技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及高分子薄膜極化方法及裝置、極化膜、電子器件。一種高分子薄膜極化方法及裝置，利用X射線電離待極化高分子薄膜上方的環(huán)境氣體并在所述高電場作用下，穿過所述低電場而沉積在所述高分子薄膜表面，使所述高分子薄膜內(nèi)形成沿所述薄膜厚度方向的膜內(nèi)電場，從而完成所述高分子薄膜的極化。能有效提高極化膜的生產(chǎn)合格率，減少環(huán)境污染。本發(fā)明還提供一種極化膜，采用上述高分子薄膜極化方法制備得到，具有較強(qiáng)的壓電效應(yīng)和較長的使用壽命。本發(fā)明還提供一種電子器件，基底以及原位形成于所述基底上的極化膜，有效拓寬該電子器件的應(yīng)用并增強(qiáng)其競爭力。

技術(shù)研發(fā)人員：王開安
受保護(hù)的技術(shù)使用者：王開安
文檔號(hào)碼：201611222575
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.27
技術(shù)公布日：2017.06.20