述槽的側(cè)面的所述內(nèi)壁絕緣膜上；底面電極，其與所述控制電極絕緣分離地配置在所述槽的底面的所述內(nèi)壁絕緣膜上；以及層間絕緣膜，其將所述控制電極和所述底面電極之間絕緣，從所述控制電極的下表面的至少一部分到所述槽的底面的距離，為從所述底面電極的下表面的至少一部分到所述槽的底面的距離以上。

實(shí)用新型效果

根據(jù)本實(shí)用新型，能夠提供降低了在槽的底面產(chǎn)生的反饋電容的溝槽柵型的半導(dǎo)體裝置。

附圖說(shuō)明

圖1是示出本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的剖面示意圖。

圖2是示出本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的槽的內(nèi)部構(gòu)造的示意圖。

圖3是用于說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的工序剖面示意圖(之一)。

圖4是用于說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的工序剖面示意圖(之二)。

圖5是用于說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的工序剖面示意圖(之三)。

圖6是用于說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的工序剖面示意圖(之四)。

圖7是用于說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的工序剖面示意圖(之五)。

圖8是用于說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的工序剖面示意圖(之六)。

圖9是用于說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的工序剖面示意圖(之七)。

圖10是用于說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的工序剖面示意圖(之八)。

圖11是示出本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的槽的內(nèi)部的另一種構(gòu)造的示意圖。

圖12是示出本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的層間絕緣膜的另一種構(gòu)造的示意圖。

圖13是示出本實(shí)用新型的實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的剖面示意圖。

圖14是示出本實(shí)用新型的其它實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的剖面示意圖。

圖15是示出本實(shí)用新型的其它實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的剖面示意圖。

圖16是示出本實(shí)用新型的其它實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)造的剖面示意圖。

圖17是示出本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的槽的內(nèi)部的另一種構(gòu)造的示意圖。

圖18是示出本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的槽的內(nèi)部的另一種構(gòu)造的示意圖。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

10漂移區(qū)；20基區(qū)；30發(fā)射區(qū)；40內(nèi)壁絕緣膜；50柵電極；60集電區(qū)；65場(chǎng)終止區(qū)域；70層間絕緣膜；71第1層間絕緣膜；72第2層間絕緣膜；73熱氧化膜；80集電電極；90發(fā)射電極；100槽；150底面電極。

具體實(shí)施方式

下面，參照附圖說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式。在下面的附圖中，對(duì)相同或者相似的部分標(biāo)注相同或者相似的標(biāo)號(hào)。但是，應(yīng)該注意，附圖是示意性的圖，厚度和平面尺寸的關(guān)系、各部分的長(zhǎng)度的比率等與實(shí)際產(chǎn)品不同。因此，具體尺寸應(yīng)該是參照以下的說(shuō)明進(jìn)行判定的尺寸。并且，當(dāng)然也包括附圖彼此間相互的尺寸的關(guān)系和比率不同的部分。

并且，以下示出的實(shí)施方式是示例用于具體實(shí)施本實(shí)用新型的技術(shù)思想的裝置和方法的方式，本實(shí)用新型的技術(shù)思想不將構(gòu)成部件的形狀、構(gòu)造、配置等確定為下述的方式。本實(shí)用新型的實(shí)施方式能夠在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更。

本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置如圖1所示具有：第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)域(漂移區(qū)10)；第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)域(基區(qū)20)，其配置在第1半導(dǎo)體區(qū)域上；第1導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體區(qū)域(發(fā)射區(qū)30)，其配置在第2半導(dǎo)體區(qū)域上。在槽的內(nèi)壁上配置有內(nèi)壁絕緣膜40，該槽形成為從第3半導(dǎo)體區(qū)域的上表面延伸并貫通第3半導(dǎo)體區(qū)域和第2半導(dǎo)體區(qū)域而到達(dá)第1半導(dǎo)體區(qū)域。

槽沿著上述的半導(dǎo)體區(qū)域的層疊體的主面延伸，延伸的方向的槽的長(zhǎng)度比槽的寬度W長(zhǎng)。圖1示出與槽延伸的方向垂直的截面。

圖1所示的半導(dǎo)體裝置是溝槽柵型的IGBT，具有與基區(qū)20的側(cè)面對(duì)置地配置在槽的側(cè)面的內(nèi)壁絕緣膜40上的控制電極(柵電極50)。如圖1所示，柵電極50的下表面的底面電極150側(cè)不與槽的底面的內(nèi)壁絕緣膜40接觸。另外，半導(dǎo)體裝置具有與柵電極50絕緣分離地配置在槽的底面的內(nèi)壁絕緣膜40上的底面電極150。底面電極150與發(fā)射區(qū)30電連接。

第1導(dǎo)電型和第2導(dǎo)電型是彼此相反的導(dǎo)電型。即，如果第1導(dǎo)電型是n型、則第2導(dǎo)電型是p型，如果第1導(dǎo)電型是p型、則第2導(dǎo)電型是n型。下面，示例地說(shuō)明第1導(dǎo)電型是n型、第2導(dǎo)電型是p型的情況。

