本實(shí)用新型涉及電抗技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種口字型磁芯及多線包電抗器。

背景技術(shù)：

現(xiàn)階段磁性元器件都朝著更高頻率、更小體積、更高效率發(fā)展，對(duì)電抗器的性能要求越來(lái)越高，如何提高電抗器的效率，節(jié)約成本，推進(jìn)節(jié)能是電抗器行業(yè)發(fā)展關(guān)注的重點(diǎn)。

傳統(tǒng)磁芯的氣隙分布比較集中，漏磁大，氣隙損耗大。

傳統(tǒng)電抗器為雙線包結(jié)構(gòu)，線包在左右磁芯中柱位置，上下軛片無(wú)線包，漏磁較大，亦造成磁芯浪費(fèi)；氣隙分布比較集中，漏磁大，氣隙損耗大。另外，對(duì)于大電流或者電流密度取得較小時(shí)，雙線包結(jié)構(gòu)中的單個(gè)線包要求所用線材選用大的截面積，銅線較粗，繞線時(shí)操作困難。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

(一)解決的技術(shù)問(wèn)題

本實(shí)用新型的目的在于提供一種口字型磁芯及多線包電抗器，解決了現(xiàn)有電抗器漏磁大、氣隙損耗大、繞線困難等技術(shù)問(wèn)題。

(二)技術(shù)方案

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)：

一方面，本實(shí)用新型提供了一種口字型磁芯，所述口字型磁芯包括左磁芯中柱、上軛片、右磁芯中柱和下軛片；所述左磁芯中柱、上軛片、右磁芯中柱和下軛片形成一個(gè)中心為口字型的閉合磁路；所述左磁芯中柱、上軛片、右磁芯中柱和下軛片上均至少留有1個(gè)氣隙。

進(jìn)一步的，所述左磁芯中柱、上軛片、右磁芯中柱和下軛片上的氣隙的數(shù)量均為2。

進(jìn)一步的，相鄰氣隙的間距為該相鄰氣隙所在邊的長(zhǎng)度1/3；該邊是指中心的口字型的邊。

進(jìn)一步的，所述左磁芯中柱、上軛片、右磁芯中柱和下軛片上的氣隙寬度相同。

進(jìn)一步的，所述左磁芯中柱和右磁芯中柱上的氣隙位置對(duì)應(yīng)；所述上軛片和下軛片的氣隙位置對(duì)應(yīng)。

進(jìn)一步的，所述氣隙填充有非導(dǎo)磁材料。

進(jìn)一步的，所述左磁芯中柱、右磁芯中柱、上軛片和下軛片均由若干個(gè)塊狀磁芯拼接而成。

另一方面，本實(shí)用新型還提供了一種多線包電抗器，所述多線包電抗器包括如上述所述的口字型磁芯。

進(jìn)一步的，所述左磁芯中柱、上軛片、右磁芯中柱和下軛片上均分布有線包。

進(jìn)一步的，所述線包包裹住所述氣隙。

(三)有益效果

本實(shí)用新型實(shí)施例具有如下的有益效果：

1、本實(shí)用新型的口字型磁芯的氣隙分散對(duì)稱分布于整個(gè)磁路中，單個(gè)氣隙小，可以使氣隙位置漏磁小，降低氣隙損耗。

2、本實(shí)用新型的多線包電抗器的上下軛片及兩個(gè)磁芯中柱上均勻分布有線包，從而減小了漏磁，且成本低。

3、本實(shí)用新型的多線包電抗器將多個(gè)線包并聯(lián)，相同電流密度下，單個(gè)線包可以選用較細(xì)的線材，便于生產(chǎn)操作。

4、本實(shí)用新型的多線包電抗器上每邊均設(shè)置有線包，增大了線圈散熱面積，降低溫升。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為一實(shí)施例的口字型磁芯結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為另一實(shí)施例的多線包電抗器結(jié)構(gòu)示意圖；

其中，1為口字型磁芯、1-1為左磁芯中柱、1-2為上軛片、1-3為右磁芯中柱、1-4為下軛片、2為線包。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

下面結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作詳細(xì)說(shuō)明。

本實(shí)施例給出了一種口字型磁芯，如圖1所示，該口字型磁芯1包括左磁芯中柱1-1、上軛片1-2、右磁芯中柱1-3、下軛片1-4。

左磁芯中柱1-1、上軛片1-2、右磁芯中柱1-3、下軛片1-4形成一個(gè)中心為口字型的閉合磁路。左磁芯中柱1-1、上軛片1-2、右磁芯中柱1-3、下軛片1-4均由若干個(gè)塊狀磁芯拼接而成。

為了防止由于氣隙分布集中而引起的較大的漏磁和較大的氣隙損耗大，本實(shí)施例采取了如下技術(shù)措施：

1、左磁芯中柱1-1、上軛片1-2、右磁芯中柱1-3、下軛片1-4上均至少留有一氣隙，氣隙的數(shù)量?jī)?yōu)選為2。

2、相鄰氣隙3的間距為該相鄰氣隙3所在邊的長(zhǎng)度的1/3，該邊是指中心的口字的邊。如圖1中的第一氣隙3-1和第二氣隙3-2的間距為口字型第一邊1-1-1的寬度的1/3。

3、左磁芯中柱1-1、上軛片1-2、右磁芯中柱1-3、下軛片1-4上的氣隙3的氣隙的寬度相同。如圖1中的第一氣隙3-1和第二氣隙3-2寬度相同。

4、左磁芯中柱1-1和右磁芯中柱1-3上的氣隙位置對(duì)應(yīng)，如圖1在的第一氣隙3-1和第三氣隙3-3位置對(duì)應(yīng)。同理，上軛片1-2和下軛片1-4的氣隙位置對(duì)應(yīng)。

通過(guò)上述技術(shù)措施，使得氣隙分散對(duì)稱分布于整個(gè)磁路中，單個(gè)氣隙小，可以使氣隙位置漏磁小，降低氣隙損耗。

本實(shí)施例的氣隙填充有非導(dǎo)磁材料。

本實(shí)施例的氣隙分散對(duì)稱分布于整個(gè)磁路中，單個(gè)氣隙小，可以使氣隙位置漏磁小，降低氣隙損耗。

另一實(shí)施例利用上述所述的口字型磁芯，給出了一種多線包電抗器，如圖2所示，該多線包電抗器包括如上述所述的口字型磁芯1。左磁芯中柱1-1、上軛片1-2、右磁芯中柱1-3、下軛片1-4上的氣隙3均被線包2包裹住。本實(shí)施例中的左磁芯中柱1-1、上軛片1-2、右磁芯中柱1-3、下軛片1-4上的線包2的數(shù)量均為1。

綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例具有如下的有益效果：

1、本實(shí)用新型實(shí)施例在上下軛片及兩個(gè)磁芯中柱上均勻分布有線包，從而減小了漏磁，且成本低。

3、本實(shí)用新型實(shí)施例將多個(gè)線包并聯(lián)，相同電流密度下，單個(gè)線包可以選用較細(xì)的線材，便于生產(chǎn)操作。

4、本實(shí)用新型實(shí)施例的口字型磁芯上每邊均設(shè)置有線包，增大了線圈散熱面積，降低溫升。

需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。