本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種圖形測試結(jié)構(gòu)及其制作方法、測量圖形尺寸的方法。

背景技術(shù)：

在3D NAND閃存的制作中，核心(core)存儲區(qū)的尺寸為毫米級，對于掃描式電子顯微鏡(CD SEM)機(jī)臺，其尺寸太大，超出了機(jī)臺的量測范圍，故無法直接量測其尺寸。但對于核心存儲區(qū)，在工藝上又要求精度做到納米級，這就給對工藝穩(wěn)定性的監(jiān)控提出了挑戰(zhàn)。

如圖1所示，傳統(tǒng)的方法是在定義待測量圖形101時，同時僅在其一側(cè)定義一個輔助測量圖形103，所述輔助測量圖形103的設(shè)計(jì)尺寸為微米級，這里的設(shè)計(jì)尺寸是指圖形的線寬(CD)。采用掃描式電子顯微鏡測量所述輔助測量圖形103的實(shí)際尺寸d2，當(dāng)輔助測量圖形103的實(shí)際尺寸d2與該輔助測量圖形的設(shè)計(jì)尺寸相比在允許的誤差范圍內(nèi)時，則認(rèn)為待測量圖形101的實(shí)際實(shí)際尺寸d1符合設(shè)計(jì)要求，并且其精度與輔助測量圖形103一樣可以達(dá)到納米級，以此來進(jìn)行工藝穩(wěn)定性監(jiān)控。

申請人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)前方法存在缺陷，由于掩膜版存在誤差效應(yīng)，掩膜板上定義的微米級圖形，曝光顯影后實(shí)際在芯片上形成的圖形與芯片設(shè)計(jì)的誤差可以控制在20nm左右；但是，掩膜板上定義的毫米級圖形，曝光顯影后實(shí)際在芯片上形成的圖形與芯片設(shè)計(jì)的誤差大于100nm。所以，不能使用微米級的輔助測量圖形103代替待測量圖形101進(jìn)行尺寸量測。如何精確測量毫米級及更待測量圖形的尺寸，成為一項(xiàng)亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種圖形測試結(jié)構(gòu)及其制作方法、測量圖形尺寸的方法，以解決傳統(tǒng)測量方法無法精確測量毫米級及更大尺寸的圖形的尺寸的問題。

本發(fā)明提供了一種圖形測試結(jié)構(gòu)，其包括：

形成于半導(dǎo)體襯底上的待測量圖形；

形成于半導(dǎo)體襯底上的輔助測量圖形，所述輔助測量圖形至少位于所述待測量圖形相對的兩側(cè)，且所述輔助測量圖形與待測量圖形的最大設(shè)計(jì)距離小于100微米。

可選的，所述半導(dǎo)體襯底為閃存芯片，所述待測量圖形為核心存儲區(qū)圖形。

可選的，所述輔助測量圖形設(shè)置在所述待測量圖形的外側(cè)，或者，所述輔助測量圖形設(shè)置在所述待測量圖形的內(nèi)側(cè)，或者，一部分所述輔助測量圖形設(shè)置在待測量圖形內(nèi)側(cè)，另一部分所述輔助測量圖形設(shè)置在待測量圖形外側(cè)。

可選的，所述輔助測量圖形的數(shù)量為兩個，分別設(shè)置于所述待測量圖形相對的兩側(cè)。

可選的，所述輔助測量圖形為凹槽或凸起。

本發(fā)明提供了一種測量圖形尺寸的方法，其包括：

提供一圖形測試結(jié)構(gòu)；

至少測量位于所述待測量圖形相對的兩側(cè)的兩個輔助測量圖形的特定位置到所述待測量圖形對應(yīng)邊緣的實(shí)際距離之和，若此實(shí)際距離之和與設(shè)計(jì)值在允許的誤差范圍內(nèi)，則判斷所述待測量圖形的尺寸符合設(shè)計(jì)要求。

可選的，所述特定位置為所述輔助測量圖形靠近所述待測量圖形的側(cè)邊，或者，所述特定位置為所述輔助測量圖形遠(yuǎn)離所述待測量圖形的側(cè)邊，或者，所述特定位置為所述輔助測量圖形靠近所述待測量圖形的側(cè)邊與所述輔助測量圖形遠(yuǎn)離所述待測量圖形的側(cè)邊的中間線。