如圖1所示，在柵電極50和底面電極150之間、以及柵電極50的下表面和內(nèi)壁絕緣膜40之間，在設(shè)于底面電極150上的槽的內(nèi)部的間隙中埋設(shè)有層間絕緣膜70。通過層間絕緣膜70將柵電極50和底面電極150絕緣分離。在半導(dǎo)體裝置中，從柵電極50的下表面到槽的底面的距離(以下稱為“第1距離d1”)，比從底面電極150的下表面到槽的底面的距離(以下稱為“第2距離d2”)長(zhǎng)，或者第1距離d1和第2距離d2相等。即，位于柵電極50的下方的柵電極50和漂移區(qū)10之間的絕緣膜的厚度(在圖1中指內(nèi)壁絕緣膜40與層間絕緣膜70的厚度之和)，比位于底面電極150的下方的底面電極150和漂移區(qū)10之間的絕緣膜的厚度(在圖1中指內(nèi)壁絕緣膜40的厚度)厚或者相等。

漂移區(qū)10配置在p型的集電區(qū)60的一個(gè)主面上。另外，在漂移區(qū)10和集電區(qū)60之間配置有雜質(zhì)濃度比漂移區(qū)10高的n型的場(chǎng)終止區(qū)域65。利用場(chǎng)終止區(qū)域65限制在半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)通狀態(tài)下從集電區(qū)60到達(dá)漂移區(qū)10的空穴的量。并且，抑制在半導(dǎo)體裝置的截止?fàn)顟B(tài)下從漂移區(qū)10的上表面延伸的耗盡層到達(dá)集電區(qū)60。在集電區(qū)60的另一個(gè)主面上配置有與集電區(qū)60電連接的集電電極80。

柵電極50隔著內(nèi)壁絕緣膜40與基區(qū)20對(duì)置配置。在基區(qū)20的上部選擇性地配置發(fā)射區(qū)30。發(fā)射電極90配置在層間絕緣膜70上，發(fā)射電極90與基區(qū)20和發(fā)射區(qū)30連接。通過層間絕緣膜70將柵電極50和發(fā)射電極90電絕緣。

在圖1所示的半導(dǎo)體裝置中，隔著內(nèi)壁絕緣膜40與柵電極50對(duì)置的基區(qū)20的表面是形成溝道的溝道區(qū)。即，內(nèi)壁絕緣膜40的柵電極50和基區(qū)20之間的區(qū)域作為柵絕緣膜發(fā)揮作用。柵電極50至少與基區(qū)20對(duì)置配置，使得在基區(qū)20中沿著槽形成從發(fā)射區(qū)30到漂移區(qū)10的溝道。并且，優(yōu)選柵電極50的槽的角部側(cè)的端部(槽的側(cè)面?zhèn)鹊亩瞬?延伸到比基區(qū)20和漂移區(qū)10的界面與槽的側(cè)面相交的位置低的位置、即漂移區(qū)10上。由此，能夠在基區(qū)20中沿著槽可靠地形成從發(fā)射區(qū)30到漂移區(qū)10的溝道，使半導(dǎo)體裝置可靠地導(dǎo)通。

如圖1所示，在槽的內(nèi)壁對(duì)置的側(cè)面分別配置有柵電極50。并且，在與槽的延伸方向垂直的截面中，柵電極50不是沿著槽的內(nèi)壁連續(xù)地配置，在槽的底面沒有配置柵電極50。

在此，對(duì)圖1所示的半導(dǎo)體裝置的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。在發(fā)射電極90和集電電極80之間施加規(guī)定的集電極電壓，在發(fā)射電極90和柵電極50之間施加規(guī)定的柵極電壓。例如，集電極電壓約是300V～1600V，柵極電壓約是10V～20V。在這樣將半導(dǎo)體裝置設(shè)為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，溝道區(qū)從p型反轉(zhuǎn)成n型而形成溝道。電子在所形成的溝道中通過，從發(fā)射電極90注入到漂移區(qū)10中。集電區(qū)60和漂移區(qū)10之間成為順偏置，空穴(孔)從集電電極80經(jīng)由集電區(qū)60依次移動(dòng)到漂移區(qū)10、基區(qū)20。在進(jìn)一步繼續(xù)增加電流時(shí)，來(lái)自集電區(qū)60的空穴增加，空穴蓄積在基區(qū)20的下方。其結(jié)果是，導(dǎo)通電壓通過傳導(dǎo)度調(diào)制而降低。

在使半導(dǎo)體裝置從導(dǎo)通狀態(tài)成為截止?fàn)顟B(tài)的情況下，控制柵極電壓使其比閾值電壓低。例如，使柵極電壓達(dá)到與發(fā)射極電壓相同的電位或者負(fù)電位。由此，基區(qū)20的溝道消失，從發(fā)射電極90向漂移區(qū)10的電子的注入停止。集電電極80的電位比發(fā)射電極90高，因而耗盡層從基區(qū)20與漂移區(qū)10的界面處擴(kuò)展，并且在漂移區(qū)10中蓄積的空穴泄露到發(fā)射電極90。此時(shí)，空穴在槽和槽之間的半導(dǎo)體區(qū)域中通過并移動(dòng)。即，槽之間的區(qū)域是空穴的吸出口。

