本實(shí)用新型涉及一種導(dǎo)電薄膜。

背景技術(shù)：

透明導(dǎo)電薄膜是一種既具有高的導(dǎo)電性，又對可見光有很好的透光性的優(yōu)良性能的導(dǎo)電薄膜，具有廣泛的應(yīng)用前景。近年來已經(jīng)成功應(yīng)用于液晶顯示器、觸控面板、電磁波防護(hù)、太陽能電池的透明電極透明表面發(fā)熱器及柔性發(fā)光器件等領(lǐng)域中。

傳統(tǒng)的觸摸屏一般采用摻錫氧化銦(Indium Tin Oxides，ITO)導(dǎo)電層。在制備ITO層時(shí)，總是不可避免的需要鍍膜，圖形化，電極銀引線制作。且在ITO圖形化的時(shí)候需要對ITO膜進(jìn)行蝕刻，這種傳統(tǒng)的制作流程復(fù)雜且冗長，使導(dǎo)電層的導(dǎo)電性差，從而導(dǎo)致良品率不高。并且這種制作流程對工藝、設(shè)備要求較高，還在蝕刻中浪費(fèi)大量的ITO材料，以及產(chǎn)生大量的含重金屬的工業(yè)廢液。

金屬網(wǎng)導(dǎo)電薄膜技術(shù)的發(fā)展彌補(bǔ)了以上缺陷。金屬網(wǎng)導(dǎo)電薄膜引線電極一般采用比較小的網(wǎng)格狀設(shè)計(jì)，且網(wǎng)格線凹槽的深寬比與可視區(qū)透明電極的相同。其生產(chǎn)過程包括為先在基板上面涂布一層UV膠或壓印膠，然后將模具貼合在基板上，固化，最后脫模。然而，在模具和膠質(zhì)材料脫模的過程中，模具上會(huì)有膠質(zhì)材料的殘留，影響模具的使用，更會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)無法正常進(jìn)行。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種導(dǎo)電薄膜以解決以上所述的技術(shù)問題。

本實(shí)用新型的一個(gè)技術(shù)方案是：

一種導(dǎo)電薄膜，其包括承載體、導(dǎo)電區(qū)及引線區(qū)；所述承載體設(shè)有第一表面；所述第一表面開設(shè)有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽形成相互連通的網(wǎng)格；所述第一凹槽中填充導(dǎo)電材料形成相互連通的導(dǎo)電網(wǎng)格，所述相互連通的導(dǎo)電網(wǎng)格形成所述導(dǎo)電區(qū)；所述第二凹槽為非網(wǎng)格狀，其中填充導(dǎo)電材料形成電極 引線，所述電極引線形成所述引線區(qū)；所述電極引線與所述導(dǎo)電網(wǎng)格電性連接；所述第二凹槽的寬度大于第一凹槽的寬度。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)電區(qū)包括彼此絕緣的若干導(dǎo)電通道，每個(gè)所述導(dǎo)電通道由所述導(dǎo)電網(wǎng)格形成，所述每個(gè)導(dǎo)電通道分別對應(yīng)電性連接所述電極引線，相鄰的所述導(dǎo)電通道之間設(shè)有由形成網(wǎng)格的所述第一凹槽內(nèi)填充導(dǎo)電材料所形成的配色區(qū)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二凹槽深度與第二凹槽寬度之比為B，B小于0.8。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二凹槽的寬度為5-100微米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述承載體為基底及設(shè)于所述基底上的基質(zhì)層，所述導(dǎo)電區(qū)以及引線區(qū)設(shè)于所述基質(zhì)層遠(yuǎn)離基底的一側(cè)；或，所述承載體為聚合物，所述導(dǎo)電區(qū)以及引線區(qū)設(shè)于所述聚合物的第一表面。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述承載體還包括與第一表面相對設(shè)置的第二表面，所述第二表面也設(shè)有導(dǎo)電區(qū)和引線區(qū)；或，所述承載體第一表面?zhèn)仍O(shè)有絕緣層，所述絕緣層遠(yuǎn)離第一表面的一側(cè)設(shè)有導(dǎo)電區(qū)和引線區(qū)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二凹槽的深度不小于所述第一凹槽的深度。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二凹槽內(nèi)填充至少兩種及以上不同粒徑大小的導(dǎo)電材料。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二凹槽中填充的導(dǎo)電材料至少包含粒徑大于500nm的導(dǎo)電材料及粒徑小于等于500nm的導(dǎo)電材料。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二凹槽中填充的導(dǎo)電材料至少包含粒徑大于等于800nm的導(dǎo)電材料及粒徑小于等于400nm的導(dǎo)電材料。

