本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地涉及集成電路封裝件及其形成方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體器件用于各種電子應(yīng)用中，諸如個人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他電子設(shè)備。通常通過以下步驟來制造半導(dǎo)體器件：在半導(dǎo)體襯底上方相繼沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體材料層；以及使用光刻來圖案化該多個材料層，以在該多個材料層上形成電路組件和元件。通常，在單個半導(dǎo)體晶圓上制造數(shù)十或數(shù)百的集成電路。通過沿著劃割線鋸切集成電路來分割單獨(dú)的管芯。然后，將單個的管芯單獨(dú)封裝在多芯片模塊中，或封裝在其他類型的封裝件中。

由于許多電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成度的不斷提高，所以半導(dǎo)體工業(yè)經(jīng)歷了快速發(fā)展。在很大程度上，集成度的這種提高源自于最小部件尺寸的不斷減小(例如，將半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)朝向亞20nm節(jié)點(diǎn)縮小)，這允許更多的組件集成在給定區(qū)域內(nèi)。隨著對小型化的需求，近來已經(jīng)發(fā)展了更高速度和更大帶寬以及更低功耗和延遲，已經(jīng)產(chǎn)生了對用于半導(dǎo)體管芯的一種更小且更富創(chuàng)造性的封裝技術(shù)的需要。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，已經(jīng)出現(xiàn)了堆疊的半導(dǎo)體器件(例如，三維集成電路(3dic))作為有效替代以進(jìn)一步減小半導(dǎo)體器件的物理尺寸。在堆疊式半導(dǎo)體器件中，在不同半導(dǎo)體晶圓上制造諸如邏輯、存儲器、處理器電路等的有源電路。兩個或更多的半導(dǎo)體晶圓可以安裝或堆疊在彼此的頂部上以進(jìn)一步降低半導(dǎo)體器件的形狀因數(shù)。疊層封裝(pop)器件是一種類型的3dic，其中，封裝管芯并且然后將管芯與另一封裝的一個管芯或多個管芯封裝在一起。封裝件上芯片(cop)器件是另一種類型的3dic，其中，封裝管芯并且然后將管芯與另一管芯或多個管芯封裝在一起。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種形成集成電路封裝件的方法，包括：將第一管芯和第二管芯附接至載體，所述第一管芯具有第一接觸焊盤，所述第二管芯具有第二接觸焊盤，所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤具有不同的結(jié)構(gòu)；在所述第一管芯和所述第二管芯上方形成釋放層；在所述載體和所述釋放層之間注射包封劑；以及在所述第一管芯、所述第二管芯和所述包封劑上方形成一個或多個再分布層(rdl)，所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤與所述一個或多個再分布層電接觸。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種形成集成電路封裝件的方法，包括：將第一管芯的第一側(cè)附接至載體，所述第一管芯具有：位于所述第一管芯的第二側(cè)上的第一接觸焊盤，所述第一管芯的所述第二側(cè)與所述第一管芯的所述第一側(cè)相對；和位于所述第一管芯的所述第二側(cè)上的第一絕緣層，通過所述第一絕緣層中的開口暴露所述第一接觸焊盤的至少一部分；將第二管芯的第一側(cè)附接至所述載體，所述第二管芯具有：貫通孔，所述貫通孔從所述第二管芯的所述第一側(cè)延伸至所述第二管芯的第二側(cè)，所述第二管芯的所述第二側(cè)與所述第二管芯的所述第一側(cè)相對；位于所述第二管芯的所述第二側(cè)上的第二絕緣層，所述貫通孔的至少一部分延伸穿過所述第二絕緣層；和位于所述第二絕緣層上方的第二接觸焊盤，所述第二接觸焊盤接觸所述貫通孔；將釋放層層壓在所述第一接觸焊盤、所述第二接觸焊盤、所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的頂面上方；在所述載體和所述釋放層之間、以及在所述第一管芯和所述第二管芯之間的間隙中注射第一包封劑；以及在所述第一管芯、所述第二管芯和所述第一包封劑上方形成一個或多個再分布層(rdl)，所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤與所述一個或多個再分布層電接觸。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種集成電路封裝器件，包括：一個或多個再分布層(rdl)；第一管芯，位于所述一個或多個再分布層的第一側(cè)上，所述第一管芯包括嵌在第一絕緣層中的第一接觸焊盤，所述一個或多個再分布層的導(dǎo)電部件延伸穿過所述第一絕緣層并且接觸所述第一接觸焊盤；第二管芯，位于所述一個或多個再分布層的所述第一側(cè)上，所述第二管芯包括：貫通孔，延伸穿過第二絕緣層；和第二接觸焊盤，位于所述第二絕緣層上方，所述第二接觸焊盤接觸所述貫通孔，所述一個或多個再分布層的第三絕緣層的至少一部分沿著所述第二接觸焊盤的側(cè)壁延伸；以及第一包封劑，位于所述一個或多個再分布層的所述第一側(cè)上，所述第一包封劑的至少一部分插在所述第一管芯和所述第二管芯之間。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明的實(shí)施例。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，對各種部件沒有按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或縮小。

圖1a、圖1b、圖2a、圖2b、圖3a、圖3b、圖4a、圖4b、以及圖5至圖7是根據(jù)一些實(shí)施例的集成電路封裝件的制造期間的各個處理步驟的頂視圖和截面圖。

圖8a和圖8b是根據(jù)一些實(shí)施例的附接至印刷電路板的堆疊的集成電路封裝件的頂視圖和截面圖。

圖9a和圖9b是根據(jù)一些實(shí)施例的附接至印刷電路板的堆疊的集成電路封裝件的頂視圖和截面圖。

圖10a和圖10b是根據(jù)一些實(shí)施例的附接至印刷電路板的堆疊的集成電路封裝件的頂視圖和截面圖。

圖11a和圖11b是根據(jù)一些實(shí)施例的附接至印刷電路板的堆疊的集成電路封裝件附的頂視圖和截面圖。

圖12至圖15是根據(jù)一些實(shí)施例的貫通孔和接觸焊盤的制造期間的各個處理步驟的截面圖。

圖16是根據(jù)一些實(shí)施例示出的形成集成電路封裝件的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。下面描述了組件和布置的具體實(shí)例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成為直接接觸的實(shí)施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可在各個實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號和/或字母。該重復(fù)是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空間相對術(shù)語，以便于描述如圖所示的一個元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對術(shù)語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，而在此使用的空間相對描述符可以同樣地作相應(yīng)的解釋。