以往，在溝槽柵型的半導(dǎo)體裝置中，存在在柵電極的端部和底面電極的端部之間產(chǎn)生放電而錯(cuò)誤動(dòng)作的問題。但是，在圖1所示的半導(dǎo)體裝置中，槽的寬度大于槽的深度，槽的底面整體上比較平坦。并且，柵電極50的下表面的至少與底面電極150對(duì)置的一側(cè)的位置，比底面電極150在柵電極50側(cè)的上表面的位置靠上側(cè)。并且，從柵電極50的下表面的至少與底面電極150對(duì)置的一側(cè)到槽的底面的距離，比從與柵電極50對(duì)置的側(cè)面?zhèn)鹊牡酌骐姌O150的下表面到槽的底面的距離長(zhǎng)。其結(jié)果是，能夠減少在柵電極的端部和底面電極的端部之間產(chǎn)生放電而錯(cuò)誤動(dòng)作的情況。

另外，在圖1所示的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選在槽的底面沒有配置柵電極50，柵電極50的下表面與槽之間的距離比柵電極50的側(cè)面與槽之間的距離長(zhǎng)。因此，能夠降低柵電極50和集電區(qū)60之間的反饋電容(柵極-集電極間電容)。

另外，通過在槽的底面上配置與發(fā)射區(qū)30相同電位的底面電極150，半導(dǎo)體裝置在截止?fàn)顟B(tài)下作為場(chǎng)板發(fā)揮作用，能夠使耗盡層從槽的底部向漂移區(qū)10良好地?cái)U(kuò)展。另外，通過在槽的底面上配置底面電極150，與在槽內(nèi)整體中設(shè)置柵電極50的情況相比，進(jìn)一步降低柵極-集電極間的反饋電容。另外，為了將底面電極150與發(fā)射區(qū)30電連接，例如在被埋設(shè)于槽中的層間絕緣膜70設(shè)置貫通孔，用導(dǎo)電體膜填埋該貫通孔，將底面電極150和發(fā)射電極90電連接。貫通孔既可以設(shè)于活性區(qū)域的至少一部分，也可以設(shè)于底面電極150的端部(半導(dǎo)體裝置的外周側(cè))。

另外，在圖1所示的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選柵電極50的下方的第1距離d1比底面電極150的下方的第1距離d2長(zhǎng)。即，柵電極50和集電區(qū)60的間隔擴(kuò)大，由此能夠進(jìn)一步降低柵極-集電極間的反饋電容。

如上所述，在圖1所示的半導(dǎo)體裝置中，在槽的底面產(chǎn)生的反饋電容降低。其結(jié)果是，能夠縮短半導(dǎo)體裝置的開關(guān)時(shí)間。

并且，通過使第1距離d1比第1距離d2長(zhǎng)，如圖2所示，柵電極50的端部51與底面電極150的端部151的距離、以及柵電極50的端部51與槽的角部101(槽的底面與側(cè)面的邊界部)的距離擴(kuò)大。其結(jié)果是，能夠抑制在柵電極50的端部51和底面電極150的端部151之間的放電的產(chǎn)生、以及在柵電極50的端部51與槽的角部101之間的放電的產(chǎn)生。因此，在圖1所示的半導(dǎo)體裝置中，能夠使電氣特性穩(wěn)定。

另外，由于將柵電極50和底面電極150分開配置，在遠(yuǎn)離這些電極的位置，槽的角部101的耐壓降低。為了抑制該耐壓的降低，優(yōu)選將柵電極50配置在槽的角部101的附近。因此，如圖2所示，優(yōu)選柵電極50的下表面的位置比底面電極150的上表面的位置靠下。

并且，如圖2所示，優(yōu)選形成如下的內(nèi)壁絕緣膜40，使得配置在槽的底面的區(qū)域的膜厚、比配置在槽的側(cè)面且與基區(qū)20對(duì)置的區(qū)域的膜厚厚。具有如下的傾向：在擴(kuò)寬柵電極50的寬度時(shí)，在槽的底面中的柵電極50和半導(dǎo)體區(qū)域之間產(chǎn)生的寄生電容增加。但是，通過在槽的底面中將內(nèi)壁絕緣膜40的膜厚加厚，能夠降低該寄生電容。

但是，由于內(nèi)壁絕緣膜40的配置在槽的側(cè)面的區(qū)域作為柵絕緣膜發(fā)揮作用，因而在槽的側(cè)面將內(nèi)壁絕緣膜40的膜厚加厚是有界限的。因此，與內(nèi)壁絕緣膜40的配置在槽的側(cè)面的區(qū)域的膜厚相比，將內(nèi)壁絕緣膜40的配置在槽的底面的區(qū)域的膜厚加厚。例如，將內(nèi)壁絕緣膜40在槽的底面的膜厚設(shè)為約300nm，將在槽的側(cè)面的膜厚設(shè)為約150nm。

內(nèi)部配置有柵電極50的槽的寬度W在寬至固定程度時(shí)，如以下說(shuō)明的那樣，半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)通電壓降低，而且耐壓提高。這種情況時(shí)的槽的寬度W例如約為3μm～20μm。

首先，說(shuō)明導(dǎo)通電壓降低的理由。在半導(dǎo)體裝置處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，在形成于溝道區(qū)的溝道中通過并從發(fā)射電極90主要沿著槽的側(cè)面移動(dòng)的電子被注入到漂移區(qū)10中。在槽的底面的下方的漂移區(qū)10的厚度例如為30μm～180μm，相比槽的寬度W足夠?qū)?。因此，即使是槽的寬度W變寬時(shí)，沿著槽移動(dòng)的電子在比槽深的區(qū)域中擴(kuò)散在漂移區(qū)10中。由此，不僅槽之間的區(qū)域的正下方的集電區(qū)60和漂移區(qū)10的界面，而且在比其寬廣的范圍中集電區(qū)60和漂移區(qū)10的界面也成為順偏置，空穴從集電區(qū)60移動(dòng)到漂移區(qū)10中。

