1.一種半導體封裝，包括：
第一半導體芯片；
電磁屏蔽結構；
封裝所述第一半導體芯片和所述電磁屏蔽結構的第一封裝劑；
與所述第一半導體芯片和所述電磁屏蔽結構的多個電連接；以及
散熱區(qū)域，被布置為釋放所述第一半導體芯片產生的熱，其中所述散熱區(qū)域包括以下之一：
所述第一半導體芯片附接至的焊盤的表面；
焊盤附接至的導電層的表面，其中所述第一半導體芯片附接至所述焊盤；
所述第一半導體芯片附接至的導電層的表面；
附接至導電層的散熱片的表面區(qū)域，其中所述第一半導體芯片附接至所述導電層；
附接至導電層的散熱片陣列的表面區(qū)域，其中所述第一半導體芯片附接至所述導電層；
附接至導電層的多個散熱翅片的表面區(qū)域，其中所述第一半導體芯片附接至所述導電層；以及
附接至焊盤所附接的導電層的散熱片的表面區(qū)域，其中所述第一半導體芯片附接至所述焊盤。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中與所述第一半導體芯片的所述電連接包括：
貫穿所述第一封裝劑延伸至所述第一半導體芯片的多個通孔；以及
所述第一封裝劑的表面上的多個第一跡線，其中所述第一跡線通過所述通孔與所述第一半導體芯片電連接，并且其中所述電磁屏蔽結構與所述第一跡線電連接。
3.根據權利要求2所述的半導體封裝，還包括：
封裝所述第一跡線的第二封裝劑；以及
延伸貫穿所述第二封裝劑以暴露所述第一跡線的表面的多個開口。
4.根據權利要求3所述的半導體封裝，還包括：
第二半導體芯片；
多個焊料凸塊，附接至所述第二半導體芯片并將所述第二半導體芯片與所述第一跡線的暴露表面電連接。
5.根據權利要求2所述的半導體封裝，還包括：
所述第一跡線上的多個導電柱；以及
封裝所述第一跡線和所述導電柱的第二封裝劑，其中所述第二封裝劑的一部分被去除，暴露所述導電柱的表面。
6.根據權利要求5所述的半導體封裝，還包括：所述第二封裝劑的表面上的多個第二跡線。
7.根據權利要求1所述的半導體封裝，還包括：在所述第一半導體芯片的多個電路墊片中的至少一個上設置的導電層。
8.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中所述導電層的表面區(qū)域大于在其上形成所述導電層的電路墊片的表面區(qū)域。
9.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中所述導電層包括墊片部分和線部分，所述墊片部分位于在其上形成所述導電層的電路墊片之上，所述線部分延伸遠離所述電路墊片。
10.根據權利要求9所述的半導體封裝，其中與所述第一半導體芯片的所述電連接從所述導電層的所述線部分形成。
11.根據權利要求1所述的半導體封裝，還包括：所述散熱區(qū)域上的涂層。
12.根據權利要求1所述的半導體封裝，還包括：貫穿所述導電層延伸至所述第一半導體芯片的非主動表面的至少一個開口。
13.根據權利要求12所述的半導體封裝，還包括：填充所述至少一個開口的導電材料和焊接材料中的至少一個。
14.根據權利要求12所述的半導體封裝，還包括：所述導電層上的所述導電材料的層。
15.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述電磁屏蔽結構包括圍繞所述第一半導體芯片延伸的圓形墻壁結構和圍繞所述第一半導體芯片延伸的具有彎曲墻角的矩形墻壁結構中的一個。