本實(shí)用新型的有益效果：

(1)本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，導(dǎo)電區(qū)使用第一凹槽，電極引線使用第二凹槽，所述第二凹槽的寬度大于第一凹槽的寬度；相比傳統(tǒng)電極引線區(qū)域金屬線密集的設(shè)計(jì)，更易脫模，大大延長了模具的使用壽命，且導(dǎo)電材料密度更大，導(dǎo)電性更好。

(2)本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，所述第二凹槽中填充的導(dǎo)電材料至少包含粒徑大于500nm導(dǎo)電材料及粒徑小于等于500nm的導(dǎo)電材料，這樣一來電極引線區(qū)域含有兩種以上粒徑的導(dǎo)電材料，這樣很好的增強(qiáng)了電極引線的導(dǎo)電性，由于深寬比不同，所以電極引線區(qū)域的第二凹槽能更好的容納大粒徑的導(dǎo)電材料。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一種導(dǎo)電薄膜截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型一種導(dǎo)電薄膜平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實(shí)用新型一種導(dǎo)電薄膜部分放大結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實(shí)用新型一種導(dǎo)電薄膜又一種截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本實(shí)用新型一種導(dǎo)電薄膜又一種平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為本實(shí)用新型一種導(dǎo)電薄膜又一種放大結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7為本實(shí)用新型一種導(dǎo)電薄膜另一種截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8為本實(shí)用新型一種導(dǎo)電薄膜另一種截面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了便于理解本實(shí)用新型，下面將參照相關(guān)附圖對本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式。但是，本實(shí)用新型可以通過許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于下面所描述的實(shí)施方式。相反地，提供這些實(shí)施方式的目的是使對本實(shí)用新型的公開內(nèi)容理解的更加透徹全面。

需要說明的是，當(dāng)元件被稱為“設(shè)置于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元 件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。本文所使用的術(shù)語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的，并不表示是唯一的實(shí)施方式。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本實(shí)用新型的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施方式的目的，不是旨在于限制本實(shí)用新型。本文所使用的術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。

一種導(dǎo)電薄膜，起包括承載體、導(dǎo)電區(qū)和引線區(qū)。所述承載體設(shè)有第一表面；所述第一表面開設(shè)有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽形成相互連通的網(wǎng)格；所述第一凹槽中填充導(dǎo)電材料形成相互連通的導(dǎo)電網(wǎng)格，所述相互連通的導(dǎo)電網(wǎng)格形成所述導(dǎo)電區(qū)；所述第二凹槽為非網(wǎng)格狀，其中填充導(dǎo)電材料形成電極引線，所述電極引線形成所述引線區(qū)；所述電極引線與所述導(dǎo)電網(wǎng)格電性連接；所述第二凹槽的寬度大于第一凹槽的寬度。優(yōu)選的，第二凹槽的寬度為5-100微米。所述第一凹槽的深度與第一凹槽寬度為之比為A，所述第二凹槽深度與第二凹槽寬度之比為B；其中，B<A。所述承載體為基底及設(shè)于所述基底上基質(zhì)層或所述承載體為聚合物，其中，所述基質(zhì)層以及聚合物為熱固性膠或光固化膠，所述導(dǎo)電區(qū)以及引線區(qū)設(shè)于所述基質(zhì)層遠(yuǎn)離基底的一側(cè)或所述導(dǎo)電區(qū)以及引線區(qū)設(shè)于所述聚合物的第一表面。

為了采集不同位置點(diǎn)的信號，所述導(dǎo)電區(qū)包括彼此絕緣的若干導(dǎo)電通道，每個(gè)導(dǎo)電通道分別對應(yīng)電性連接所述電極引線。每一個(gè)導(dǎo)電通道都存在至少一根電極引線將該導(dǎo)電通道的信號引到外接設(shè)備上，這樣使的能都很好的采集電信號的變化；其中，每個(gè)導(dǎo)電通道上連接的電極引線是相互獨(dú)立的。