從集電區(qū)60移動(dòng)過來(lái)的空穴的移動(dòng)受到槽的底面的阻礙，空穴被蓄積在槽的底面附近的漂移區(qū)10中，而產(chǎn)生傳導(dǎo)度調(diào)制。在槽的寬度W越寬時(shí)，空穴越容易蓄積在槽的底面附近的漂移區(qū)10中。因此，向發(fā)射電極90移動(dòng)的空穴減少，導(dǎo)通電壓降低。

另外，在槽和槽的間隔S較寬時(shí)，導(dǎo)致不能蓄積在基區(qū)20的下方而向基區(qū)20移動(dòng)的空穴的量增加、或者芯片面積增大。因此，為了降低導(dǎo)通電壓，優(yōu)選槽的寬度W比間隔S寬。

下面，說(shuō)明通過擴(kuò)大槽的寬度W，半導(dǎo)體裝置的耐壓提高的理由。在使半導(dǎo)體裝置從導(dǎo)通狀態(tài)成為截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，耗盡層不僅從與基區(qū)20的PN結(jié)，而且也從槽的底面周邊擴(kuò)展到漂移區(qū)10中。此時(shí)，優(yōu)選耗盡層的擴(kuò)展方式一樣且擴(kuò)展到更寬的范圍。在耗盡層的擴(kuò)展不均勻或狹窄的情況下，耐壓降低。在槽的寬度W較窄的情況下，作為電場(chǎng)集中點(diǎn)的槽的角部101彼此較近，因而在槽的底面的正下方，耗盡層的均勻性良好且擴(kuò)展到寬的范圍。但是，在槽的寬度W較寬的情況下，槽的角部101彼此較遠(yuǎn)，因而在角部101之間的槽的底面的正下方的耗盡層更加均勻或者擴(kuò)展到更寬的范圍。因此，在槽的寬度W較寬的半導(dǎo)體裝置中，耐壓提高。

并且，通過使槽和槽的間隔S相對(duì)變窄，半導(dǎo)體裝置的耐壓提高。這是基于以下的理由。即，槽之間的區(qū)域中的耗盡層的深度比槽的正下方的耗盡層的深度淺。在間隔S較寬時(shí)，從槽之間的區(qū)域中的與基區(qū)20的PN結(jié)擴(kuò)展的耗盡層進(jìn)一步平坦化。因此，槽的底面的耗盡層成為與從槽的側(cè)面擴(kuò)展的耗盡層連接的部分進(jìn)一步變形而得到的形狀。因此，電場(chǎng)集中在耗盡層變形的部分即槽的角部101的附近，耐壓降低。因此，優(yōu)選間隔S狹窄到某種程度，例如使間隔S比槽的寬度W狹窄。

如上所述，在圖1所示的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選槽的寬度W較寬、間隔S較窄。例如，形成如下的槽，在俯視觀察時(shí)，槽延伸的長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度比槽的寬度W長(zhǎng)，而且槽的寬度W比相鄰的槽和槽的間隔S寬。

在槽的寬度W較寬的情況下，具有柵極-集電極之間的反饋電容增加的傾向。但是，在圖1所示的半導(dǎo)體裝置中，通過在槽的底面配置使用底面電極150的電容部，能夠降低柵極-集電極之間的反饋電容。

在此，優(yōu)選底面電極150的寬度大于底面電極150的厚度。由此，能夠抑制柵電極50與底面電極150對(duì)置的部分，使柵電極50接近槽的角部101。其結(jié)果是，能夠抑制柵極-發(fā)射極之間的電容，確保耐壓。

然而，由于芯片面積是有界限的，因而在設(shè)芯片尺寸固定的情況下，在擴(kuò)大槽的寬度W時(shí)，溝道條數(shù)減少。此時(shí)，當(dāng)溝道區(qū)在半導(dǎo)體裝置的芯片尺寸中所占的比率減小至一定程度時(shí)，集電極-發(fā)射極之間的飽和電壓增大。因此，在因溝道條數(shù)的減少而引起的導(dǎo)通電壓的上升的效果大于通過擴(kuò)大槽的寬度W使空穴蓄積而導(dǎo)通電壓降低的效果時(shí)，半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)通電壓上升。

本實(shí)用新型的發(fā)明人們根據(jù)上述觀點(diǎn)進(jìn)行研究的結(jié)果是，優(yōu)選槽的寬度W約為3μm～20μm。另外，更優(yōu)選槽的寬度W約為5μm～13μm。根據(jù)本實(shí)用新型的發(fā)明人們的研究，在槽的寬度W約為7μm的情況下，能夠最有效地使導(dǎo)通電壓降低。由于槽的深度通常約為5μm，因而將槽的寬度W擴(kuò)大的結(jié)果是，產(chǎn)生槽的寬度W比槽的深度大的情況。

如以上說(shuō)明的那樣，在本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，從柵電極50的下表面到槽的底面的第1距離d1、比從底面電極150的下表面到槽的底面的第2距離d2長(zhǎng)。因此，能夠進(jìn)一步降低柵極-集電極之間的反饋電容。其結(jié)果是，半導(dǎo)體裝置的開關(guān)速度提高。并且，能夠抑制在半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部的放電的產(chǎn)生。因此，電氣特性穩(wěn)定。另外，通過擴(kuò)大槽的寬度W，能夠?qū)崿F(xiàn)高耐壓、低導(dǎo)通電壓的半導(dǎo)體裝置。