在具體地描述所示出的實(shí)施例之前，通常描述所公開的實(shí)施例的特定優(yōu)勢特征和實(shí)施例。以下描述的是各種集成電路封裝件及其形成方法。諸如以下描述的方法允許將具有不同接觸焊盤結(jié)構(gòu)的集成電路管芯封裝至同一集成電路封裝件中。因此，這樣的方法允許更加靈活地將具有不同功能的集成電路管芯封裝至同一集成電路封裝件中。此外，諸如以下描述的方法允許消除特定的工藝步驟且允許降低制造成本。貫穿各個視圖和示例性實(shí)施例，相同的參考標(biāo)號用于指定相同的元件。

圖1a、圖1b、圖2a、圖2b、圖3a、圖3b、圖4a、圖4b、以及圖5至圖7是根據(jù)一些實(shí)施例的在集成電路封裝件的制造期間的各個處理步驟的頂視圖和截面圖，其中，“a”圖表示頂視圖以及“b”圖表示沿相應(yīng)的“a”圖的b-b'線的截面圖。

首先參考圖1a和圖1b，根據(jù)一些實(shí)施例示出了具有附接在其上的多個第一集成電路(ic)管芯107和多個第二ic管芯109的載體101。在一些實(shí)施例中，在載體101上方形成釋放層103，在釋放層103上方形成粘合層105，并且第一ic管芯107和第二ic管芯109附接至粘合層105。在一些實(shí)施例中，載體101可由硅、石英、玻璃等形成，并且提供對于隨后的操作的機(jī)械支撐。在一些實(shí)施例中，釋放層103可包括光熱轉(zhuǎn)換(lthc)材料、紫外線(uv)膠(當(dāng)暴露于uv輻射時，其失去了粘合性能)等，并且可使用旋涂工藝、印刷工藝、層壓工藝等形成。在釋放層103是由lthc材料形成的一些實(shí)施例中，當(dāng)暴露于光下時，釋放層103部分地或全部地失去了其粘合強(qiáng)度且載體101可以容易地從第一ic管芯107和第二ic管芯109分離。粘合層105可以是管芯附接膜(daf)或任何合適的粘合劑、環(huán)氧樹脂、uv膠等，并且可使用旋涂工藝、印刷工藝、層壓工藝等形成。在一些實(shí)施例中，例如，第一ic管芯107和第二ic管芯109使用拾取和放置裝置附接至載體101。在其它實(shí)施例中，第一ic管芯107和第二ic管芯109可手動地或使用任何其它合適的方法附接至載體101。

在一些實(shí)施例中，第一ic管芯107和第二ic管芯109可以是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)管芯、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)管芯等。第一ic管芯107和第二ic管芯109可具有各種功能且可包括存儲器管芯、微控制器單元(mcu)芯片、電源管理集成電路(pmic)芯片、射頻(rf)芯片、專用集成電路(asic)芯片、液晶顯示器(lcd)、發(fā)光二極管(led)顯示器、觸摸傳感器、運(yùn)動傳感器、心率傳感器、環(huán)境傳感器，諸如溫度傳感器、壓力傳感器、濕度傳感器、顆粒傳感器等。在一些實(shí)施例中，第一ic管芯107和第二ic管芯109可以形成為晶圓的一部分，其隨后地被分割為單獨(dú)的第一ic管芯107和單獨(dú)的第二ic管芯109。在一些實(shí)施例中，通過鋸切、激光燒蝕等分割晶圓。隨后地，可以在第一ic管芯107和第二ic管芯109上執(zhí)行功能測試。因此，圖1a和圖1b中示出的第一ic管芯107和第二ic管芯109可僅包括已知良好管芯(kgd)，其已經(jīng)通過了一個或多個功能質(zhì)量測試。在示出的實(shí)施例中，第一ic管芯107是cmos管芯并且第二ic管芯109是mems管芯。在其他實(shí)施例中，第一ic管芯107和第二ic管芯109可以是mems管芯。在又一實(shí)施例中，第一ic管芯107和第二ic管芯109可以是cmos管芯。此外，如圖1b中所示，第一ic管芯107和第二ic管芯109的頂側(cè)具有不同的接觸焊盤結(jié)構(gòu)。然而，在其它實(shí)施例中，第一ic管芯107和第二ic管芯109具有類似的接觸焊盤結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步參考圖1a和圖1b，在其中第一ic管芯107是cmos管芯的一些實(shí)施例中，第一ic管芯107中的每個都包括襯底111、襯底111上的一個或多個有源和/或無源器件113以及襯底111和一個或多個有源和/或無源器件113上方的一個或多個金屬化層115。在一些實(shí)施例中，襯底111可由硅形成，但是它還可由諸如硅、鍺、鎵、砷和它們的組合的其他iii族、iv族和/或v族元素形成。襯底111還可為絕緣體上硅(soi)的形式。soi襯底可包括在絕緣體層(例如，掩埋氧化物等)上方形成的半導(dǎo)體材料層(例如，硅、鍺等)，該絕緣體層形成在硅襯底上。此外，可使用的其他襯底包括多層襯底、梯度襯底、混合取向襯底、其任意組合等。

在一些實(shí)施例中，一個或多個有源和/或無源器件113可以包括諸如晶體管的各種n型金屬氧化物半導(dǎo)體(nmos)和/或p型金屬氧化物半導(dǎo)體(pmos)器件、電容器、電阻器、二極管、光電二極管、熔絲等。一個或多個金屬化層115可包括在襯底111上方形成的且由相鄰的ild/imd分離的層間介電層(ild)/金屬間介電層(imd)和導(dǎo)電層(未示出)。例如，可通過諸如旋涂方法、化學(xué)汽相沉積(cvd)、等離子體增強(qiáng)的cvd(pecvd)等或其組合的本領(lǐng)域已知的任何合適的方法，由諸如磷硅酸鹽玻璃(psg)、硼磷硅酸鹽玻璃(bpsg)、fsg、sioxcy、旋涂玻璃、旋涂聚合物、碳化硅材料、其化合物、其復(fù)合物、其組合等的低-k介電材料形成ild/imd。在一些實(shí)施例中，例如，可使用鑲嵌工藝、雙鑲嵌工藝等在ild/imd中形成互連結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)可以包括銅、銅合金、銀、金、鎢、鉭、鋁等。在一些實(shí)施例中，互連結(jié)構(gòu)可在襯底111上形成的一個或多個有源和/或無源器件113之間提供電連接。

