1.一種圖形測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
形成于半導(dǎo)體襯底上的待測量圖形；
形成于半導(dǎo)體襯底上的輔助測量圖形，所述輔助測量圖形至少位于所述待測量圖形相對的兩側(cè)，且所述輔助測量圖形與待測量圖形的最大設(shè)計(jì)距離小于100微米。
2.如權(quán)利要求1所述的圖形測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為閃存芯片。
3.如權(quán)利要求2所述的圖形測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述待測量圖形為核心存儲區(qū)圖形。
4.如權(quán)利要求1所述的圖形測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述輔助測量圖形設(shè)置在所述待測量圖形的外側(cè)，或者，所述輔助測量圖形設(shè)置在所述待測量圖形的內(nèi)側(cè)，或者，一部分所述輔助測量圖形設(shè)置在待測量圖形內(nèi)側(cè)，另一部分所述輔助測量圖形設(shè)置在待測量圖形外側(cè)。
5.如權(quán)利要求1所述的圖形測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述輔助測量圖形的數(shù)量為兩個(gè)，分別設(shè)置于所述待測量圖形相對的兩側(cè)。
6.如權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的圖形測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述輔助測量圖形為凹槽或凸起。
7.一種測量圖形尺寸的方法，其特征在于，包括：
提供如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的圖形測試結(jié)構(gòu)；
至少測量位于所述待測量圖形相對的兩側(cè)的兩個(gè)輔助測量圖形的特定位置到所述待測量圖形對應(yīng)邊緣的實(shí)際距離之和，若此實(shí)際距離之和與設(shè)計(jì)值在允許的誤差范圍內(nèi)，則判斷所述待測量圖形的尺寸符合設(shè)計(jì)要求。
8.如權(quán)利要求7所述的測量圖形尺寸的方法，其特征在于，所述特定位置為所述輔助測量圖形靠近所述待測量圖形的側(cè)邊。
9.如權(quán)利要求7所述的測量圖形尺寸的方法，其特征在于，所述特定位置為所述輔助測量圖形遠(yuǎn)離所述待測量圖形的側(cè)邊。
10.如權(quán)利要求7所述的測量圖形尺寸的方法，其特征在于，所述特定位置為所述輔助測量圖形靠近所述待測量圖形的側(cè)邊與所述輔助測量圖形遠(yuǎn)離所述待測量圖形的側(cè)邊的中間線。
11.一種圖形測試結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一半導(dǎo)體襯底；
采用光刻與刻蝕工藝，在所述半導(dǎo)體襯底上形成輔助測量圖形與待測量圖形，所述輔助測量圖形至少位于所述待測量圖形相對的兩側(cè)，且所述輔助測量圖形與待測量圖形的最大設(shè)計(jì)距離小于100微米。
12.如權(quán)利要求11所述的圖形測試結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，先形成所述輔助測量圖形，后形成所述待測量圖形。
13.如權(quán)利要求11所述的圖形測試結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述輔助測量圖形與所述待測量圖形同時(shí)形成。