參照?qǐng)D3～圖10說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法。圖3～圖10圖示出包含一個(gè)槽的區(qū)域。另外，以下敘述的制造方法是一個(gè)例子，當(dāng)然能夠利用包括其變形例在內(nèi)的除此以外的各種制造方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。

如圖3所示，利用雜質(zhì)擴(kuò)散法或者外延生長(zhǎng)法在n^-型的漂移區(qū)10上形成p^-型的基區(qū)20，n^-型的漂移區(qū)10形成于p⁺型的集電區(qū)60和n⁺型的場(chǎng)終止區(qū)域65的層疊體上。例如，利用雜質(zhì)擴(kuò)散法從漂移區(qū)10的上表面將p型雜質(zhì)注入漂移區(qū)10中，然后通過退火處理進(jìn)行擴(kuò)散，使基區(qū)20形成為實(shí)質(zhì)上一樣的厚度?；鶇^(qū)20中的p型雜質(zhì)例如是硼(B)。然后，如圖4所示，例如采用離子注入和擴(kuò)散在基區(qū)20的上表面的一部分選擇性地形成n⁺型的發(fā)射區(qū)30。

然后，如圖5所示，形成從發(fā)射區(qū)30的上表面延伸并貫通發(fā)射區(qū)30和基區(qū)20、末端到達(dá)漂移區(qū)10的槽100。槽100能夠利用例如光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)形成。

然后，如圖6所示，在槽100的內(nèi)壁面上形成內(nèi)壁絕緣膜40。例如，利用熱氧化法形成氧化硅(SiO₂)作為內(nèi)壁絕緣膜40。內(nèi)壁絕緣膜40的膜厚例如約為100nm～300nm。

在形成內(nèi)壁絕緣膜40后，在整個(gè)面上形成添加了雜質(zhì)的多晶硅膜500。由此，如圖7所示，在槽100的內(nèi)部，在內(nèi)壁絕緣膜40上配置多晶硅膜500。此時(shí)，如圖7所示，槽100的內(nèi)部未被多晶硅膜500填埋，多晶硅膜500是沿著槽100的壁面形成的。

然后，如圖8所示，在形成有柵電極50的槽側(cè)面和形成有底面電極150的槽底面的多晶硅膜500的表面，利用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)等形成掩膜510。如圖8所示，在配置于槽側(cè)面的掩膜510a和形成于槽底面的掩膜510b之間設(shè)有間隙。例如，掩膜510a和掩膜510b使用氧化膜等。

蝕刻用掩膜采用圖8所示的掩膜510，通過各向同性蝕刻對(duì)多晶硅膜500進(jìn)行蝕刻。此時(shí)，利用從掩膜510a和掩膜510b的間隙進(jìn)入的蝕刻方式，對(duì)在槽100的角部配置的多晶硅膜500進(jìn)行蝕刻。由此，如圖9所示，在多晶硅膜500的下表面和內(nèi)壁絕緣膜40之間形成間隙。通過以上處理，形成由多晶硅膜500構(gòu)成的柵電極50。此時(shí)，在柵電極50的下表面和內(nèi)壁絕緣膜40之間沒有形成完全的間隙，在柵電極50的下表面和內(nèi)壁絕緣膜40部分接觸的情況下，第1距離d1和第2距離d2相等。并且，當(dāng)在柵電極50的下表面和內(nèi)壁絕緣膜40之間形成完全的間隙的情況下，通過后面的圖10的工序，間隙被層間絕緣膜70填埋，因而第1距離d1比第2距離d2長(zhǎng)。

并且，多晶硅膜500的被掩膜510b遮蓋的區(qū)域作為底面電極150殘留于槽100的底面。在該制造方法中，柵電極50和底面電極150是在同一工序中形成的，柵電極50的材料和底面電極150的材料相同。

在將掩膜510去除后，如圖10所示，在整個(gè)面上形成填埋槽100的層間絕緣膜70。然后，在層間絕緣膜70上形成與發(fā)射區(qū)30和基區(qū)20連接的發(fā)射電極90。例如，在層間絕緣膜70的一部分設(shè)置開口部，使發(fā)射區(qū)30和基區(qū)20的表面露出，形成填埋該開口部的發(fā)射電極90。另外，在集電區(qū)60的背面上形成集電電極80，完成圖1所示的半導(dǎo)體裝置。

根據(jù)以上說(shuō)明的本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠使從柵電極50的下表面到槽100的底面的第1距離d1、比從底面電極150的下表面到槽100的底面的第2距離d2長(zhǎng)或者與其相同。其結(jié)果是，能夠降低柵極-集電極之間的電容。另外，能夠抑制在柵電極50的端部51和底面電極150的端部151之間的放電、以及在柵電極50的端部51和槽的角部101之間的放電。

另外，為了形成使在槽的底面的膜厚比在槽的側(cè)面的膜厚厚的內(nèi)壁絕緣膜40，能夠采用以下的方法等。即，在槽100的內(nèi)壁整體形成氧化膜，然后蝕刻去除側(cè)面上的氧化膜。然后，在槽的側(cè)面上及底面上再次形成氧化膜。