在一些實(shí)施例中，第一ic管芯107的每個都還包括在一個或多個金屬化層115上方形成的接觸焊盤117、并且可以通過一個或多個金屬化層115的各個互連結(jié)構(gòu)電連接至一個或多個有源和/或無源器件113。在一些實(shí)施例中，接觸焊盤117可以包括諸如鋁、銅、鎢、銀、金、鎳等或它們的組合的導(dǎo)電材料。在一些實(shí)施例中，例如，可以使用物理汽相沉積(pvd)、原子層沉積(ald)、電化學(xué)鍍、無電鍍等或它們的組合來在一個或多個金屬化層115上方形成導(dǎo)電材料。在導(dǎo)電材料是鋁的一些實(shí)施例中，導(dǎo)電材料被圖案化以形成接觸焊盤117。在一些實(shí)施例中，可使用光刻技術(shù)圖案化導(dǎo)電材料。通常，光刻技術(shù)涉及沉積光刻膠材料(未示出)，隨后，對該光刻膠材料進(jìn)行輻射(暴露)以及顯影，以去除部分光刻膠材料。剩余的光刻膠材料保護(hù)下面的材料(諸如接觸焊盤117的導(dǎo)電材料)免于隨后的諸如蝕刻的處理步驟?？梢詫⒅T如反應(yīng)離子蝕刻(rie)或其他干蝕刻、各向同性或各向異性的濕蝕刻或任何其他合適的蝕刻的合適的蝕刻工藝或圖案化工藝應(yīng)用于導(dǎo)電材料，以去除導(dǎo)電材料的暴露部分，并且形成接觸焊盤117。在導(dǎo)電材料為鋁的一些實(shí)施例中，可使用80％磷酸、5％硝酸、5％乙酸和10％去離子(di)水的混合物蝕刻導(dǎo)電材料。隨后，例如，可使用灰化工藝和隨后的濕清洗工藝去除光刻膠材料。

還參考圖1a和圖1b，鈍化層119形成在襯底111和接觸焊盤117上方。在一些實(shí)施例中，鈍化層119可包括諸如聚苯并惡唑(pbo)、聚酰亞胺(pi)、苯并環(huán)丁烯(bcb)等的可光圖案化的介電材料的一層或多層，并且可使用旋涂工藝等形成?？梢允褂门c光刻膠材料類似的光刻方法容易地圖案化這種可光圖案化的介電材料。在其他的實(shí)施例中，鈍化層119可以包括一層或多層不可光圖案化的介電材料，諸如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、磷硅酸鹽玻璃(psg)、硼硅酸鹽玻璃(bsg)、摻雜硼的磷硅酸鹽玻璃(bpsg)等，并且可以使用cvd、pvd、ald、旋涂工藝等或它們的組合來形成。

在一些實(shí)施例中，在鈍化層119中形成開口121以暴露接觸焊盤117。在鈍化層119是由可光圖案化介電材料形成的一些實(shí)施例中，可使用與光刻膠材料類似的光刻方法圖案化鈍化層119。在鈍化層119是由非可光圖案化的介電材料形成的其他實(shí)施例中，在鈍化層119上方形成光刻膠材料(未示出)。隨后，輻照(暴露)和顯影光刻膠材料以去除光刻膠材料的一部分。隨后，例如，使用合適的蝕刻工藝去除鈍化層119的暴露部分以形成開口121。在鈍化層119是由氧化硅形成的一些實(shí)施例中，例如，使用緩沖的氫氟酸(hf)蝕刻鈍化層119。在鈍化層119是由氮化硅形成的一些實(shí)施例中，例如，使用熱磷酸(h3po4)蝕刻鈍化層119。隨后，例如，可使用灰化工藝和隨后的濕清洗工藝去除光刻膠材料。

還參考圖1a和圖1b，在第二ic管芯109是mems管芯的一些實(shí)施例中，第二ic管芯109的每個都包括接合至蓋(cap)125并且環(huán)繞一個或多個腔體127的mems襯底123。在一些實(shí)施例中，mems襯底123和蓋125接合，以使蓋125的前側(cè)125a面向mems襯底123的前側(cè)123a?？梢允褂弥T如熔融接合(如，氧化物與氧化物接合、金屬與金屬接合、混合接合等)、陽極接合、共晶接合等或它們的組合的任何合適的技術(shù)將mems襯底123接合至蓋125。在一些實(shí)施例中，作為可以在低壓環(huán)境中執(zhí)行的接合工藝，一個或多個腔體127可以具有低壓(高真空)。在其他的實(shí)施例中，一個或多個腔體127可以具有取決于第二ic管芯109的設(shè)計需求的任何合適的壓力。

在一些實(shí)施例中，可使用與襯底111類似的材料和方法形成mems襯底123，并且本文不再贅述。在一些實(shí)施例中，第二ic管芯109中的每個都還包括在mems襯底123的前側(cè)123a上位于一個或多個腔體127中的各個mems器件129。各個mems器件129可以包括膜、諧振器、懸臂式元件、壓力傳感器、加速計、運(yùn)動傳感器、陀螺儀等，并且可以使用合適的mems技術(shù)來形成。在一些實(shí)施例中，蓋125可以是cmos管芯且可以使用與第一ic管芯107類似的材料和方法形成。在其它實(shí)施例中，蓋125可以是無源蓋且在其中可以不具有電路。在這樣的實(shí)施例中，蓋125可以由陶瓷材料、石英、玻璃等形成。蓋125還可包括從蓋125的前側(cè)125a延伸至蓋125的背側(cè)125b的貫通孔(tv)131。tv131配置為提供各個mems器件129和第二ic管芯109外部的電路之間的電連接。在示出的實(shí)施例中，蓋125還包括沿著tv131的側(cè)壁的襯墊層133、蓋125的背側(cè)125b上的鈍化層135以及在鈍化層135上方且接觸tv131的接觸焊盤137。在一些實(shí)施例中，襯墊層133可包括合適的介電材料且配置為使tv131與蓋125的材料電隔離。在一些實(shí)施例中，tv131和接觸焊盤137可以包括諸如鋁、銅、鎢、銀、金、鎳等或它們的組合的導(dǎo)電材料。在示出的實(shí)施例中，tv131和接觸焊盤137由銅形成。在一些實(shí)施例中，鈍化層135可包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、psg、bsg、bpsg等的一層或多層。以下參考圖12至圖15描述tv131和接觸焊盤137的制造期間的各個處理步驟。

