本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種柔性顯示面板。
背景技術(shù):
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的柔性顯示面板的剖視圖。圖2為現(xiàn)有技術(shù)的柔性顯示面板的俯視圖。如圖1和2所示,現(xiàn)有技術(shù)的柔性顯示面板包括依次層疊的陣列基板8’、薄膜封裝層4’、水氧阻隔層5’、觸控電極層6’以及偏光層7’。其中,陣列基板8’可以包括依次層疊的柔性基板1’、TFT陣列2’以及有機(jī)發(fā)光器件層3’。為了使的面板切割過程中不會切到水氧阻隔層5’,其中,薄膜封裝層4’的至少部分邊沿未被水氧阻隔層5’遮蓋,薄膜封裝層4’相對于水氧阻隔層5’露出的邊沿的寬度W的范圍通常是200μm左右。由于水氧阻隔層5’的邊緣與薄膜封裝層4’的邊緣具有200μm左右的距離差,保證切割過程中不會切到水氧阻隔層5’,防止切割過程中對TFE造成的損傷。
而在觸控電極層6’位于水氧阻隔層5’上方的技術(shù)方案中,由于水氧阻隔層5’的內(nèi)縮,減小了觸控電極層6’的觸控電極走線的區(qū)域面積,使得觸控電極走線之間存在短路風(fēng)險(xiǎn)。但為了保障觸控電極走線穩(wěn)定性,就必須增加非顯示區(qū)域的面積,造成邊框加寬。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
針對現(xiàn)有技術(shù)中的問題,本實(shí)用新型的目的在于提供柔性顯示面板,改善邊角應(yīng)力,在縮小邊框?qū)挾鹊那疤嵯拢WC觸控走線穩(wěn)定性。
本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種柔性顯示面板,包括:
陣列基板;
有機(jī)發(fā)光單元,形成于所述陣列基板上;
薄膜封裝層,形成于所述有機(jī)發(fā)光單元上;以及
水氧阻隔層,形成于所述薄膜封裝層背離陣列基板一側(cè),所述水氧阻隔層的邊角為圓角或倒角。
優(yōu)選地,所述薄膜封裝層的邊部與相對應(yīng)的所述水氧阻隔層的邊部的距離范圍是0至50μm。
優(yōu)選地,所述水氧阻隔層的所述邊部為網(wǎng)格區(qū)域。
優(yōu)選地,還包括觸控電極層,包括多條形成于所述水氧阻隔層背離所述薄膜封裝層的一側(cè)上的觸控電極。
優(yōu)選地,所述網(wǎng)格區(qū)域包括多個半透孔和多個通孔中的任意一個或兩個。
優(yōu)選地,所述網(wǎng)格區(qū)域的寬度范圍為0至50μm。
優(yōu)選地,所述水氧阻隔層的網(wǎng)格區(qū)域的兩側(cè)外沿與所述薄膜封裝層的邊沿相對齊。
優(yōu)選地,所述觸控電極層還包括形成于所述水氧阻隔層的所述網(wǎng)格區(qū)域上的觸控走線。
本實(shí)用新型的柔性顯示面板具有下列優(yōu)點(diǎn):
本實(shí)用新型柔性顯示面板通過將水氧阻隔層的四角設(shè)置為圓角或倒角來改善邊角在切割時的應(yīng)力情況。
附圖說明
通過閱讀參照以下附圖對非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述,本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會變得更明顯。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的柔性顯示面板的剖視圖;
圖2為現(xiàn)有技術(shù)的柔性顯示面板的俯視圖;
圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一的柔性顯示面板的剖視圖;
圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例一的柔性顯示面板的俯視圖;
圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例一的觸控電極層的俯視圖;
圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例二的柔性顯示面板的俯視圖;
圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例二的柔性顯示面板的剖視圖;
圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例三的柔性顯示面板的俯視圖;
圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例三的柔性顯示面板的切割示意圖;以及
圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例三的柔性顯示面板的剖視圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而,示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施,且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式;相反,提供這些實(shí)施方式使得本實(shí)用新型將全面和完整,并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu),因而將省略對它們的重復(fù)描述。
圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一的柔性顯示面板的剖視圖。圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例一的柔性顯示面板的俯視圖。如圖3和4所示,本實(shí)施例的柔性顯示面板10包括:依次層疊的陣列基板8、薄膜封裝層4、水氧阻隔層5、觸控電極層6以及偏光層7。本實(shí)施例中的薄膜封裝層4位于陣列基板8的一側(cè)。水氧阻隔層5位于薄膜封裝層4背離陣列基板8一側(cè)的,并且水氧阻隔層5的四個邊角為圓角51或倒角(未示出)。水氧阻隔層5上的觸控電極層6中包括多條觸控電極以及多條觸控電極走線。
圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例一的觸控電極層的俯視圖。如圖5所示,本實(shí)施例中以觸控電極61以及觸控走線62為例,多條觸控電極61沿X方向排列,每條觸控電極61的一端連接一條沿Y方向延展的觸控走線62,X方向與Y方向垂直。例如,奇數(shù)行的觸控電極61自觸控電極層6的一側(cè)連接各自對應(yīng)的觸控走線62,偶數(shù)行的觸控電極61自觸控電極層6的另一側(cè)連接各自對應(yīng)的觸控走線62,不以此為限。由于觸控走線62的位置臨近觸控電極層6的兩側(cè),所以在常規(guī)的激光切割的過程中,觸控走線62容易受損。陣列基板8可以包括依次層疊的柔性基板1、TFT陣列2以及有機(jī)發(fā)光器件層3,但不以此為限。
在一個優(yōu)選例中,本實(shí)用新型中的薄膜封裝層4的至少部分邊沿未被水氧阻隔層5遮蓋,例如,薄膜封裝層4的兩側(cè)的邊沿都未被水氧阻隔層5遮蓋。并且,薄膜封裝層4相對于水氧阻隔層5露出的邊沿的寬度w范圍是0至50μm。
在另一個優(yōu)選例中,每個陣列基板8上的水氧阻隔層5是分別獨(dú)立形成的。
由于水氧阻隔層5的四個邊角為圓角51或倒角(未示出),需要說明的是,這里的倒角為一定角度的斜角,與圓角的弧度相對。在柔性顯示面板制程中,進(jìn)行切割柔性顯示面板時,因?yàn)橹苯?現(xiàn)有技術(shù))與倒角(本實(shí)用新型)在應(yīng)力情況上的不同,具有倒角的水氧阻隔層5不容易翹起,從而改善了水氧阻隔層5的四角受力的情況,使得水氧阻隔層5與薄膜封裝層4的邊緣的距離可以縮小到50微米以下時,觸控電極層6邊緣的觸控走線62不會受到激光切割的損傷,仍然可以保證觸控走線62穩(wěn)定性。
圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例二的柔性顯示面板的俯視圖。圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例二的柔性顯示面板的剖視圖。如圖6和7所示,本實(shí)施例的柔性顯示面板包括:依次層疊的陣列基板8、薄膜封裝層4、水氧阻隔層5、觸控電極層6以及偏光層7。本實(shí)施例中的薄膜封裝層4位于陣列基板8的一側(cè)。水氧阻隔層5位于薄膜封裝層4背離陣列基板8一側(cè)的,并且水氧阻隔層5的四角為圓角51或倒角(未示出)。不同于上述實(shí)施例一中的柔性顯示面板的是,本實(shí)施例柔性顯示面板中的水氧阻隔層5的至少部分邊沿為網(wǎng)格區(qū)域52,例如,水氧阻隔層5的兩側(cè)分別設(shè)有一網(wǎng)格區(qū)域52。網(wǎng)格區(qū)域52的寬度d范圍為0至50μm,但不以此為限。網(wǎng)格區(qū)域52包括多個半透孔。半透孔的開口方向朝向觸控電極層6,但不以此為限。優(yōu)選地,半透孔的開口方向垂直于水氧阻隔層5所在的平面水氧阻隔層5的兩側(cè)的網(wǎng)格區(qū)域52的半透孔可以是通過刻蝕的方式,形成于水氧阻隔層5邊沿的上表面,但不以此為限。
圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例三的柔性顯示面板的俯視圖。本實(shí)施例的柔性顯示面板中,網(wǎng)格區(qū)域52上也可以布設(shè)觸控走線62。奇數(shù)行的觸控電極61自觸控電極層6的一側(cè)連接各自對應(yīng)的觸控走線62,偶數(shù)行的觸控電極61自觸控電極層6的另一側(cè)連接各自對應(yīng)的觸控走線62,不以此為限。觸控電極層6中兩側(cè)的觸控走線62可以分別布設(shè)在網(wǎng)格區(qū)域52,優(yōu)選是網(wǎng)格區(qū)域52靠近非網(wǎng)格區(qū)域53的部分,以此可以獲得更窄的邊框?qū)挾?。在切割時,并不是整個的網(wǎng)格區(qū)域52都會收到激光切割,所以,圖8中的靠近非網(wǎng)格區(qū)域53的網(wǎng)格區(qū)域52上布設(shè)的觸控走線62,也不會受到激光切割。
圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例三的柔性顯示面板的切割示意圖。如圖9所示,在柔性顯示面板制程中,由于水氧阻隔層5上的觸控電極層6中設(shè)有多條觸控電極61和多條觸控走線62,觸控電極61和觸控走線62形成于水氧阻隔層5背離薄膜封裝層4的一側(cè)的非網(wǎng)格區(qū)域53。進(jìn)行切割柔性顯示面板時,激光直接在網(wǎng)格區(qū)域52進(jìn)行切割,不但降低了切割難度,而且觸控電極層6邊緣的觸控走線62不會受到激光切割的損傷,仍然可以保證觸控走線62穩(wěn)定性。
在一個優(yōu)選例中,得益于水氧阻隔層5的四個邊角為圓角51或倒角(未示出),水氧阻隔層5的兩側(cè)分別設(shè)有一供切割用的網(wǎng)格區(qū)域52,能夠更充分保證切割時觸控走線62穩(wěn)定性,使得水氧阻隔層5的網(wǎng)格區(qū)域52的外沿可以與薄膜封裝層4的邊沿重疊,進(jìn)一步提升窄邊框效果。
在另一個優(yōu)選例中,每個陣列基板8上的水氧阻隔層5是分別獨(dú)立形成的,每一片水氧阻隔層5對應(yīng)一個陣列基板8,以達(dá)到更高的匹配精度。
圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例三的柔性顯示面板的剖視圖。如圖10所示,本實(shí)施例的柔性顯示面板與實(shí)施例二的柔性顯示面板的區(qū)別在于,水氧阻隔層5中的網(wǎng)格區(qū)域52包括多個通孔。優(yōu)選地,通孔的方向垂直于水氧阻隔層5所在的平面。在切割時,由通孔組成的網(wǎng)格區(qū)域52可以進(jìn)一步降低切割難度,其他技術(shù)特征如前所述,此處不再贅述。
在一個變形例子中,水氧阻隔層5中的網(wǎng)格區(qū)域52也可以包括多個半透孔和多個通孔的組合,其他技術(shù)特征如前所述,此處不再贅述。
本實(shí)用新型的柔性顯示面板的制造方法,包括以下步驟:
S100、提供陣列基板8。
S200、在陣列基板8上形成有機(jī)發(fā)光單元,然后在陣列基板8的一側(cè)形成薄膜封裝層4。在本實(shí)施例中,可以采用薄膜封裝工藝形成薄膜封裝層,可以在有機(jī)發(fā)光單元上交替設(shè)置有機(jī)層和無機(jī)層從而形成薄膜封裝層,既能夠減少機(jī)械損傷,又能夠阻擋水和氧擴(kuò)散。由于制作有機(jī)發(fā)光單元以及形成薄膜封裝層的工藝為現(xiàn)有工藝,在此不贅述。
S300、在薄膜封裝層4背離陣列基板8的一側(cè)形成水氧阻隔層5,水氧阻隔層5的四角為圓角51或倒角(未示出),具有倒角的水氧阻隔層5不容易翹起,從而改善了水氧阻隔層5的四角受力的情況,使得水氧阻隔層5與薄膜封裝層4的邊緣的距離可以縮小到50微米以下時,觸控電極層6邊緣的觸控走線62不會受到激光切割的損傷,仍然可以保證觸控走線62穩(wěn)定性。其中,而制備水氧阻隔層5時分別采用濺射法、原子層沉積法、化學(xué)氣相沉積法和真空蒸鍍法中任意一種成膜方法或任意多種成膜方法的組合,但不以此為限。對于水氧阻隔層的材料,多采用結(jié)構(gòu)致密,性質(zhì)穩(wěn)定的材料。沉積成膜過程的不同,會導(dǎo)致膜層結(jié)構(gòu)的變化,但在沉積過程中始終需要保持材料原有的致密性,減少缺陷的出現(xiàn),這樣能夠使得膜層中的水汽通路數(shù)量下降,最終呈現(xiàn)出良好的水氧阻隔性。例如:水氧阻隔層5可以是為陶瓷膜和聚合物膜的疊層構(gòu)成。其中,陶瓷膜是SiOx、Si3N4、SiNxOy、Al2O3、AlN、MgO其中的一種,聚合物膜是氟化聚合物、聚對二甲苯、甲基環(huán)戊烯醇、聚苯烯酸其中的一種,但不以此為限。
S400、在水氧阻隔層5背離薄膜封裝層4的一側(cè)的非網(wǎng)格區(qū)域53形成有觸控電極層6。
在一個優(yōu)選例中,在步驟S200中,薄膜封裝層4的至少部分邊沿未被水氧阻隔層5遮蓋,沿薄膜封裝層4相對于水氧阻隔層5露出的邊沿切割柔性顯示面板。薄膜封裝層4相對于水氧阻隔層5露出的邊沿的寬度w范圍是0至50μm。(參見圖4)
在另一個優(yōu)選例中,在步驟S300中,水氧阻隔層5的至少部分邊沿形成為網(wǎng)格區(qū)域52,在網(wǎng)格區(qū)域52切割柔性顯示面板。形成網(wǎng)格區(qū)域52的方法為刻蝕多個半透孔和/或多個通孔。網(wǎng)格區(qū)域52的半透孔和/或通孔可以是通過刻蝕的方式,形成于水氧阻隔層5邊沿的上表面,但不以此為限。優(yōu)選地,網(wǎng)格區(qū)域52的寬度d范圍為0至50μm。(參見圖5)
本實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,可以包括上述任意一種柔性顯示面板。顯示裝置可以為手機(jī)、臺式電腦、筆記本、平板電腦、電子相冊等。
綜上,本實(shí)用新型柔性顯示面板通過將水氧阻隔層的四角設(shè)置為圓角或倒角來改善邊角在切割時的應(yīng)力情況,在縮小邊框?qū)挾鹊那疤嵯拢WC觸控走線穩(wěn)定性。
以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明,不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下,還可以做出若干簡單推演或替換,都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。