1.一種近自然光譜的LED倒裝照明器件,包括LED倒裝芯片,其特征在于:
在所述倒裝芯片上依次設(shè)有熒光粉層和透明熒光陶瓷層,且所述熒光粉層包圍所述LED倒裝芯片,所述透明熒光陶瓷層覆蓋于所述熒光粉層的上表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于:所述熒光粉層的熒光粉為(Y1-xCex)3(Al1-yCry)5O12;
所述(Y1-xCex)3(Al1-yCry)5O12中,0≤x≤1或x=0.02,0≤y≤1或y=0.008;
所述熒光粉層的熒光粉的發(fā)射峰值為680-750nm或710nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于:構(gòu)成所述透明熒光陶瓷層的材料為Y3Al5O12:Ce3+;
所述透明熒光陶瓷層的發(fā)射峰值為530-580nm或552nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于:所述熒光粉層的厚度為0.05-0.12mm或0.0.9mm;
所述透明熒光陶瓷層的厚度為0.15-0.3mm或0.2mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于:所述近自然光譜的LED倒裝照明器件由基板和位于所述基板上的電路、正負電極、圍壩及若干個芯片單元組成;
所述圍壩包圍所有芯片單元;
所述正負電極分別位于所述基板上不被所述圍壩包圍的區(qū)域;
每個芯片單元與所述電路相連;
每個芯片單元由下至上依次由LED倒裝芯片、熒光粉層和透明熒光陶瓷層組成,且所述熒光粉層包圍所述LED倒裝芯片,所述透明熒光陶瓷層覆蓋于所述熒光粉層的上表面;
所述LED倒裝芯片底端設(shè)有芯片電極,所述芯片電極與所述電路相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件,其特征在于:所述基板為氮化鋁基板、鋁基板、銅基板或氧化鋁基板;
所述LED倒裝芯片的發(fā)射波長為445nm-465nm或450-452.5nm;
構(gòu)成所述正負電極的材料為金或銀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一所述的器件,其特征在于:所述近自然光譜的LED倒裝照明器件的色溫為2700-6000K或4200K。