還參考圖1a和圖1b，第一ic管芯107和第二ic管芯109具有不同的接觸焊盤結(jié)構(gòu)。在示出的實(shí)施例中，第一ic焊盤107的接觸焊盤結(jié)構(gòu)包括嵌入在鈍化層119中的接觸焊盤117，并且第二ic焊盤109的接觸焊盤結(jié)構(gòu)包括位于鈍化層135上方且與tv131電接觸的接觸焊盤137。如下面更詳細(xì)地描述，將在載體101上方且在第一ic管芯107和第二ic管芯109之間形成包封劑(encapsulant)。隨后，將在第一ic管芯107和第二ic管芯109以及包封劑上方形成一個或多個再分布層(rdl)。

圖2a、圖2b、圖3a、圖3b、圖4a、圖4b示出了根據(jù)一些實(shí)施例的使用模塑工具201在載體101上方且在第一ic管芯107和第二ic管芯109之間形成包封劑207期間的各個處理步驟的頂視圖和截面圖。為了清楚的展示，從圖2a、圖3a、圖4a中示出的頂視圖省略模塑工具201。在示出的實(shí)施例中，傳遞模塑法用于包封第一ic管芯107和第二ic管芯109。在其他實(shí)施例中，還可以利用其他合適的模塑工藝。在一些實(shí)施例中，包封劑207可包括諸如環(huán)氧樹脂、樹脂、可模制聚合物等的模塑料。可以施加基本上是液體的模塑料，并且然后可以通過諸如在環(huán)氧樹脂或樹脂中的化學(xué)反應(yīng)固化。在其他實(shí)施例中，模塑料可為紫外線(uv)或熱固化聚合物，該紫外線或熱固化聚合物用作能夠設(shè)置在第一ic管芯107和第二ic管芯109周圍以及之間的凝膠或可塑固體。

首先參考圖2a和圖2b，模塑工具201將釋放層205附接至第一ic管芯107和第二ic管芯109。在一些實(shí)施例中，釋放層205可以由類似于釋放層103的材料形成且可以層壓在第一ic管芯107和第二ic管芯109的頂面上。在一些實(shí)施例中，模塑工具201包括插塞203，該插塞配置為在橫向方向上移動以及在釋放層205和載體101之間、和第一ic管芯107與第二ic管芯109之間的間隙中轉(zhuǎn)移或注射包封劑207。

圖3a和圖3b示出了部分地注射在釋放層205和載體101之間、以及在第一ic管芯107和第二ic管芯109之間的間隙中的包封劑207。在一些實(shí)施例中，插塞203在平行于載體101的主面的方向上注射包封劑207，且包封劑207從載體101的邊緣流動至載體101的內(nèi)部中。

圖4a和圖4b示出了包封工藝的最后階段。在一些實(shí)施例中，插塞203在釋放層205和載體101之間注射更多的包封劑207，直至包封劑207完全地填充第一ic管芯107和第二ic管芯109之間的間隙。隨后地，使用uv固化、熱固化等固化包封劑207。

參考圖5，在完成包封工藝之后，去除釋放層205且暴露第一ic管芯107和第二ic管芯109的頂面。通過使用以上參考圖2a、圖2b、圖3a、圖3b、圖4a、圖4b描述的方法形成包封劑207，第一ic管芯107的接觸焊盤117和第二ic管芯109的接觸焊盤137未被包封劑207覆蓋且在去除釋放層205之后暴露。由于包封劑207未覆蓋第一ic管芯107的接觸焊盤117和第二ic管芯109的接觸焊盤137，所以可以消除諸如研磨工藝、化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)工藝等的包封劑去除工藝。相應(yīng)地，接觸焊盤117和137的頂面可以不與包封劑207的頂面207a共面。此外，通過使用以上參考圖2a、圖2b、圖3a、圖3b、圖4a、圖4b描述的方法形成包封劑207，具有不同接觸焊盤結(jié)構(gòu)的集成電路管芯(諸如第一ic管芯107和第二ic管芯109)可以被包封而在包封工藝期間不損壞接觸焊盤結(jié)構(gòu)。

參考圖6，一個或多個再分布層(rdl)601形成在第一ic管芯107、第二ic管芯109和包封劑207上方并且電耦合至第一ic管芯107的接觸焊盤117和第二ic管芯109的接觸焊盤137。在一些實(shí)施例中，rdl601包括一個或多個介電層603和設(shè)置在一個或多個介電層603內(nèi)的一個或多個導(dǎo)電部件605(諸如導(dǎo)線、跡線和通孔)。在一些實(shí)施例中，一個或多個介電層603可以包括介電材料，諸如pbo、pi、bcb等，并且可以使用旋涂工藝等來形成。在一些實(shí)施例中，一個或多個導(dǎo)電部件605可以包括銅、鎢、鋁、銀、金等或它們的組合，并且可以使用電化學(xué)鍍工藝、無電鍍工藝、ald、pvd等或它們的組合來形成。

還參考圖6，凸塊下金屬(ubm)607形成在一個或多個rdl601上方并與之電耦合。在一些實(shí)施例中，ubm607可以包括三層導(dǎo)電材料，諸如鈦層、銅層和鎳層。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到，存在適于形成ubm607的材料和層的許多適當(dāng)?shù)牟贾?，諸如鉻/鉻-銅合金/銅/金的布置、鈦/鈦鎢/銅的布置或銅/鎳/金的布置?？捎糜趗bm607的任何合適的材料或材料層全部意欲包括在當(dāng)前應(yīng)用的范圍內(nèi)。