為了保證導(dǎo)電薄膜表面整體的光學(xué)效果的一致性，相鄰的所述導(dǎo)電通道之間設(shè)有配色區(qū)，所述配色區(qū)具有第一凹槽，且所述第一凹槽形成網(wǎng)格；所述第一凹槽中填充導(dǎo)電材料形成配色區(qū)或者填充不導(dǎo)電的材料，配色區(qū)與導(dǎo)電通道之間彼此絕緣；配色區(qū)的網(wǎng)格參數(shù)和導(dǎo)電通道中的網(wǎng)格參數(shù)可以相同也可以不同，網(wǎng)格結(jié)構(gòu)也可以不同，配色區(qū)的網(wǎng)格之間可以是連通的或者每個(gè)網(wǎng)格之間是相互斷開的；配色區(qū)域與導(dǎo)電通道之間的絕緣方式可以為斷開式或者邊界的網(wǎng)格頂點(diǎn)相互錯(cuò)開。

為了提高電極引線的性能，所述第二凹槽深度與第二凹槽寬度之比B小于等于0.8，進(jìn)一步，所述第二凹槽深度與第二凹槽寬度之比B小于等于0.5，更進(jìn)一步，所述第二凹槽深度與第二凹槽寬度之比B小于0.15，但是所述第二凹槽深度與第二凹槽寬度之比B大于0；由于目前主要采用窄邊框，所以電極引線的寬度在保證電極引線性能的前提下越窄越好。導(dǎo)電層要保證導(dǎo)電性以及光學(xué)效果，所述第一凹槽深度與第一凹槽寬度之比A大于等于0.8。

另外，第二凹槽的寬度大于第一凹槽的寬度，同時(shí)第二凹槽的深度亦可相應(yīng)的加深，使得第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度。如此設(shè)置，第二凹槽的橫截面積相對增大，可填充入更多的導(dǎo)電材料來保證電極引線的導(dǎo)電性能，同時(shí)不會(huì)影響脫模。當(dāng)然，第二凹槽的深度也可以等于第一凹槽的深度，或者，第二凹槽的深度也可以小于第一凹槽的深度。

導(dǎo)電薄膜還可以是雙層的結(jié)構(gòu)，在作為觸摸屏?xí)r，更多的是采用兩層導(dǎo)電薄膜，這樣可以更好的定位位置，所述承載體的第二表面也設(shè)有導(dǎo)電區(qū)和引線區(qū)，所所述導(dǎo)電網(wǎng)格和所述電極引線電性連接；或，所述承載體第一表面?zhèn)仍O(shè)有絕緣層，所述絕緣層遠(yuǎn)離第一表面的一側(cè)設(shè)有導(dǎo)電區(qū)和引線區(qū)，所述導(dǎo)電網(wǎng)格和所述電極引線電性連接。所述第二導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)可以是凸起狀也可以是凹槽結(jié)構(gòu)。 當(dāng)然導(dǎo)電薄膜還可以是單層多點(diǎn)式結(jié)構(gòu)。

其中，第一凹槽以及第二凹槽所填充導(dǎo)電材料選自石墨烯、炭、金屬、金屬氧化物或有機(jī)導(dǎo)電材料中一種或幾種，金屬可以為金、銀或者銅等，導(dǎo)電金屬氧化物可以為ITO等，有機(jī)導(dǎo)電材料可以為PEDOT。其中，所述第二凹槽中填充的導(dǎo)電材料至少包含粒徑大于500nm導(dǎo)電材料及粒徑小于等于500nm的導(dǎo)電材料；進(jìn)一步的，所述第二凹槽中填充的導(dǎo)電材料至少包含粒徑大于等于800nm的導(dǎo)電材料及粒徑小于等于400nm的導(dǎo)電材料；第一凹槽中可能會(huì)含有大粒徑的導(dǎo)電材料，所述的大粒徑導(dǎo)電材料為粒徑大于500nm，如果填充的導(dǎo)電材料粒徑更大由于第一凹槽的寬度影響可能不會(huì)填入第一凹槽中。

以下，請參照圖示，具體描述本實(shí)用新型的實(shí)施方式。請參閱圖1，為一種導(dǎo)電薄膜的截面結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電薄膜自下而上依次是基底PET 11，厚度為100μm；增粘層12，其中粘結(jié)層也可以不用，這里只是為了增加粘結(jié)性；承載層為具有凹槽結(jié)構(gòu)的丙烯酸酯類UV膠13，引線區(qū)的第二凹槽14深度3μm，寬度可以為20μm、10μm、6μm或3.75μm，導(dǎo)電區(qū)的第一凹槽15深度3μm，寬度2.2μm；引線區(qū)溝槽深寬比小于導(dǎo)電區(qū)；第二凹槽14、第一凹槽15中填充的是金屬銀，第二凹槽14中的金屬銀顆粒平均直徑為1um,第一凹槽15中的金屬銀顆粒平均直徑為500nm；金屬銀厚度小于溝槽深度，約為2μm，或者金屬銀厚度等于溝槽深度，約為3μm。

