本發(fā)明涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，尤其是運(yùn)用于太陽(yáng)能單晶電池片的一種實(shí)現(xiàn)低濃深結(jié)的擴(kuò)散工藝，具體是一種高效低成本實(shí)現(xiàn)低濃深結(jié)的單晶擴(kuò)散方法。
背景技術(shù)：
目前，太陽(yáng)能電池片制造業(yè)中，擴(kuò)散工藝大都使用沉積再高溫?cái)U(kuò)散步驟，無(wú)法加深擴(kuò)散結(jié)深。普通的兩步擴(kuò)散工藝，會(huì)再次進(jìn)行沉積與升溫?cái)U(kuò)散，得不到較低的表面濃度。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種高效低成本實(shí)現(xiàn)低濃深結(jié)的單晶擴(kuò)散方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。
本發(fā)明的上述目的是通過以下技術(shù)措施來實(shí)施來實(shí)現(xiàn)的：一種高效低成本實(shí)現(xiàn)低濃深結(jié)的單晶擴(kuò)散方法，它按照以下步驟順序進(jìn)行：氧化層制備，恒定源擴(kuò)散，高溫?cái)U(kuò)散，一步降溫，低溫?cái)U(kuò)散，二步降溫。
優(yōu)選的，所述氧化層制備：將M2硅片放入擴(kuò)散爐中，升溫至750～790℃，通入O21.8～2.2slm，N2 2.8～3.2slm，對(duì)硅片表面進(jìn)行氧化約3～5分鐘。
具體的，所述M2硅片的邊長(zhǎng)為156.75mm。
優(yōu)選的，所述恒定源擴(kuò)散：擴(kuò)散爐升溫至810℃，通入N2 7.7～8.3slm，O2 0.45～0.55slm，N2-POCL 0.75～0.85slm在硅片表面沉積磷源10～14min。
優(yōu)選的，所述高溫?cái)U(kuò)散：擴(kuò)散爐升溫至840～880℃，僅通入N2 4.3～4.7slm，O2 2.7～3.3slm，進(jìn)行高溫?cái)U(kuò)散18-22min。
優(yōu)選的，所述一步降溫：將擴(kuò)散爐溫度將至750～790℃。
優(yōu)選的，所述低溫?cái)U(kuò)散：擴(kuò)散爐恒溫在750～790℃，通入N2 7.7～8.3slm，O2 0.4～0.6slm，N2-POCL 0.37～0.43slm在硅片表面低溫沉積磷源7～9min。
優(yōu)選的，所述二步降溫：擴(kuò)散爐溫度降至730～750℃出舟。
本發(fā)明的有益效果：
采用本發(fā)明的擴(kuò)散方法，通過少源沉積，既增加單晶硅片擴(kuò)散結(jié)深，降低擴(kuò)散表面濃度，又能保證與漿料形成很好的歐姆接觸，最終達(dá)到節(jié)約成本、提升效率的目的。
說明書附圖
圖1：實(shí)施例中單晶擴(kuò)散示意圖。
附圖標(biāo)記說明：1-擴(kuò)散磷原子，2-磷硅玻璃層，3-氧化層，4-PN結(jié)，5-單晶硅片。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合具體實(shí)施例及附圖1對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
實(shí)施例1：
一種高效低成本實(shí)現(xiàn)低濃深結(jié)的單晶擴(kuò)散方法，包括以下步驟：
a)將制絨清洗后的156.75尺寸的M2單晶硅片5放入擴(kuò)散爐內(nèi)，升溫至750℃，通入O2：1.8slm，N2：2.8slm，Time：3min，在硅片5表面形成約6nm厚的二氧化硅氧化層3；
b)升溫至810℃，反應(yīng)條件：N2：7.7slm，O2：0.45slm，N2-POCL：750sccm，Time：10min，擴(kuò)散磷原子1進(jìn)入單晶硅片5；
