本實用新型涉及一種LED芯片，具體涉及一種高壓覆晶LED芯片，屬于LED照明技術領域。

背景技術：

LED是一種節(jié)能、環(huán)保和長壽命、無污染的發(fā)光器件，現(xiàn)有公知的高壓LED由于ITO層的折射率較大，大量的光線因全內(nèi)反射而轉換為熱量損耗掉。同時，由于界面折射率的突變引起光線的反射損耗，從而對高壓的LED的出光效率造成不良影響，此外，LED芯片大多生長的藍寶石襯底上，主要通過傳導散熱，而藍寶石襯底由于較厚，所以熱量難于導出，熱量聚集在芯片會影響芯片可靠性，增加光衰和減少芯片壽命。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型提供了一種高壓覆晶LED芯片，能夠改善高壓LED芯片散熱問題，并且能有效降低由折射率突變引起的反射損耗和光線的全內(nèi)反射，從而提高出光效率。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是：

一種高壓覆晶LED芯片，包括襯底，其中：所述的襯底上端面依次設有緩沖層、N型層、量子阱層、P型層、ITO層和增透膜，襯底底部依次設有絕緣膜導熱焊盤和熱擴散件，不同的LED芯片單元通過隔離槽進行隔離，隔離槽內(nèi)填充有絕緣熒光層，N型層和P型層上分別設有N型電極和P型電極，電極之間通過連接橋相連。

上述的襯底上至少包括兩個及以上的LED芯片單元，各個芯片單元之間通過連接橋進行串聯(lián)。從而實現(xiàn)在高壓電流下使用。

上述的熱擴散件為板式結構，其中底面設有高壓絕緣層，總面積大于LED晶片的面積。

上述的絕緣熒光層由絕緣材料和熒光材料制備而成，絕緣材料可以采用通常使用的SiO或者其它絕緣類材料。該材料具有發(fā)光效率高，填洞能力強，平整度高，絕緣性能好的特點。

上述的增透膜采用SiON材料，厚度為LED發(fā)光波長的四分之一。最好的增透膜材料的折射率應盡量接近1.58，而SiON的折射率可以實現(xiàn)1.6-1.7的范圍內(nèi)可調(diào)一般為1.58-1.71，因此SiON是目前最為優(yōu)秀的增透膜材料，可以實現(xiàn)較好的反射性能；并且在此厚度下，能夠?qū)崿F(xiàn)最佳的增透效果。

上述的增透膜除覆蓋ITO層上方外，還覆蓋ITO層上表面至N型層的側面，且ITO層上方的增透膜具有圓柱狀微結構。

上述的絕緣膜為陶瓷絕緣膜，采用氣相沉積方法固定于襯底的下面。采用氣相沉積法生成的陶瓷絕緣膜，致密、絕緣性好、導熱性高。

本實用新型至少具有如下技術效果或優(yōu)點：

能夠改善高壓LED芯片散熱問題，并且能有效降低由折射率突變引起的反射損耗和光線的全內(nèi)反射，從而提高出光效率；采用可融入芯片工藝的發(fā)光薄膜作為絕緣層，其布局合理、結構新穎，絕緣熒光層發(fā)光效率高、填洞能力強、平整度高、絕緣性能好。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本申請實施例的結構示意圖。

圖1中，1、熱擴散件，2、導熱焊盤，3、絕緣膜，4、襯底，5、緩沖層，6、N型層，7、量子阱層，8、P型層，9、ITO層，10、增透膜，11、絕緣熒光層，12、連接橋，13、隔離槽，14、N型電極，15、P型電極。

具體實施方式

為了更好的理解上述技術方案，下面將結合說明書附圖以及具體的實施方式對上述技術方案進行詳細的說明。

如圖1所示，一種高壓覆晶LED芯片，包括襯底4，其中：襯底4端面依次設有緩沖層5、N型層6、量子阱層7、P型層8、ITO層9和增透膜10，襯底4底部依次設有絕緣膜3、導熱焊盤2和熱擴散件1，不同的LED芯片單元通過隔離槽13進行隔離，隔離槽13內(nèi)填充有絕緣熒光層11，N型層6和P型層8上分別設有N型電極14和P型電極15，電極之間通過連接橋12相連。

其中，在實際應用中，所述的襯底4上至少包括兩個及以上的LED芯片單元，各個芯片單元之間通過連接橋12進行串聯(lián)。

其中，在實際應用中，所述的熱擴散件1為板式結構，其中底面設有高壓絕緣層，總面積大于LED晶片的面積。

其中，在實際應用中，所述的絕緣熒光層11由絕緣材料和熒光材料制備而成，絕緣材料可以采用通常使用的SiO₂或者其它絕緣類材料。

其中，在實際應用中，所述的增透膜10采用SiON材料，厚度為LED發(fā)光波長的四分之一。

其中，在實際應用中，所述的增透膜10除覆蓋ITO層9上方外，還覆蓋ITO層9上表面至N型層6的側面，且ITO層9上方的增透膜10具有圓柱狀微結構。

其中，在實際應用中，所述的絕緣膜3為陶瓷絕緣膜，采用氣相沉積方法固定于襯底4的下面。

以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制，雖然本實用新型已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本實用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本實用新型技術方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本實用新型技術方案的內(nèi)容，依據(jù)本實用新型的技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型技術方案的范圍內(nèi)。