1.一種高分子薄膜極化方法，其特征在于：包括：提供待極化高分子薄膜并使該薄膜電勢(shì)為零，在所述待極化高分子薄膜上方提供高電場(chǎng)以及一個(gè)低電場(chǎng)，所述高電場(chǎng)電勢(shì)高于所述低電場(chǎng)的電勢(shì)，采用X射線電離待極化高分子薄膜上方的環(huán)境氣體并在所述高電場(chǎng)作用下，穿過所述低電場(chǎng)而沉積在所述高分子薄膜表面，使所述高分子薄膜內(nèi)形成沿所述薄膜厚度方向的膜內(nèi)電場(chǎng)，從而完成所述高分子薄膜的極化。
2.如權(quán)利要求1中所述高分子薄膜極化方法，其特征在于：進(jìn)一步包括通過監(jiān)測(cè)所述高分子薄膜的薄膜電流確定極化終點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求2中所述高分子薄膜極化方法，其特征在于：所述高分子薄膜為鐵電聚合物薄膜，所述薄膜電流在極化過程中表現(xiàn)出巴克豪森噪聲的振蕩行為特性，通過監(jiān)測(cè)巴克豪森噪聲對(duì)薄膜電流的影響，從而確定極化終點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求1中所述高分子薄膜極化方法，其特征在于：所述高電場(chǎng)的電勢(shì)為10-50kV，所述低電場(chǎng)的電勢(shì)為5-40kV。
5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述高分子薄膜極化方法，其特征在于：所述高分子薄膜為原位形成在一基底上的薄膜，薄膜厚度小于9μm。
6.一種高分子薄膜極化裝置，用于極化高分子薄膜，其特征在于：所述高分子薄膜極化裝置包括X射線發(fā)生器、電場(chǎng)組件和物品承載臺(tái)；
所述X射線發(fā)生器用于提供X射線，所述物品承載臺(tái)接地用于承載待極化高分子薄膜并使該待極化高分子薄膜電勢(shì)為零；該電場(chǎng)組件包括一高壓電場(chǎng)端和一低壓電極端，所述高壓電場(chǎng)端位于物品承載臺(tái)上方，所述低壓電極端位于高壓電場(chǎng)端跟物品承載臺(tái)之間；該高壓電場(chǎng)端電勢(shì)比低壓電極端電勢(shì)高；
該物品承載臺(tái)上方的環(huán)境氣體可被X射線電離并在該電場(chǎng)組件形成的電場(chǎng)下移動(dòng)并沉積在所述待極化高分子薄膜表面，使所述待極化高分子薄膜內(nèi)形成沿所述薄膜厚度方向的膜內(nèi)電場(chǎng)，從而完成所述高分子薄膜的極化。
7.如權(quán)利要求6中所述高分子薄膜極化裝置，其特征在于：所述高壓電場(chǎng)端包括陣列狀針狀電極或線狀電極或平板電極或柵格電極，所述高壓電場(chǎng)端與低壓電極端之間的距離大于所述低壓電極端與物品承載臺(tái)之間的距離。
8.如權(quán)利要求7中所述高分子薄膜極化裝置，其特征在于：所述低壓電極端為柵格電極端或具有貫穿部的平板電極端，該低壓電極端與物品承載臺(tái)距離為1-10mm。
9.如權(quán)利要求6-8任一項(xiàng)所述高分子薄膜極化裝置，其特征在于：進(jìn)一步包括用于測(cè)量所述高分子薄膜的薄膜電流的電流感測(cè)器。
10.如權(quán)利要求9中所述高分子薄膜極化裝置，其特征在于：進(jìn)一步包括控制處理器，用于接收電流感測(cè)器的薄膜電流數(shù)據(jù)，確定極化終點(diǎn)。
11.一種極化膜，其特征在于：采用如權(quán)利要求1中所述高分子薄膜極化方法制備得到。
12.如權(quán)利要求11中所述極化膜，其特征在于：所述極化膜為鐵電聚合物薄膜，薄膜厚度小于9μm。
13.一種電子器件，其特征在于：包括基底以及原位形成于所述基底上的極化膜。