參考圖7，連接件701形成在ubm607上方并且與之電耦合。在一些實(shí)施例中，連接件701可以是焊球、金屬柱、可控坍塌芯片連接(c4)凸塊、球柵陣列(bga)球、微凸塊、無電鍍鎳-無電鍍鈀浸金技術(shù)(enepig)形成的凸塊等。連接件701可以包括諸如焊料、銅、鋁、金、鎳、銀、鈀、錫等或它們的組合的導(dǎo)電材料。在連接件701是焊料凸塊的一些實(shí)施例中，通過最初由諸如蒸發(fā)、電鍍、印刷、焊料轉(zhuǎn)移、植球等常用的方法形成焊料層來形成連接件701。一旦在結(jié)構(gòu)上形成焊料層，就可以執(zhí)行回流，以將材料成形為期望的凸塊形狀。在其他的實(shí)施例中，連接件701可以是通過濺射、印刷、電化學(xué)鍍、無電鍍、pvd等形成的金屬柱(例如，諸如銅柱)。金屬柱可以不含焊料并且具有基本垂直的側(cè)壁。在一些實(shí)施例中，在金屬柱的頂部上形成金屬覆蓋層(未示出)。金屬覆蓋層可以包括焊料、鎳、錫、錫-鉛、金、銀、鈀、銦、鎳-鈀-金、鎳-金等或它們組合并且可以通過鍍敷工藝等來形成。

還參考圖7，從包封的第一ic管芯107和第二ic管芯109去除載體101，并且切割包封的第一ic管芯107和第二ic管芯109以形成單獨(dú)的集成電路封裝件703。在釋放層103由lthc材料形成的一些實(shí)施例中，釋放層103暴露于光。暴露于光造成釋放層103失去粘合強(qiáng)度且載體101很容易與第一ic管芯107、第二ic管芯109和包封劑207分離。隨后，粘合層105可被去除以暴露第一ic管芯107、第二ic管芯109和包封劑207。在一些實(shí)施例中，例如，可使用蝕刻、鋸切、激光燒蝕等或它們組合切割包封的第一ic管芯107和第二ic管芯109。隨后，為了進(jìn)一步處理，可以測試每個ic封裝件703以識別已知良好封裝件(kgp)。

圖8a和圖8b是根據(jù)一些實(shí)施例的附接至印刷電路板(pcb)801的堆疊的ic封裝件800的頂視圖和截面圖，其中，圖8a表示頂視圖且圖8b表示沿圖8a的b-b'線的截面圖。為了清楚地展示，從圖8a中示出的頂視圖省略pcb801和連接件701。在一些實(shí)施例中，pcb801具有開口以使堆疊的ic封裝件800至少部分地延伸穿過開口。在一些實(shí)施例中，堆疊的ic封裝件800包括使用連接件701接合至ic封裝件703的ic管芯807、809和811，以使在ic封裝件703的周邊部分上形成的連接件701用于將堆疊的ic封裝件800接合至pcb801。ic管芯807、809和811延伸穿過pcb801中的開口且允許使用在ic封裝件703的周邊部分上形成的連接件701以用于將堆疊的ic封裝件800接合至pcb801。在一些實(shí)施例中，除了第一ic管芯107和第二ic管芯109，ic封裝件703還包括ic管芯803和805。在一些實(shí)施例中，ic管芯803、805、807、809和811可以是cmos管芯、mems管芯等。ic管芯803、805、807、809和811可具有各種功能且可以是存儲器管芯、mcu芯片、pmic芯片、rf芯片、asic芯片、lcd、led顯示器、觸摸傳感器、運(yùn)動傳感器、心率傳感器、諸如溫度傳感器、壓力傳感器、濕度傳感器、顆粒傳感器的環(huán)境傳感器等。在示出的實(shí)施例中，第一ic管芯107是mcu芯片、第二ic管芯109是運(yùn)動傳感器芯片、ic管芯803是rf芯片、ic管芯805是pmic芯片、ic管芯807是溫度傳感器、ic管芯809是心率傳感器、以及ic管芯809是mems芯片。在一些實(shí)施例中，堆疊的ic封裝件800可以是諸如腕表、健康監(jiān)測器件等的可穿戴器件的一部分。

圖9a和圖9b是根據(jù)一些實(shí)施例的附接至pcb801的堆疊的ic封裝件900的頂視圖和截面圖，其中，圖9a表示頂視圖且圖9b表示沿圖9a的b-b'線的截面圖。為了清楚地展示，從圖9a中示出的頂視圖省略pcb801和連接件701。在一些實(shí)施例中，堆疊的ic封裝件900包括使用連接件701接合至ic封裝件901的ic管芯807、809和811，并且可使用類似于堆疊ic封裝件800的方法形成。在一些實(shí)施例中，可使用與上述參考圖1a、圖1b、圖2a、圖2b、圖3a、圖3b、圖4a、圖4b、以及圖5至圖7描述的類似于ic封裝件703的方法形成ic封裝件901，并且此處不重復(fù)描述。替代第二ic管芯109，ic封裝件901包括ic管芯903。在一些實(shí)施例中，ic管芯903與第二ic管芯109的不同之處在于接觸焊盤結(jié)構(gòu)。與第二ic管芯109相反，ic管芯903不包括接觸焊盤137，且tv131直接耦合至一個或多個rdl601。在一些實(shí)施例中，堆疊的ic封裝件900可以是諸如腕表、健康監(jiān)測器件等的可穿戴器件的一部分。

圖10a和圖10b是根據(jù)一些實(shí)施例的附接至pcb801的堆疊的ic封裝件1000的頂視圖和截面圖，其中，圖10a表示頂視圖且圖10b表示沿圖10a的b-b'線的截面圖。為了清楚地展示，從圖10a中示出的頂視圖省略pcb801和連接件701。在一些實(shí)施例中，堆疊的ic封裝件1000包括使用連接件701接合至ic封裝件1001的ic管芯807、809和811，并且可使用類似于堆疊ic封裝件800的方法形成。在一些實(shí)施例中，可使用與上述參考圖1a、圖1b、圖2a、圖2b、圖3a、圖3b、圖4a、圖4b、以及圖5至圖7描述的類似于ic封裝件703的方法形成ic封裝件1001，并且此處不重復(fù)描述。替代第二ic管芯109，ic封裝件1001包括ic管芯1003。在示出的實(shí)施例中，ic管芯1003是環(huán)境傳感器。在這樣的實(shí)施例中，開口1005形成在包封劑207中以將ic管芯1003暴露于外部環(huán)境。在一些實(shí)施例中，使用合適的光刻和蝕刻方法形成開口1005。在一些實(shí)施例中，堆疊的ic封裝件1000可以是諸如腕表、健康監(jiān)測器件等的可穿戴器件的一部分。