本發(fā)明提供了一種圖形測試結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括以下步驟：

提供一半導(dǎo)體襯底；

采用光刻與刻蝕工藝，在所述半導(dǎo)體襯底上形成輔助測量圖形與待測量圖形，所述輔助測量圖形至少位于所述待測量圖形相對的兩側(cè)，且所述輔助測量圖形與待測量圖形的最大設(shè)計(jì)距離小于100微米。

可選的，先形成所述輔助測量圖形，后形成所述待測量圖形。

可選的，所述輔助測量圖形與所述待測量圖形同時形成。

采用本發(fā)明提供的圖形測試結(jié)構(gòu)與測量圖形尺寸的方法，在待測量圖形至少相對的兩側(cè)形成輔助測量圖形，所述輔助測量圖形與待測量圖形的最大設(shè)計(jì)距離小于100微米，通過測量位于所述待測量圖形相對兩側(cè)的兩個輔助測量圖形的特定位置到所述待測量圖形對應(yīng)邊緣的實(shí)際距離之和，并將該實(shí)際距離之和與設(shè)計(jì)值進(jìn)行比較，若該實(shí)際距離之和在允許的誤差范圍內(nèi)，則判斷所述待測量圖形的尺寸符合設(shè)計(jì)要求。由于輔助測量圖形與待測量圖形的最大設(shè)計(jì)距離小于100微米，其測量誤差可以控制在10nm以內(nèi)，兩個輔助測量圖形之間的實(shí)際距離與設(shè)計(jì)值的誤差可控制在20nm以內(nèi)，所以總的誤差可以控制在納米級，即，對所述待測量圖形的測量精度可以達(dá)到納米級，解決了傳統(tǒng)測量方法無法精確測量毫米級及更大尺寸的圖形的尺寸的問題。

附圖說明

圖1是傳統(tǒng)的測量待測量圖形的方法的示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的圖形測試結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例二提供的圖形測試結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖4～圖6是本發(fā)明實(shí)施例三提供的圖形測試結(jié)構(gòu)的制作方法中，半導(dǎo)體襯底的截面示意圖；

圖7～圖9是本發(fā)明實(shí)施例四提供的圖形測試結(jié)構(gòu)的制作方法中，半導(dǎo)體襯底的截面示意圖；

圖10～圖11是本發(fā)明實(shí)施例七提供的圖形測試結(jié)構(gòu)的制作方法中，半導(dǎo)體襯底的截面示意圖；

附圖1-附圖11的標(biāo)記說明如下：

101、201、301、401、601、801-待測量圖形；

103、202、203、302、303、402、403、602、603、802、803-輔助測量圖形；

211、212、311、312-待測量圖形靠近輔助測量圖形的側(cè)邊；

214、215、313、316-輔助測量圖形靠近待測量圖形的側(cè)邊；

213、216、314、315-輔助測量圖形遠(yuǎn)離待測量圖形的側(cè)邊；

217、218、317、318-輔助測量圖形的中間線；

501、701、901-半導(dǎo)體襯底；

502、702、902-形成待測量圖形所需膜層；

d1、d11、d12-待測量圖形的實(shí)際尺寸；

d2-輔助測量圖形的實(shí)際尺寸；

d3、d5、d7、d9-輔助測量圖形靠近待測量圖形的側(cè)邊到待測量圖形對應(yīng)邊緣的實(shí)際距離；

d4、d6、d8、d10-輔助測量圖形遠(yuǎn)離待測量圖形的側(cè)邊到待測量圖形對應(yīng)邊緣的實(shí)際距離。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的核心思想在于，在待測量圖形至少相對的兩側(cè)形成輔助測量圖形，所述輔助測量圖形與待測量圖形的最大設(shè)計(jì)距離小于100微米，通過測量位于所述待測量圖形相對兩側(cè)的兩個輔助測量圖形的特定位置到所述待測量圖形對應(yīng)邊緣的實(shí)際距離之和，并將該實(shí)際距離之和與設(shè)計(jì)值(即待測量圖形相對兩側(cè)的兩個輔助測量圖形的特定位置到所述待測量圖形對應(yīng)邊緣的設(shè)計(jì)距離之和)進(jìn)行比較，若該實(shí)際距離之和在允許的誤差范圍內(nèi)，則判斷所述待測量圖形的尺寸符合設(shè)計(jì)要求，工藝比較穩(wěn)定。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明提出的圖形測試結(jié)構(gòu)、測量圖形尺寸的方法和圖形測試結(jié)構(gòu)的制作方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

