1.一種絡(luò)合物為前驅(qū)體的鈣鈦礦層晶體管，所述鈣鈦礦層晶體管由表層向里層依次包括基底、絕緣層、金屬底電極層、鈣鈦礦半導(dǎo)體層、金屬柵電極，其特征在于，所述鈣鈦礦半導(dǎo)體層包括鹵化鉛絡(luò)合物，所述鈣鈦礦半導(dǎo)體層沉積在金屬底電極層上以及金屬底電極層的源極和漏極兩條金屬底電極之間的空隙內(nèi)，形成半導(dǎo)體層。
2.如權(quán)利要求1所述的絡(luò)合物為前驅(qū)體的鈣鈦礦層晶體管，其特征在于，所述基底的材料包括p型摻雜的晶硅。
3.如權(quán)利要求1所述的絡(luò)合物為前驅(qū)體的鈣鈦礦層晶體管，其特征在于，所述絕緣層材料包括二氧化硅。
4.如權(quán)利要求1所述的絡(luò)合物為前驅(qū)體的鈣鈦礦層晶體管，其特征在于，所述絕緣層沉積在基底上，所述金屬底電極層沉積在絕緣層上，并呈兩條帶狀排布在絕緣層的兩側(cè)邊緣，一側(cè)為源極，另一側(cè)為漏極，在源極和漏極之間留有空隙，所述金屬底電極層的材料包括金和銀中至少一種。
5.如權(quán)利要求1所述的絡(luò)合物為前驅(qū)體的鈣鈦礦層晶體管，其特征在于，所述金屬柵電極沉積在鈣鈦礦半導(dǎo)體層上，所述金屬柵電極的材料包括金和銀中至少一種。