另外，以上示例性地說(shuō)明了在同一工序中形成柵電極50和底面電極150、使柵電極50的材料和底面電極150的材料相同的情況。但是，也可以在不同的工序中形成柵電極50和底面電極150。在這種情況下，柵電極50的材料和底面電極150的材料也可以不同。

在參照?qǐng)D10說(shuō)明的層間絕緣膜70的形成過程中，需要在柵電極50的下方無(wú)間隙地配置層間絕緣膜70。為了在由柵電極50和底面電極150包圍的角部無(wú)間隙地埋設(shè)層間絕緣膜70，優(yōu)選層間絕緣膜70使用回流性較高的在形成時(shí)較柔軟的材料。

例如，層間絕緣膜70適合使用含有高濃度的磷(P)的BPSG膜等。但是，在柵電極50采用多晶硅膜的情況下，在BPSG膜和柵電極50接觸時(shí)，磷擴(kuò)散至柵電極50。其結(jié)果是，柵電極50的導(dǎo)電性變化，半導(dǎo)體裝置的特性劣化。

因此，為了使柵電極50的導(dǎo)電性不變，優(yōu)選如圖11所示，在柵電極50和由BPSG膜構(gòu)成的第1層間絕緣膜71之間配置第2層間絕緣膜72，作為防止磷的擴(kuò)散的保護(hù)膜。第2層間絕緣膜72使用不影響柵電極50的導(dǎo)電性的材料。例如，采用TEOS的NSG膜等適合于第2層間絕緣膜72。另外，第2層間絕緣膜72也可以形成為比第1層間絕緣膜71薄。通過形成較厚的層間絕緣膜71，能夠?qū)娱g絕緣膜70無(wú)間隙地填埋在槽內(nèi)。

如上所述，優(yōu)選使用將回流性較高但使柵電極50的導(dǎo)電性變化的材質(zhì)的第1層間絕緣膜71、和不影響柵電極50的導(dǎo)電性的第2層間絕緣膜72層疊而成的層間絕緣膜70。由此，能夠利用層間絕緣膜70無(wú)間隙地填埋槽的內(nèi)部直到角部，而且防止半導(dǎo)體裝置的特性的劣化。

另外，也可以通過使柵電極50的表面熱氧化，如圖12所示，在柵電極50和第2層間絕緣膜72之間配置熱氧化膜73。利用致密且膜厚均勻的熱氧化膜73，能夠更加可靠地防止磷從由BPSG膜構(gòu)成的第1層間絕緣膜71向柵電極50的擴(kuò)散。

另外，為了使層間絕緣膜70容易進(jìn)入到角部，如圖11所示，使柵電極50的下表面形成為連接?xùn)烹姌O50在槽的角部側(cè)的端部和柵電極50在底面電極150側(cè)的端部，也可以是柵電極50的下表面的至少一部分缺失。并且，也可以在柵電極50的下表面形成楔面，使得連接?xùn)烹姌O50在槽的角部側(cè)的端部和柵電極50在底面電極150側(cè)的端部。即，通過使柵電極50的下表面與槽100的底面的距離隨著接近槽100的側(cè)面而變短，層間絕緣膜70容易進(jìn)入到角部。

在此，在圖11的半導(dǎo)體裝置中，從柵電極50在槽的角部側(cè)的下表面的端部(柵電極50在槽的角部側(cè)的端部)到槽的底面的距離d3，比從底面電極150在柵電極50側(cè)的下表面到槽的下表面的距離d5長(zhǎng)。并且，柵電極50在底面電極150側(cè)的下表面的端部(柵電極50在底面電極150側(cè)的端部)位于比底面電極150在柵電極50側(cè)的上表面高的位置，柵電極50在底面電極150側(cè)的下表面的端部位于比底面電極150在柵電極50側(cè)的上表面靠上的位置。并且，從柵電極50在底面電極150側(cè)的端部到槽的底面的距離d4，比從底面電極150在柵電極50側(cè)的上表面到槽的底面的距離d6長(zhǎng)。而且，柵電極50的下表面形成為連接?xùn)烹姌O50在槽的角部側(cè)的下表面的端部和柵電極50在底面電極150側(cè)的端部。在柵電極50的下表面中至少一部分缺失，例如在柵電極50的下表面中設(shè)有楔面。在圖11的半導(dǎo)體裝置中，能夠抑制柵電極50在底面電極150側(cè)的端部和底面電極150之間的放電，減少半導(dǎo)體裝置錯(cuò)誤動(dòng)作的情況。

在此，也可以如圖17的半導(dǎo)體裝置所示，從柵電極50在槽的角部側(cè)的下表面的端部到槽的底面的距離d3，和從與柵電極50對(duì)置的一側(cè)的底面電極150的下表面到槽的上表面的距離d5相同。而且，在圖17的半導(dǎo)體裝置中，也是柵電極50在底面電極150側(cè)的下表面的端部位于比底面電極150在柵電極50側(cè)的上表面靠上的位置，在柵電極50的下表面設(shè)有楔面，使得從柵電極50在底面電極150側(cè)的下表面到槽的底面的距離d4，比到底面電極150的上表面的距離d6長(zhǎng)。因此，在圖17的半導(dǎo)體裝置中，也能夠減少在柵電極的端部和底面電極的端部之間產(chǎn)生放電而錯(cuò)誤動(dòng)作的情況。并且，雖然反饋電容比圖11的半導(dǎo)體裝置增加，但圖17的半導(dǎo)體裝置通過將柵電極50配置在槽的角部101的附近，改善了槽的角部101的附近的耐壓，因而是優(yōu)選的方式。