圖11a和圖11b是根據(jù)一些實(shí)施例的附接至pcb801的堆疊的ic封裝件1100的頂視圖和截面圖，其中，圖11a表示頂視圖且圖11b表示沿圖11a的b-b'線的截面圖。為了清楚地展示，從圖11a中示出的頂視圖省略pcb801和連接件701。在一些實(shí)施例中，堆疊的ic封裝件1100包括使用連接件701接合至ic封裝件1101的ic管芯1111、1113和1115，并且可使用類似于堆疊的ic封裝件800的方法形成。在一些實(shí)施例中，ic封裝件1101包括ic管芯1103、1105、1107和1109，并且可使用與上述參考圖1a、圖1b、圖2a、圖2b、圖3a、圖3b、圖4a、圖4b、以及圖5至圖7描述的類似于ic封裝件703的方法形成，以及此處不重復(fù)描述。在一些實(shí)施例中，ic管芯1103、1105、1107、1109、1111、1113和1115可以是cmos管芯、mems管芯等。ic管芯1103、1105、1107、1109、1111、1113和1115可具有各種功能且可以是存儲器管芯、mcu芯片、pmic芯片、rf芯片、asic芯片、lcd、led顯示器、觸摸傳感器、運(yùn)動傳感器、心率傳感器、諸如溫度傳感器、壓力傳感器、濕度傳感器、和顆粒傳感器的環(huán)境傳感器等。在示出的實(shí)施例中，ic管芯1103是pmic芯片、ic管芯1105是mcu芯片、ic管芯1107是pmic芯片、ic管芯1109是rf芯片、ic管芯1111是心率傳感器、ic管芯1113是諸如運(yùn)動傳感器的mems芯片、以及ic管芯1115是溫度傳感器。在一些實(shí)施例中，在ic封裝件1101上方、以及在ic管芯1111、1113和1115上方和周圍形成包封劑1117。在一些實(shí)施例中，可使用與包封劑207類似的材料和方法形成包封劑1117，并且本文不再贅述。在一些實(shí)施例中，使用cmp工藝、研磨工藝等或其組合平坦化包封劑1117。在一些實(shí)施例中，執(zhí)行平坦化工藝直至暴露ic管芯1111的頂面。在一些實(shí)施例中，可以使用模具(moldchasetool)(未示出)，同時形成包封劑1117以暴露沿著ic封裝件1101的周邊部分形成的ubm607和連接件701。在一些實(shí)施例中，堆疊的ic封裝件1100可以是諸如腕表、健康監(jiān)測器件等的可穿戴器件的一部分。

圖12至圖15是根據(jù)一些實(shí)施例的第二ic管芯109的tv131和接觸焊盤137的制造期間的各個處理步驟的截面圖。首先參考圖12，示出了包括第二ic管芯109的晶圓1200的一部分，其中，相鄰的第二ic管芯109通過劃線1201分離。如下面更詳細(xì)地描述，晶圓1200隨后沿著劃線1201被分割成單獨(dú)的第二ic管芯109。在一些實(shí)施例中，在蓋125接合至mems襯底123之前，蓋125被圖案化以在蓋125的前側(cè)125a上形成開口。圖12示出了每個第二ic管芯109具有兩個開口以作為實(shí)例。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，根據(jù)第二ic管芯109的設(shè)計規(guī)格，開口的數(shù)量可以兩個以上且可以變化。在一些實(shí)施例中，可使用光刻技術(shù)圖案化蓋125。通常，光刻技術(shù)涉及沉積光刻膠材料，隨后，對該光刻膠材料進(jìn)行輻射(暴露)以及顯影，以去除部分光刻膠材料。剩余的光刻膠材料保護(hù)諸如蓋125的下面的材料免受諸如蝕刻的后續(xù)處理步驟的影響。可將諸如反應(yīng)離子蝕刻(rie)的各向異性干蝕刻、各向同性或各向異性濕蝕刻的合適的蝕刻工藝、或任何其他合適的蝕刻或圖案化工藝應(yīng)用于去除蓋125的暴露部分。

還參考圖12，襯墊層133共形地形成在蓋125的前側(cè)125a上方和開口中。在一些實(shí)施例中，襯墊層133可包括合適的介電材料并且可以使用cvd、pecvd、次大氣壓cvd(sacvd)、ald等或它們的組合形成。襯墊層133配置為使隨后形成的tv131與蓋125的材料電隔離。在一些實(shí)施例中，襯墊層133上方共形地形成阻擋/粘合層(未示出)。阻擋/粘合層可以使用濺射、pvd、cvd、ald等或它們的組合來形成。阻擋/粘合層配置為用作擴(kuò)散阻擋且保護(hù)蓋125免受金屬擴(kuò)散的影響。通過用諸如鋁、銅、鎢、銀、金等或它們的組合的導(dǎo)電材料填充開口來形成tv131。在一些實(shí)施例中，使用電化學(xué)鍍工藝、無電鍍工藝、ald、pvd等、或它們的組合沉積導(dǎo)電材料。在一些實(shí)施例中，在用導(dǎo)電材料填充開口之前，在阻擋/粘合層上方共形地形成晶種層(未示出)，以及在晶種層上方沉積導(dǎo)電材料。晶種層可以包括銅、鈦、鎳、金、錳等或它們的組合，并且可以通過ald、pvd、濺射等或它們的組合來形成。在一些實(shí)施例中，蓋125的前側(cè)125a上的開口過填充有導(dǎo)電材料，可以使用蝕刻工藝、cmp工藝等去除導(dǎo)電材料。在蓋125中形成tv131之后，蓋125和mems襯底123接合以形成具有第二ic管芯109的晶圓1200?？梢允褂弥T如熔融接合(如，氧化物與氧化物接合、金屬與金屬接合、混合接合等)、陽極接合、共晶接合等或它們的組合的任何合適的技術(shù)將mems襯底123接合至蓋125。

