本實(shí)用新型屬于發(fā)光二極管的外延技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種用于倒裝的LED芯片的外延片的制備技術(shù)。
背景技術(shù):
近年來(lái),高亮度四元系A(chǔ)lGaInP發(fā)光二極管具有耗電低、發(fā)光效率高、壽命長(zhǎng)、體積小、成本低等特點(diǎn),因此在照明以及光纖通信系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。四元系(AlxGa1-x)0.5In0.5P 材料體系可與GaAs襯底晶格匹配且隨Al組分的變化,直接帶隙可從1.9cV變化到2.3cv,波長(zhǎng)從560nm到650nm,進(jìn)而可實(shí)現(xiàn)從綠色到紅色發(fā)光?;谒脑担ˋlxGa1-x)0.5In0.5P 材料體系的LED的發(fā)光效率的提升,有多種方法。采用倒裝結(jié)構(gòu)可以極大地提高LED亮度,但是,倒裝外延結(jié)構(gòu)中n面和p面的電流擴(kuò)展能力的優(yōu)劣會(huì)極大影響LED外延結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率及良率。
基于此,有必要采用一種全新的電流擴(kuò)展方法,來(lái)提升現(xiàn)有AlGaInP基倒裝LED 外延結(jié)構(gòu)發(fā)光效率、光電性能、以及良率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型目的是提出一種可提升AlGaInP基倒裝LED 外延結(jié)構(gòu)發(fā)光效率、光電性能、以及良率的LED芯片的外延片。
本實(shí)用新型在襯底的同一側(cè)設(shè)置n-GaAs緩沖層、n-(AlxGa1-x)0.5In0.5P腐蝕截止層、n-GaAs接觸層、n-(AlxGa1-x)0.5In0.5P粗化層、n-(AlxGa1-x)0.5In0.5P電流擴(kuò)展層、n型超晶格層、n-InAlP限制層、有源層、p-InAlP限制層、p型超晶格層和p-GaP窗口層,所述n型超晶格層由周期交替設(shè)置的勢(shì)阱層和勢(shì)壘層組成,所述p型超晶格層由周期交替設(shè)置的勢(shì)阱層和勢(shì)壘層組成。
本實(shí)用新型在電流擴(kuò)展層與n-AlInP限制層之間設(shè)置n型超晶格插入層,在p-AlInP限制層與p-GaP窗口層之間設(shè)置p型超晶格插入層,提升n面與p面的電流擴(kuò)展能力,提高現(xiàn)有AlGaInP基倒裝LED 外延結(jié)構(gòu)發(fā)光效率、光電性能、以及良率。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:p型超晶格層對(duì)載流子的遷移會(huì)起到一定的緩沖作用,勢(shì)阱層將產(chǎn)生和束縛大量空穴,形成二維空穴高密態(tài);勢(shì)壘層會(huì)阻礙空穴的逃逸,提高空穴的橫向分布,阻擋電子外溢,增加空穴的注入效率,提高電子和空穴的復(fù)合幾率,提高器件亮度,此外,p型超晶格層自身存在一定的隧道效應(yīng),因而不會(huì)導(dǎo)致正向電壓的明顯升高,同時(shí),p型超晶格的多層結(jié)構(gòu)可以減少p-AlInP限制層與P-GaP窗口層之間的晶格失配度,有效減小了P-GaP窗口層的位錯(cuò)密度。
同樣,n型超晶格層可有效提高電子在n -(AlxGa1-x)0.5In0.5P電流擴(kuò)展層的橫向運(yùn)動(dòng)(即有效增強(qiáng)了n -(AlxGa1-x)0.5In0.5P電流擴(kuò)展層的電流擴(kuò)展能力),進(jìn)而有效提高了AlGaInP外延結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。
綜上所述,本實(shí)用新型產(chǎn)品可有效提升AlGaInP基倒裝LED 外延結(jié)構(gòu)發(fā)光效率、光電性能、以及良率。
進(jìn)一步地,本實(shí)用新型所述n型超晶格層的勢(shì)阱層和勢(shì)壘層的交替周期數(shù)為3~15,單個(gè)周期勢(shì)阱層和勢(shì)壘層的總厚度為5nm~20nm。該設(shè)置可使用MOCVD一次性外延生長(zhǎng),工藝簡(jiǎn)單,且可取得較為理想的效果,同時(shí)也可避免層數(shù)過(guò)多而增加生產(chǎn)成本。
所述p型超晶格層的勢(shì)阱層和勢(shì)壘層的交替周期數(shù)為3~15,單個(gè)周期勢(shì)阱層和勢(shì)壘層的總厚度為5nm~20nm。該設(shè)置可使用MOCVD一次性外延生長(zhǎng),工藝簡(jiǎn)單,且可取得較為理想的效果,同時(shí)也可避免層數(shù)過(guò)多而增加生產(chǎn)成本。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型中n型超晶格層的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本實(shí)用新型中p型超晶格層的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
一、制備工藝:
如圖1所示,采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)的方法,在n-GaAs襯底1上由下至上外延生長(zhǎng)n-GaAs緩沖層2,n-(AlxGa1-x)0.5In0.5P腐蝕截止層3,n-GaAs接觸層4,n-(AlxGa1-x)0.5In0.5P粗化層5,n-(AlxGa1-x)0.5In0.5P電流擴(kuò)展層6,n型超晶格層7,n-InAlP限制層8,有源層9,p-InAlP限制層10,p型超晶格層11,p-GaP窗口層。
其中,n型超晶格層7由n-(AlxGa1-x)0.5In0.5P勢(shì)阱層和n-(AlyGa1-y)0.5In0.5P勢(shì)壘層周期交替生長(zhǎng)形成,0.4<x<1,0.4<y≤1,且x<y。n型超晶格層中勢(shì)阱層和勢(shì)壘層的交替周期數(shù)為3~15,在生長(zhǎng)n型超晶格層時(shí),采用Si2H6作為摻雜源。n型超晶格層的單個(gè)周期超晶格的厚度為5nm~20nm。
p型超晶格層11由p-(AlxGa1-x)0.5In0.5P勢(shì)阱層和p-(AlyGa1-y)0.5In0.5P勢(shì)壘層周期交替生長(zhǎng)形成,0.4<x<1,0.4<y≤1,且x<y。p型超晶格層中勢(shì)阱層和勢(shì)壘層的交替周期數(shù)為3~15,在生長(zhǎng)p型超晶格層時(shí),采用Cp2Mg作為摻雜源。p型超晶格層的單個(gè)周期超晶格的厚度為5nm~20nm。
在制作p-GaP窗口層時(shí),以Mg作為摻雜元素,先后制作形成p-GaP厚層12和p-GaP表層13。
二、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)特點(diǎn):
如圖1所示,在n-GaAs襯底1的同一側(cè)依次外延生長(zhǎng)有n-GaAs緩沖層2、n-(AlxGa1-x)0.5In0.5P腐蝕截止層3、n-GaAs接觸層4、n-(AlxGa1-x)0.5In0.5P粗化層5、n-(AlxGa1-x)0.5In0.5P電流擴(kuò)展層6、n型超晶格層7、n-InAlP限制層8、有源層9、p-InAlP限制層10、p型超晶格層11和由p-GaP厚層12和p-GaP表層13構(gòu)成的p-GaP窗口層。
如圖2所示,n型超晶格層由周期交替設(shè)置的勢(shì)阱層7-1和勢(shì)壘層7-2組成。
圖3所示,p型超晶格層由周期交替設(shè)置的勢(shì)阱層11-1和勢(shì)壘層11-2組成。