另外，也可以如圖18所示，從柵電極50在槽的角部側(cè)的端部到槽的底面的距離d3，比從與柵電極50對(duì)置的一側(cè)的底面電極150的下表面到槽的底面的距離d5短。而且，在圖18的半導(dǎo)體裝置中，也是柵電極50在底面電極150側(cè)的端部位于比底面電極150的上表面靠上的位置，在柵電極50的下表面設(shè)有楔面，使得從柵電極50在底面電極150側(cè)的端部到槽的底面的距離d4，比從底面電極150的上表面到槽的底面的距離d6長(zhǎng)。在圖18的半導(dǎo)體裝置中，也能夠抑制在柵電極的端部和底面電極的端部之間的放電的發(fā)生，減少錯(cuò)誤動(dòng)作的情況。并且，雖然反饋電容比圖11的半導(dǎo)體裝置增加，但圖18的半導(dǎo)體裝置通過將柵電極50配置在槽的角部101的附近，進(jìn)一步改善了槽的角部101的附近的耐壓，因而是更優(yōu)選的方式。

另外，也可以如圖11所示，使底面電極150形成為梯形狀，使得底面電極150的下表面大于底面電極150的上表面，底面電極150的膜厚隨著接近槽100的側(cè)面而變薄。由此，層間絕緣膜70也容易進(jìn)入到角部。

并且，如圖11所示，底面電極150的下表面與柵電極50在槽的角部側(cè)的端部之間的距離，比底面電極150的上表面與柵電極50在底面電極150側(cè)的端部之間的距離長(zhǎng)。由此，能夠使在柵電極50和底面電極150的間隙處產(chǎn)生的電場(chǎng)的畸變平緩。

在將槽100的寬度W擴(kuò)大的情況下，在槽100的上方，層間絕緣膜70的上表面產(chǎn)生凹坑，發(fā)射電極90和柵電極50的上部的間隔變窄，有可能耐壓降低。因此，也可以如圖11所示使柵電極50的上表面形成楔面。通過使柵電極50的上表面隨著接近槽100的中央部而降低，能夠抑制由于柵電極50和發(fā)射電極90接近而引起的半導(dǎo)體裝置的耐壓的減小。

<變形例>

圖13示出本實(shí)用新型的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的變形例。在圖13所示的半導(dǎo)體裝置中，內(nèi)壁絕緣膜40的膜厚在遠(yuǎn)離槽的側(cè)面的中央?yún)^(qū)域比在接近槽的側(cè)面的周邊區(qū)域厚。即，從底面電極150的下表面到槽的底面的距離，在中央?yún)^(qū)域比在底面電極150的周邊區(qū)域長(zhǎng)。因此，能夠降低半導(dǎo)體裝置的發(fā)射極-集電極之間的電容。

(其它實(shí)施方式)

如上所述利用實(shí)施方式記述了本實(shí)用新型，但不應(yīng)該理解為構(gòu)成本公開內(nèi)容的一部分的敘述及附圖是用于限定本實(shí)用新型的。顯而易見，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠從本公開內(nèi)容想到各式各樣的替代實(shí)施方式、實(shí)施例及應(yīng)用技術(shù)。

以上示出了半導(dǎo)體裝置是IGBT的示例。但是，半導(dǎo)體裝置也可以是采用溝槽柵型的其它構(gòu)造的開關(guān)元件。圖14示出半導(dǎo)體裝置是溝槽柵型的MOSFET的一例。圖14所示的半導(dǎo)體裝置是在漂移區(qū)10的下表面配置有n型的漏區(qū)160的構(gòu)造的MOSFET。在漏區(qū)160的下表面配置有與漏區(qū)160電連接的漏電極180。

即使是圖14所示的MOSFET的半導(dǎo)體裝置，通過使從柵電極50的下表面到槽的底面的第1距離d1、比從底面電極150的下表面到槽的底面的第2距離d2長(zhǎng)，也能夠降低柵極-漏極之間的反饋電容。其結(jié)果是，半導(dǎo)體裝置的開關(guān)速度提高。另外，即使是溝槽柵型的MOSFET，也可以使層間絕緣膜70形成為將圖11所示的第1層間絕緣膜71和第2層間絕緣膜72層疊而成的構(gòu)造。因此，能夠利用層間絕緣膜70無(wú)間隙地填埋槽的內(nèi)部直到角部，而且防止半導(dǎo)體裝置的特性的劣化。

另外，在圖1的半導(dǎo)體裝置中示出在柵電極50的下表面的整個(gè)面上、使從柵電極50的下表面到槽的底面的距離比從底面電極150的下表面到槽的底面的距離長(zhǎng)的情況。但是，在柵電極50的下表面的一部分中，使從柵電極50在底面電極150側(cè)的下表面到槽的底面的距離、比從與柵電極50對(duì)置的側(cè)面?zhèn)鹊牡酌骐姌O150的下表面到槽的底面的距離長(zhǎng)。另外，將柵電極50的在槽的側(cè)面?zhèn)鹊奈恢迷O(shè)為，一直延伸到比底面電極150的側(cè)面?zhèn)鹊纳媳砻娴奈恢每肯聜?cè)、且與底面電極150的側(cè)面?zhèn)鹊南卤砻娴奈恢么笾孪嗤?。在這種情況下，也能夠降低柵極-漏極之間的反饋電容。也可以如圖16～圖18的半導(dǎo)體裝置那樣，不在柵電極50和由BPSG膜構(gòu)成的第1層間絕緣膜71之間設(shè)置第2層間絕緣膜72/及熱氧化膜73作為防止磷的擴(kuò)散的保護(hù)膜。

