技術(shù)總結(jié)
提供了半導(dǎo)體封裝，其中散熱區(qū)域被布置以釋放第一半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱。散熱區(qū)域包括以下之一：第一半導(dǎo)體芯片附接至的焊盤的表面；焊盤附接至的導(dǎo)電層的表面，其中第一半導(dǎo)體芯片附接至焊盤；第一半導(dǎo)體芯片附接至的導(dǎo)電層的表面；附接至導(dǎo)電層的散熱片的表面區(qū)域，其中第一半導(dǎo)體芯片附接至導(dǎo)電層；附接至導(dǎo)電層的散熱片陣列的表面區(qū)域，其中第一半導(dǎo)體芯片附接至導(dǎo)電層；附接至導(dǎo)電層的多個散熱翅片的表面區(qū)域，其中第一半導(dǎo)體芯片附接至導(dǎo)電層；以及附接至焊盤所附接的導(dǎo)電層的散熱片的表面區(qū)域，其中第一半導(dǎo)體芯片附接至焊盤。

技術(shù)研發(fā)人員：周亦歆
受保護的技術(shù)使用者：PEP創(chuàng)新私人有限公司
文檔號碼：201620643213
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.24
技術(shù)公布日：2017.02.22