技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型提供一種深N阱隔離測試結(jié)構(gòu)，包括P型襯底及形成于其中的第一、第二深N阱，第一、第二N阱，第一、第二P阱；其中：所述第一、第二P阱的側(cè)面靠下部分分別被所述第一、第二N阱所包圍；所述第一、第二深N阱分別形成于所述第一、第二P阱下方，且邊緣部分分別與所述第一、第二N阱連接；所述第一、第二P阱，第一、第二N阱分別通過相應(yīng)的引出部與所述第一、第二、第三、第四測試焊盤連接。本實(shí)用新型通過引入N型重?fù)诫s區(qū)域連接N阱，并增加用于測試兩個(gè)深N阱區(qū)域之間一對N阱之間隔離效果的測試焊盤，避免了由于兩塊NW之間缺陷造成兩個(gè)DNW區(qū)域之間的隔離失效被忽視的問題，從而能夠更為全面地偵測兩塊深N阱之間區(qū)域的隔離效果。

技術(shù)研發(fā)人員：管斌;楊玲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201620517578
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.31
技術(shù)公布日：2016.12.07