例如，在圖15所示的半導(dǎo)體裝置中，不設(shè)置第2層間絕緣膜72/及熱氧化膜73，由第1層間絕緣膜71形成層間絕緣膜70。其中，柵電極50的底面電極側(cè)的端部比底面電極150在柵電極50側(cè)的上表面靠上，從柵電極50的下表面的一部分(柵電極50在底面電極150側(cè)的端部)到槽的底面的距離d4，比從底面電極150的上表面到槽的底面的距離d6長(zhǎng)。并且，從柵電極50的下表面的另一部分(柵電極50在槽的角部側(cè)的端部)到槽的底面的距離d3，與從底面電極150的下表面到槽的底面的距離d5相同。在圖15所示的半導(dǎo)體裝置中，能夠降低柵極-漏極之間的反饋電容。并且，能夠改善在槽的角部的耐壓。而且，能夠減少在柵電極50的端部和底面電極150的端部之間產(chǎn)生放電而錯(cuò)誤動(dòng)作的情況。

另外，在圖15所示的半導(dǎo)體裝置中也可以是，從柵電極50的下表面的另一部分(柵電極50在槽的角部側(cè)的端部)到槽的底面的距離d3，比從底面電極150的下表面到槽的底面的距離d5長(zhǎng)。在該半導(dǎo)體裝置中也能夠降低柵極-漏極之間的反饋電容。并且，能夠減少在柵電極50的端部和底面電極150的端部之間產(chǎn)生放電而錯(cuò)誤動(dòng)作的情況。

另外，在圖15所示的半導(dǎo)體裝置中也可以是，從柵電極50的下表面的另一部分(柵電極50在槽的角部側(cè)的端部)到槽的底面的距離d3，比從底面電極150的下表面到槽的底面的距離d5短。在該半導(dǎo)體裝置中，也能夠減少在柵電極50的端部和底面電極150的端部之間產(chǎn)生放電而錯(cuò)誤動(dòng)作的情況。并且，能夠進(jìn)一步改善在槽的角部的耐壓。而且，通過使柵電極50位于直到槽的角部附近的位置，能夠進(jìn)一步緩和槽的角部附近的電場(chǎng)。

并且，在圖16～圖18的半導(dǎo)體裝置中，在柵電極50的下表面設(shè)置楔面，但也可以不在柵電極50的下表面設(shè)置楔面，而使柵電極50在底面電極150側(cè)的下表面的高度與柵電極50在槽的角部側(cè)的底面的高度相同。并且，在圖16～圖18的半導(dǎo)體裝置中，也可以使柵電極50在底面電極150側(cè)的端部的高度比底面電極150的上表面的高度低。在上述的半導(dǎo)體裝置中，能夠更可靠地防止磷從由BPSG膜構(gòu)成的第1層間絕緣膜71向柵電極50的擴(kuò)散。

并且，在圖16～圖18的半導(dǎo)體裝置中，也可以適應(yīng)不設(shè)置底面電極150而采用公知的溝槽柵型的其它構(gòu)造的開關(guān)元件。在上述的半導(dǎo)體裝置中，能夠更可靠地防止磷從由BPSG膜構(gòu)成的第1層間絕緣膜71向柵電極50的擴(kuò)散。

并且，在圖11中將底面電極150設(shè)為梯形狀，使得底面電極150的膜厚隨著接近槽100的側(cè)面而變薄，即底面電極150的上表面的寬度小于底面電極150的下表面的寬度。但是，也可以將底面電極150設(shè)為如圖16所示的梯形狀，使得底面電極150的膜厚隨著接近槽100的側(cè)面而變厚。由此，被夾在底面電極150和柵電極50和內(nèi)壁絕緣膜40之間的層間絕緣膜70的部分與底面電極150及柵電極50的貼合性良好，在被焊接于層間絕緣膜70上的發(fā)射電極90時(shí)，能夠抑制在層間絕緣膜70產(chǎn)生偏移。

另外，圖16的半導(dǎo)體裝置與圖11的半導(dǎo)體裝置相比變更了底面電極150，反之在圖17或者圖18的半導(dǎo)體裝置中，也可以置換為如圖11的半導(dǎo)體裝置的底面電極150那樣的梯形狀的底面電極150，即底面電極150的上表面的寬度小于底面電極150的下表面的寬度。在這種情況下，能夠在厚度方向上充分確保柵電極50的下表面與底面電極150的距離，因而能夠良好地抑制柵電極50和底面電極150之間的放電。

另外，示例地說(shuō)明了半導(dǎo)體裝置是n溝道型的情況，但在半導(dǎo)體裝置是p溝道型時(shí)，顯而易見也能夠得到本實(shí)用新型的效果。

這樣，本實(shí)用新型當(dāng)然包含未在此處記述的各種實(shí)施方式等。因此，本實(shí)用新型的技術(shù)范圍只能利用根據(jù)上述的說(shuō)明是妥當(dāng)?shù)臋?quán)利要求書的相關(guān)實(shí)用新型特定事項(xiàng)確定。