1.一種超結結構，其特征在于，包括：
第一導電類型襯底；
第一導電類型外延層，形成于所述第一導電類型襯底表面，且由多個第一外延層堆疊而成；
第二導電類型柱，由間隔形成于各第一外延層中的多個第二導電類型單元連貫而成，各第二導電類型柱之間間隔出第一導電類型柱，形成超結結構。
2.根據(jù)權利要求1所述的超結結構，其特征在于：所述第一導電類型外延層還包括初始外延層形成于第一導電類型襯底及第一外延層之間，其電阻率為不小于1Ohm-cm，或者為不小于50Ohm-cm。
3.根據(jù)權利要求1所述的超結結構，其特征在于：所述第一外延層的電阻率為不小于10Ohm-cm。
4.根據(jù)權利要求1所述的超結結構，其特征在于：所述第二導電類型柱與所述第一導電類型襯底之間具有間距。
5.根據(jù)權利要求1所述的超結結構，其特征在于：所述第一導電類型為N型，第二導電類型為P型，或者所述第一導電類型為P型，第二導電類型為N型。
6.根據(jù)權利要求1所述的超結結構，其特征在于：還包括位于所述超結結構表面的外延頂層，所述外延頂層的電阻率為不小于5Ohm-cm，厚度為不大于5μm。
7.根據(jù)權利要求6所述的超結結構，其特征在于：所述外延頂層中制備有MOS器件結構。