技術(shù)編號：12593998
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及溝槽柵型的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)作為進(jìn)行大電流的開關(guān)動作的開關(guān)元件(功率半導(dǎo)體元件)，采用功率MOSFET和絕緣柵型雙極晶體管(IGBT)等。在這些開關(guān)元件中采用溝槽型的柵電極構(gòu)造(溝槽柵型)，即在形成于半導(dǎo)體基體的槽(溝槽)內(nèi)形成柵絕緣膜和柵電極。但是，在溝槽柵型的半導(dǎo)體裝置中，柵電極和漏區(qū)之間的電容(柵極-漏極間電容)、柵電極和集電區(qū)之間的電容(柵極-集電極間電容)等的反饋電容較大。因此，開關(guān)速度下降，在高頻動作中產(chǎn)生問題。在研究用于減小反饋電容的各種方法。例如，已公開了如下的構(gòu)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。