參考圖13，減薄蓋125的背側(cè)125b直至暴露tv131。在一些實(shí)施例中，可以使用研磨工藝、蝕刻工藝、cmp工藝等減薄蓋125的背側(cè)125b。如下面參考圖14和圖15更詳細(xì)地描述，在一些實(shí)施例中，工藝持續(xù)形成位于蓋125的背側(cè)125b上方且與tv121電接觸的接觸焊盤137。在其它實(shí)施例中，工藝在此停止且在形成接觸焊盤137之前可沿著劃線1201分割晶圓1200。在這樣的實(shí)施例中，可以形成諸如圖9a和圖9b中示出的ic管芯903的單獨(dú)管芯。

參考圖14，在蓋125的背側(cè)125b上和tv131上方形成鈍化層135。在一些實(shí)施例中，鈍化層135可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、psg、bsg、bpsg等的一層或多層，并且可以使用cvd、pvd、ald、旋涂工藝等或它們的組合來形成。在一些實(shí)施例中，平坦化鈍化層135直至暴露tv131。在一些實(shí)施例中，可以使用研磨工藝、蝕刻工藝、cmp工藝等平坦化鈍化層135。隨后，開槽鈍化層135以暴露tv131的側(cè)壁的至少一部分且形成在鈍化層135的頂面之上延伸的通孔突起。在一些實(shí)施例中，可使用選擇性蝕刻工藝等開槽鈍化層135。

參考圖15，形成位于鈍化層135上方且與tv131電接觸的接觸焊盤137。在一些實(shí)施例中，犧牲層(未示出)可以形成在鈍化層135上方且可被圖案化以在犧牲層中形成開口。在一些實(shí)施例中，犧牲層可包括光刻膠材料等。犧牲層中的開口暴露tv131的通孔突起。在一些實(shí)施例中，諸如鋁、銅、鎢、銀、金、鎳等或它們的組合的導(dǎo)電材料沉積在犧牲層中的開口中以形成接觸焊盤137。在其它實(shí)施例中，可在鈍化層上方形成導(dǎo)電材料并且隨后被圖案化以形成接觸焊盤。在完成接觸焊盤137的形成之后，晶圓1200被切割以形成單獨(dú)的第二ic管芯109。在一些實(shí)施例中，例如，可使用蝕刻、鋸切、激光燒蝕等或其組合切割晶圓。隨后，為了進(jìn)一步處理，可以測試每個第二ic封裝件109以識別已知良好封裝件(kgp)。

圖16是示出根據(jù)一些實(shí)施例的形成集成電路封裝件的方法1600的流程圖。方法開始于步驟1601，其中，如上述參考圖1a和圖1b描述的，第一管芯(諸如第一ic管芯107)和第二管芯(諸如第二ic管芯109)附接至載體(諸如載體101)。在步驟1603中，如以上參考圖2a和圖2b所述，在第一管芯和第二管芯的頂面上方形成釋放層(諸如釋放層205)。在步驟1605中，如以上參考圖3a、圖3b、圖4a和圖4b所述，在釋放層和載體之間、以及在相鄰的管芯之間注射包封劑(諸如包封劑207)。在步驟1607中，如以上參考圖6所述，在第一管芯、第二管芯和包封劑上方形成一個或多個再分布層(諸如一個或多個rdl601)。在步驟1609中，如上述參考圖7描述，在一個或多個rdl上方形成連接件(諸如連接件701)。在步驟1611中，如以上關(guān)于圖7所述，所得到的結(jié)構(gòu)從載體分離并且被切割以形成單獨(dú)的封裝件(諸如ic封裝件703)。在步驟1613中，如以上關(guān)于圖8所述，一個或多個管芯(諸如ic管芯807、809和811)使用連接件附接至單獨(dú)的封裝件。在一些可選實(shí)施例中，可以在步驟1611之前執(zhí)行步驟1613。

本文中呈現(xiàn)的各個實(shí)施例可提供若干益處。諸如本文描述的實(shí)施例允許將具有不同接觸焊盤結(jié)構(gòu)的集成電路管芯封裝至同一集成電路封裝件中。此外，諸如本文描述的實(shí)施例在集成電路封裝件的形成期間允許消除特定的工藝步驟且允許降低制造成本。此外，本文描述的實(shí)施例允許具有不同接觸焊盤結(jié)構(gòu)的集成電路管芯的包封而在包封工藝期間不損壞接觸件焊盤結(jié)構(gòu)。

根據(jù)實(shí)施例，一種方法包括將第一管芯和第二管芯附接至載體，第一管芯具有第一接觸焊盤，第二管芯具有第二接觸焊盤，第一接觸焊盤和第二接觸焊盤具有不同的結(jié)構(gòu)。釋放層形成在第一管芯和第二管芯上方。在載體和釋放層之間注射包封劑。在第一管芯、第二管芯和包封劑上方形成一個或多個再分布層(rdl)，第一接觸焊盤和第二接觸焊盤與一個或多個rdl電接觸。

根據(jù)另一實(shí)施例，一種方法包括將第一管芯的第一側(cè)附接至載體。第一管芯包括位于第一管芯的第二側(cè)上的第一接觸焊盤，第一管芯的第二側(cè)與第一管芯的第一側(cè)相對。第一管芯還包括位于第一管芯的第二側(cè)上的第一絕緣層，通過第一絕緣層中的開口暴露第一接觸焊盤的至少一部分。第二管芯的第一側(cè)附接至載體。第二管芯包括貫通孔，貫通孔從第二管芯的第一側(cè)延伸至第二管芯的第二側(cè)，第二管芯的第二側(cè)與第二管芯的第一側(cè)相對。第二管芯還包括位于第二管芯的第二側(cè)上的第二絕緣層、貫通孔的延伸穿過第二絕緣層的至少一部分、以及位于第二絕緣層上方的第二接觸焊盤，第二接觸焊盤接觸貫通孔。釋放層層壓在第一接觸焊盤、第二接觸焊盤、第一絕緣層和第二絕緣層的頂面上方。在載體和釋放層之間、以及在第一管芯和第二管芯之間的間隙中注射第一包封劑。在第一管芯、第二管芯和第一包封劑上方形成一個或多個再分布層(rdl)，第一接觸焊盤和第二接觸焊盤與一個或多個rdl電接觸。