請參閱圖2為本實(shí)施例承載層的平面圖，承載層上設(shè)置導(dǎo)電區(qū)21和引線區(qū)22。導(dǎo)電通道210的圖案可以根據(jù)需要設(shè)置為多排、多列，各個(gè)圖案的電極需要分別連接對應(yīng)的電極引線220，以實(shí)現(xiàn)電信號傳輸。導(dǎo)電通道210由菱形網(wǎng)格構(gòu)成，網(wǎng)格線線寬2.2μm，網(wǎng)格線邊長優(yōu)選為260μm，銳角夾角為60°。電極引線220由線寬為20μm的單線構(gòu)成。具體可從圖3所示的引線區(qū)放大圖中看 出。導(dǎo)電通道210的黑色線條由第一凹槽15中填充金屬銀形成，電極引線220的黑色線條由第二凹槽14中填充金屬銀形成，空白區(qū)域?yàn)榻^緣區(qū)域，空白區(qū)域?yàn)楸┧狨ヮ怳V膠13。

請參閱圖4，另一種導(dǎo)電薄膜的橫截面示意圖。導(dǎo)電薄膜自下而上依次是基底玻璃41(也可以稱作承載體)，厚度為0.5mm；承載層為具有凹槽結(jié)構(gòu)的丙烯酸酯類UV膠42，引線區(qū)的第二凹槽43深度3.5μm，寬度10μm，導(dǎo)電區(qū)的第一凹槽44深度3.5μm，寬度2.5μm；引線區(qū)第二凹槽深寬比小于導(dǎo)電區(qū)。第二凹槽43及第一凹槽44中填充的是金屬銅，第二凹槽43中的金屬銀顆粒平均直徑為800nm或1μm,第一凹槽44中的金屬銅顆粒平均直徑為400nm或500nm；金屬銀厚度小于、大于或等于溝槽深度。

請參閱圖5為本實(shí)施例導(dǎo)電薄膜的平面圖。其中，承載層設(shè)置導(dǎo)電區(qū)51和引線區(qū)52。導(dǎo)電通道510與電極引線520均由網(wǎng)格構(gòu)成。導(dǎo)電通道510的圖案可以根據(jù)需要設(shè)置為多排、多列，各個(gè)圖案的導(dǎo)電通道需要分別連接對應(yīng)的電極引線520，以實(shí)現(xiàn)電信號傳輸。導(dǎo)電通道510由不規(guī)則多邊形隨機(jī)網(wǎng)格構(gòu)成，網(wǎng)格線線寬2.5μm，網(wǎng)格平均直徑優(yōu)選為150um。電極引線520由網(wǎng)格線10um的正方網(wǎng)格構(gòu)成，正方網(wǎng)格邊長為20um。具體可從圖6所示的電極引線區(qū)域放大圖中看出。導(dǎo)電通道510的黑色線條由第一凹槽44中填充金屬銅形成，電極引線520的黑色線條由第二凹槽43中填充金屬銅形成，空白區(qū)域?yàn)榻^緣區(qū)域，空白區(qū)域?yàn)楸┧狨ヮ怳V膠42。

上述實(shí)施例提供的導(dǎo)電薄膜，所述導(dǎo)電通道的網(wǎng)格除了菱形或不規(guī)則多邊形外，還可以為正方形、平行四邊形、正六邊形、曲邊四邊形或者多邊形等規(guī)則形狀。曲邊四邊形是指具有四條曲邊，相對的兩條曲邊具有相同形狀及曲線走向。所述電極引線除了單線或正方形外，還可以為平行四邊形、正六邊形、 曲邊四邊形或者多邊形等規(guī)則形狀。

本實(shí)用新型所述金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層溝槽中填充的金屬材料可以是金、銀、銅、鋁、鎳、鋅或其中任意兩者或兩者以上的合金。

具有溝槽結(jié)構(gòu)的丙烯酸酯類UV膠，同樣可以用和UV膠具有相同性質(zhì)或可以達(dá)到相同目的的紫外固化材料、熱塑性材料或熱固性材料等有機(jī)材料來替代，例如：PMMA、PC、PDMS等。

