1.一種平板外延爐溫場(chǎng)的調(diào)節(jié)方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)、對(duì)注入片在爐腔內(nèi)進(jìn)行烘烤，此時(shí)爐腔內(nèi)具有初始溫度補(bǔ)償值；
(2)、將烘烤好的注入片用濕法去除表面氧化層；
(3)、用四探針測(cè)試注入片表面的方塊電阻，以溫度作為橫坐標(biāo)，方塊電阻作為縱坐標(biāo)，測(cè)試不同溫度下烘烤的注入片中心點(diǎn)的方塊電阻，進(jìn)行線性擬合，線性擬合指數(shù)R2為0.9933，從而得到方塊電阻和溫度之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系；
(4)、四探針測(cè)試得到片內(nèi)多點(diǎn)的方塊電阻分布情況；
(5)、根據(jù)步驟(4)中注入片內(nèi)多點(diǎn)的方塊電阻分布情況，得到各區(qū)域相比于中心點(diǎn)的方塊電阻差值，根據(jù)溫度和方塊電阻的折算關(guān)系，得到各區(qū)域相比中心點(diǎn)的溫度偏差關(guān)系，從而得到各區(qū)域的實(shí)際溫度分布；
(6)、根據(jù)步驟(5)中得到的實(shí)際溫度分布，在初始的溫度補(bǔ)償值基礎(chǔ)上進(jìn)行修正，得到一組理想溫度補(bǔ)償值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板外延爐溫場(chǎng)的調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述步驟(1)中對(duì)注入片的烘烤方法包括以下步驟：
(1.1)、將爐腔升溫到1180℃；
(1.2)、通入HCL處理爐腔；
(1.3)、將爐腔降溫到850℃；
(1.4)、將注入片裝入位于爐腔內(nèi)的石墨基座；
(1.5)、將爐腔溫度升至外延產(chǎn)品所需溫度，爐腔內(nèi)具有上述初始溫度補(bǔ)償值；
(1.6)、爐腔內(nèi)不通入摻雜源和硅源，并保持一個(gè)固定時(shí)間；
(1.7)、爐腔降溫；
(1.8)、將爐腔內(nèi)的注入片取出完成外延。
并且，以上步驟(1.1)至步驟(1.8)中，石墨基座不旋轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板外延爐溫場(chǎng)的調(diào)節(jié)方法，其特征在于：步驟(1.6)中，所述固定時(shí)間為60s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的平板外延爐溫場(chǎng)的調(diào)節(jié)方法，其特征在于：所述初始溫度補(bǔ)償值具體為，外延爐的前部溫度補(bǔ)償值為-15、側(cè)部溫度補(bǔ)償值為-25、后部溫度補(bǔ)償值為-40。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的平板外延爐溫場(chǎng)的調(diào)節(jié)方法，其特征在于：步驟(5)中，溫度和方塊電阻的折算關(guān)系為1Ω/口＝1.52℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板外延爐溫場(chǎng)的調(diào)節(jié)方法，其特征在于：步驟(4)中，片內(nèi)多點(diǎn)的方塊電阻測(cè)試為41點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的平板外延爐溫場(chǎng)的調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述溫度偏差為：外延爐的前部溫度偏差為7、外延爐的側(cè)部溫度偏差為0、外延爐的后部溫度偏差為-8，用初始溫度補(bǔ)償值減去溫度偏差，得到一組理想的溫度補(bǔ)償值：外延爐的前部理想溫度補(bǔ)償值-22、外延爐的側(cè)部理想溫度補(bǔ)償值-25、外延爐的后部理想溫度補(bǔ)償值-32。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板外延爐溫場(chǎng)的調(diào)節(jié)方法，其特征在于，適用于8英寸外延片的制造。