技術(shù)特征：

1.一種晶體管，其特征在于，所述晶體管包括柵極(5)、源極(3)、漏極(4)、絕緣層(1)和溝道層(2)；

所述柵極(5)和所述溝道層(2)分別位于所述絕緣層(1)的兩側(cè)，所述溝道層(2)僅為一個(gè)過渡金屬硫族化合物層；

所述源極(3)和所述漏極(4)分別位于所述溝道層(2)表面上的兩端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述源極(3)與所述漏極(4)的距離為20nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述過渡金屬硫族化合物層為WSe₂。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述過渡金屬硫族化合物層為MoS₂。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述絕緣層(1)為SiO₂。