技術(shù)總結(jié)
本實用新型提供了一種高壓覆晶LED芯片，包括襯底，其中：所述的襯底上端面依次設(shè)有緩沖層、N型層、量子阱層、P型層、ITO層和增透膜，襯底底部依次設(shè)有絕緣膜導(dǎo)熱焊盤和熱擴散件，不同的LED芯片單元通過隔離槽進(jìn)行隔離，隔離槽內(nèi)填充有絕緣熒光層，N型層和P型層上分別設(shè)有N型電極和P型電極，電極之間通過連接橋相連。本實用新型提供了一種高壓覆晶LED芯片，能夠改善高壓LED芯片散熱問題，并且能有效降低由折射率突變引起的反射損耗和光線的全內(nèi)反射，從而提高出光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：陳錦全
受保護的技術(shù)使用者：肇慶市歐迪明科技有限公司
文檔號碼：201620783142
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.22
技術(shù)公布日：2016.12.28