根據(jù)又一實(shí)施例，一種器件包括一個或多個再分布層(rdl)、以及位于一個或多個rdl的第一側(cè)上的第一管芯，第一管芯包括嵌入在第一絕緣層中的第一接觸焊盤，一個或多個rdl的導(dǎo)電部件延伸穿過第一絕緣層并且接觸第一接觸焊盤。器件還包括位于一個或多個rdl的第一側(cè)上的第二管芯。第二管芯包括延伸穿過第二絕緣層的貫通孔和位于第二絕緣層上方的第二接觸焊盤，第二接觸焊盤接觸貫通孔，一個或多個rdl的第三絕緣層的至少一部分沿著第二接觸焊盤的側(cè)壁延伸。器件還包括位于一個或多個rdl的第一側(cè)上的第一包封劑，第一包封劑的至少一部分插在第一管芯和第二管芯之間。

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種形成集成電路封裝件的方法，包括：將第一管芯和第二管芯附接至載體，所述第一管芯具有第一接觸焊盤，所述第二管芯具有第二接觸焊盤，所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤具有不同的結(jié)構(gòu)；在所述第一管芯和所述第二管芯上方形成釋放層；在所述載體和所述釋放層之間注射包封劑；以及在所述第一管芯、所述第二管芯和所述包封劑上方形成一個或多個再分布層(rdl)，所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤與所述一個或多個再分布層電接觸。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，方法還包括將第三管芯附接至所述一個或多個再分布層，所述第一或多個再分布層插在所述包封劑和所述第三管芯之間。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，其中，所述包封劑的最頂部表面位于所述第一管芯的最頂部表面下方。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，其中，所述包封劑的最頂部表面位于所述第二接觸焊盤的最頂部表面下方。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，其中，所述第一接觸焊盤嵌在第一介電層中。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，其中，所述第二接觸焊盤在第二介電層上方延伸，所述第二接觸焊盤與所述第二管芯中的貫通孔電接觸。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，其中，所述第一管芯為cmos管芯，并且其中，所述第二管芯為mems管芯。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種形成集成電路封裝件的方法，包括：將第一管芯的第一側(cè)附接至載體，所述第一管芯具有：位于所述第一管芯的第二側(cè)上的第一接觸焊盤，所述第一管芯的所述第二側(cè)與所述第一管芯的所述第一側(cè)相對；和位于所述第一管芯的所述第二側(cè)上的第一絕緣層，通過所述第一絕緣層中的開口暴露所述第一接觸焊盤的至少一部分；將第二管芯的第一側(cè)附接至所述載體，所述第二管芯具有：貫通孔，所述貫通孔從所述第二管芯的所述第一側(cè)延伸至所述第二管芯的第二側(cè)，所述第二管芯的所述第二側(cè)與所述第二管芯的所述第一側(cè)相對；位于所述第二管芯的所述第二側(cè)上的第二絕緣層，所述貫通孔的至少一部分延伸穿過所述第二絕緣層；和位于所述第二絕緣層上方的第二接觸焊盤，所述第二接觸焊盤接觸所述貫通孔；將釋放層層壓在所述第一接觸焊盤、所述第二接觸焊盤、所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的頂面上方；在所述載體和所述釋放層之間、以及在所述第一管芯和所述第二管芯之間的間隙中注射第一包封劑；以及在所述第一管芯、所述第二管芯和所述第一包封劑上方形成一個或多個再分布層(rdl)，所述第一接觸焊盤和所述第二接觸焊盤與所述一個或多個再分布層電接觸。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，方法還包括：將一個或多個管芯附接至所述一個或多個再分布層，所述一個或多個再分布層插在所述一個或多個管芯與所述第一包封劑之間；以及將所述一個或多個再分布層附接至電路板，所述電路板具有開口，所述一個或多個管芯延伸穿過所述開口。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，方法還包括將第三管芯附接至所述一個或多個再分布層，所述第一或多個再分布層插在所述第一管芯和所述第三管芯之間。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，方法還包括在所述一個或多個再分布層上方形成第二包封劑，所述第二包封劑的至少一部分沿著所述第三管芯的側(cè)壁延伸。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，其中，注射所述第一包封劑包括使用插塞迫使所述第一包封劑進(jìn)入所述第一管芯和所述第二管芯之間的間隙中。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，其中，所述第一接觸焊盤的最頂部表面與所述第一包封劑的最頂部表面不共面。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，其中，所述第二接觸焊盤的最頂部表面與所述第一包封劑的最頂部表面不共面。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種集成電路封裝器件，包括：一個或多個再分布層(rdl)；第一管芯，位于所述一個或多個再分布層的第一側(cè)上，所述第一管芯包括嵌在第一絕緣層中的第一接觸焊盤，所述一個或多個再分布層的導(dǎo)電部件延伸穿過所述第一絕緣層并且接觸所述第一接觸焊盤；第二管芯，位于所述一個或多個再分布層的所述第一側(cè)上，所述第二管芯包括：貫通孔，延伸穿過第二絕緣層；和第二接觸焊盤，位于所述第二絕緣層上方，所述第二接觸焊盤接觸所述貫通孔，所述一個或多個再分布層的第三絕緣層的至少一部分沿著所述第二接觸焊盤的側(cè)壁延伸；以及第一包封劑，位于所述一個或多個再分布層的所述第一側(cè)上，所述第一包封劑的至少一部分插在所述第一管芯和所述第二管芯之間。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，器件還包括：第三管芯，位于所述一個或多個再分布層的第二側(cè)上，所述一個或多個再分布層的所述第二側(cè)與所述一個或多個再分布層的所述第一側(cè)相對；第二包封劑，位于所述一個或多個再分布層的所述第二側(cè)上，所述第三管芯延伸穿過所述第二包封劑；以及電路板，位于所述一個或多個再分布層的第二側(cè)上，所述第二包封劑延伸穿過所述電路板中的開口。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，其中，所述第二包封劑的至少一部分插在所述第三管芯和所述一個或多個再分布層之間。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，其中，所述第一包封劑的最頂部表面位于所述第一絕緣層的最頂部表面下方。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，其中，所述第一包封劑的所述最頂部表面位于所述第二接觸焊盤的最頂部表面下方。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，其中，所述第一管芯為cmos管芯，并且其中，所述第二管芯為mems管芯。

上面概述了若干實(shí)施例的部件、使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計或修改用于實(shí)現(xiàn)與在此所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍、并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此他們可以做出多種變化、替換以及改變。