請參閱圖7，本實(shí)用新型所述導(dǎo)電薄膜還可以是雙面結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電薄膜自上而下設(shè)有第一承載層、基底60以及第二承載層，第一承載層為具有凹槽結(jié)構(gòu)的丙烯酸酯類UV膠61，引線區(qū)的第二凹槽65深度3.5μm，寬度5μm，導(dǎo)電區(qū)的第一凹槽63深度3.5μm，寬度2.5μm；引線區(qū)第二凹槽深寬比小于電極區(qū)域；第二承載層為具有凹槽結(jié)構(gòu)的丙烯酸酯類UV膠62，同樣的，引線區(qū)的第二凹槽66深度3.5μm，寬度5μm，導(dǎo)電區(qū)的第一凹槽64深度3.5μm，寬度2.5μm；引線區(qū)第二凹槽深寬比小于電極區(qū)域。

請參閱圖8，本實(shí)用新型所述導(dǎo)電薄膜還可以是單面雙層結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電薄膜自下而上設(shè)有第一承載層、第二承載層以及基底70，第一承載層為具有凹槽結(jié)構(gòu)的丙烯酸酯類UV膠71，引線區(qū)的第二凹槽75深度3.5μm，寬度5μm，導(dǎo)電區(qū)的第一凹槽73深度3.5μm，寬度2.5μm；引線區(qū)第二凹槽深寬比小于電極區(qū)域；第二承載層為具有凹槽結(jié)構(gòu)的丙烯酸酯類UV膠72，同樣的，引線區(qū)的第二凹槽76深度3.5μm，寬度5μm，導(dǎo)電區(qū)的第一凹槽74深度3.5μm，寬度2.5μm；引線區(qū)第二凹槽深寬比小于電極區(qū)域。

終上所述，本實(shí)用新型所揭示的導(dǎo)電薄膜，導(dǎo)電區(qū)使用第一凹槽，電極引線使用第二凹槽，所述第一凹槽深度為m與第一凹槽寬度為n，m、n之比為A，所述第二凹槽深度為m與第二凹槽寬度為s，m、s之比為B；其中，B<A；相比 傳統(tǒng)電極引線區(qū)域金屬線密集且深寬比較大的設(shè)計(jì)，更易脫模，大大延長了模具的使用壽命，且導(dǎo)電材料密度更大，導(dǎo)電性更好。并且所述第二凹槽中填充的導(dǎo)電材料至少包含粒徑大于500nm導(dǎo)電材料及粒徑小于等于500nm的導(dǎo)電材料，這樣一來電極引線區(qū)域含有兩種以上粒徑的導(dǎo)電材料，這樣很好的增強(qiáng)了電極引線的導(dǎo)電性，由于深寬比不同，所以電極引線區(qū)域的第二凹槽能更好的容納大粒徑的導(dǎo)電材料。

第二凹槽的寬度大于第一凹槽的寬度，第二凹槽內(nèi)填充至少兩種及以上不同粒徑大小的導(dǎo)電材料，大小粒徑的配合填充防止第二凹槽不能填充滿而影響導(dǎo)電性能，從而可保證電極引線的導(dǎo)電性能。以此，第二凹槽不受導(dǎo)電材料粒徑大小的限制，可相比于第一凹槽的寬度寬，例如5-100微米，從而利于模具的脫模，進(jìn)而利于生產(chǎn)。

另外，這里所述的第一承載層以及第二承載層只是為了敘述的方便加以編號，并不存在先后的順序，第一凹槽以及第二凹槽則為凹槽參數(shù)不一樣的凹槽，存在區(qū)別的凹槽。第一凹槽15、44、63、64、73、74以及第二凹槽14、43、65、66、75、76只是在不同結(jié)構(gòu)中為了更好的敘述采用了不同的編號，第一凹槽為導(dǎo)電通道中的凹槽，第二凹槽為電極引線的凹槽，但是第一第二也不存在先后順序。

再者，圖1中導(dǎo)電薄膜的第二凹槽14的深度還可以3.5μm、4μm或4.5μm，第一凹槽15的深度不變；圖4中導(dǎo)電薄膜第二凹槽43的深度可以為4μm、5μm或更大(小于等于承載層厚度)，第一凹槽44深度可以保持不變。

為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，上面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。在上面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以很多不同于上面描 述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本實(shí)用新型不受上面公開的具體實(shí)施例的限制。并且，以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。