技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體器件，特別涉及一種超勢壘整流器件及其制造方法，本發(fā)明制造的超勢壘整流器件包括：第一導(dǎo)電類型襯底；第一導(dǎo)電類型外延層；第二導(dǎo)電類型一阱區(qū)；第一導(dǎo)電類型阱區(qū)；柵氧化層；多晶硅電極；金屬電極，所述第一導(dǎo)電類型外延層中形成第二導(dǎo)電類型二阱區(qū)，所述第二導(dǎo)電類型二阱區(qū)位于第二導(dǎo)電類型一阱區(qū)下方，并且所述第二導(dǎo)電類型二阱區(qū)與第二導(dǎo)電類型一阱區(qū)相接觸，第二導(dǎo)電類型一阱區(qū)中形成通孔，所述通孔中填充導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料電性連接第二導(dǎo)電類型二阱區(qū)和金屬電極。本發(fā)明增加了超勢壘整流器件的反向抗擊電壓能力。

技術(shù)研發(fā)人員：李風(fēng)浪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東莞市聯(lián)洲知識產(chǎn)權(quán)運(yùn)營管理有限公司
文檔號碼：201611215401
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.26
技術(shù)公布日：2017.05.17