c)升溫至840℃，在高溫下，不再通入磷源，僅通入N2：4.3slm，O2：2.7slm，Time：18min，表面的擴(kuò)散磷原子1再次向單晶硅片5的深處擴(kuò)散，最終形成較深且均勻的PN結(jié)4；
d)降溫至750℃，恒溫約7min，通入N2-POCL：370sccm，N2：7.7slm，O2：0.4slm進(jìn)行低溫?cái)U(kuò)散，在表面形成磷源玻璃層2及較淺的一層PN結(jié)；再急速降溫至730℃出舟，方阻:75-85Ω/□；
e)再進(jìn)行刻蝕，鍍膜，印刷，燒結(jié)等常規(guī)工藝，得到太陽(yáng)能電池片，平均轉(zhuǎn)換效率提升0.06％。
實(shí)施例2：
一種高效低成本實(shí)現(xiàn)低濃深結(jié)的單晶擴(kuò)散方法，包括以下步驟：
a)將制絨清洗后的156.75尺寸的M2單晶硅片5放入擴(kuò)散爐內(nèi)，升溫至770℃，通入O2：2slm，N2：3slm，Time：4min，在單晶硅片5表面形成約8nm厚的二氧化硅氧化層3；
b)升溫至810℃，反應(yīng)條件：N2：8slm，O2：0.5slm，N2-POCL：800sccm，Time：12min，擴(kuò)散磷原子1進(jìn)入硅片5；
c)升溫至860℃，在高溫下，不再通入磷源，僅通入N2：4.5slm，O2：3slm，Time：20min，表面的擴(kuò)散磷原子1再次向單晶硅片5的深處擴(kuò)散，最終形成較深且均勻的PN結(jié)4；
d)降溫至770℃，恒溫約8min，通入N2-POCL：400sccm，N2：8slm，O2：0.5slm進(jìn)行低溫?cái)U(kuò)散，在表面形成磷源玻璃層2及較淺的一層PN結(jié)；再急速降溫至740℃出舟，方阻:80-90Ω/□；
e)再進(jìn)行刻蝕，鍍膜，印刷，燒結(jié)等常規(guī)工藝，得到太陽(yáng)能電池片，平均轉(zhuǎn)換效率提升0.07％。
實(shí)施例3：
一種高效低成本實(shí)現(xiàn)低濃深結(jié)的單晶擴(kuò)散方法，包括以下步驟：
a)將制絨清洗后的156.75尺寸的M2單晶硅片5放入擴(kuò)散爐內(nèi)，升溫至790℃，通入O2：2.2slm，N2：3.2slm，Time：5min，在單晶硅片5表面形成約10nm厚的二氧化硅氧化層3；
b)升溫至810℃，反應(yīng)條件：N2：8.3slm，O2：0.55slm，N2-POCL：850sccm，Time：14min，擴(kuò)散磷原子1進(jìn)入硅片5；
c)升溫至880℃，在高溫下，不再通入磷源，僅通入N2：4.7slm，O2：3.3slm，Time：22min，表面的擴(kuò)散磷原子1再次向單晶硅片5的深處擴(kuò)散，最終形成較深且均勻的PN結(jié)4；
d)降溫至790℃，恒溫約9min，通入N2-POCL：430sccm，N2：8.3slm，O2：0.6slm進(jìn)行低溫?cái)U(kuò)散，在表面形成磷源玻璃層2及較淺的一層PN結(jié)；再急速降溫至740℃出舟，方阻:65-75Ω/□；
e)再進(jìn)行刻蝕，鍍膜，印刷，燒結(jié)等常規(guī)工藝，得到太陽(yáng)能電池片，平均轉(zhuǎn)換效率提升0.05％。
綜上所述，本發(fā)明帶來的有益效果為：
1、節(jié)省了磷源使用量(實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證可節(jié)約20％以上)，降低生產(chǎn)成本；
2、實(shí)現(xiàn)單晶硅片低濃深結(jié)，最終提升效率0.05％以上。
以上實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作了詳細(xì)地說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。