技術(shù)特征：

1.一種高效低成本實(shí)現(xiàn)低濃深結(jié)的單晶擴(kuò)散方法，其特征在于它按照以下步驟順序進(jìn)行：氧化層制備，恒定源擴(kuò)散，高溫?cái)U(kuò)散，一步降溫，低溫?cái)U(kuò)散，二步降溫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散方法，其特征在于所述氧化層制備：將M2硅片放入擴(kuò)散爐中，升溫至750～790℃，通入O₂ 1.8～2.2slm，N₂ 2.8～3.2slm，對(duì)硅片表面進(jìn)行氧化約3～5分鐘。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的擴(kuò)散方法，其特征在于所述M2硅片的邊長(zhǎng)為156.75mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散方法，其特征在于所述恒定源擴(kuò)散：擴(kuò)散爐升溫至810℃，通入N₂ 7.7～8.3slm，O₂ 0.45～0.55slm，N₂-POCL 0.75～0.85slm在硅片表面沉積磷源10～14min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散方法，其特征在于所述高溫?cái)U(kuò)散：擴(kuò)散爐升溫至840～880℃，僅通入N₂ 4.3～4.7slm，O₂ 2.7～3.3slm，進(jìn)行高溫?cái)U(kuò)散18-22min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散方法，其特征在于所述一步降溫：將擴(kuò)散爐溫度將至750～790℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散方法，其特征在于所述低溫?cái)U(kuò)散：擴(kuò)散爐恒溫在750～790℃，通入N₂ 7.7～8.3slm，O₂ 0.4～0.6slm，N₂-POCL 0.37～0.43slm在硅片表面低溫沉積磷源7～9min。

根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散方法，其特征在于所述二步降溫：擴(kuò)散爐溫度降至730～750℃出舟。