<實(shí)施例一>

本實(shí)施例提供了一種圖形測試結(jié)構(gòu)，包括形成于半導(dǎo)體襯底上的待測量圖形以及形成于半導(dǎo)體襯底上的輔助測量圖形，所述輔助測量圖形至少位于所述待測量圖形相對的兩側(cè)，且所述輔助測量圖形與待測量圖形的最大設(shè)計(jì)距離小于100微米。

本文中，輔助測量圖形與待測量圖形的最大設(shè)計(jì)距離是指設(shè)計(jì)的輔助測量圖形最靠近待測量圖形的側(cè)邊與待測量圖形最靠近輔助測量圖形的側(cè)邊之間的最大距離。通常，大于等于1微米且小于100微米視為微米級，比如，幾十微米或者幾微米均屬于微米級，同理，大于等于1毫米且小于100毫米視為毫米級，大于等于1納米且小于100納米視為納米級。

如圖2所示，在本實(shí)施中，半導(dǎo)體襯底(圖2中未示出)為閃存芯片，待測量圖形201為閃存芯片的核心存儲區(qū)?？梢岳斫獾氖?，在實(shí)際應(yīng)用中，半導(dǎo)體襯底也可為閃存芯片之外的其它半導(dǎo)體器件，待測量圖形201也不限于閃存芯片的核心存儲區(qū)，本發(fā)明的圖形測試結(jié)構(gòu)及測量圖形尺寸的方法可以應(yīng)用至半導(dǎo)體領(lǐng)域的其它場合中。

本實(shí)施例中，待測量圖形201的一側(cè)設(shè)置有一個輔助測量圖形202，待測量圖形201的另一側(cè)設(shè)置有一個輔助測量圖形203，待測量圖形201的一側(cè)和另一側(cè)是待測量圖形201相對的兩側(cè)，具體是指左側(cè)和右側(cè)。在實(shí)際應(yīng)用中，也可以是在待測量圖形201的上側(cè)和下側(cè)設(shè)置輔助測量圖形，或者是在待測量圖形201的上側(cè)、下側(cè)、左側(cè)和右側(cè)均設(shè)置輔助測量圖形。并且，輔助測量圖形的數(shù)量也可以為三個以上，比如，在其中一側(cè)設(shè)置兩個以上輔助測量圖形，在另一側(cè)設(shè)置一個輔助測量圖形，或者是每一側(cè)都設(shè)置兩個以上輔助測量圖形，只要是至少有兩個輔助測量圖形中位于待測量圖形201的相對兩側(cè)即可，其余輔助測量圖形的位置可任意調(diào)整。

本實(shí)施例中，所述輔助測量圖形202、203為凹槽，其形狀為矩形，當(dāng)然在實(shí)際應(yīng)用過程中，輔助測量圖形202、203也可為凸起，其形狀也可根據(jù)設(shè)計(jì)變化，并不限制為矩形。

本實(shí)施例還提供了一種測量圖形尺寸的方法，其包括：

提供如圖2所示的圖形測試結(jié)構(gòu)；

至少測量位于所述待測量圖形相對的兩側(cè)的兩個輔助測量圖形的特定位置到所述待測量圖形對應(yīng)邊緣的實(shí)際距離之和，若此實(shí)際距離之和與設(shè)計(jì)值在允許的誤差范圍內(nèi)，則判斷所述待測量圖形的尺寸符合設(shè)計(jì)要求。

如圖2所示，測量得知輔助測量圖形202靠近待測量圖形201的側(cè)邊214到所述待測量圖形201對應(yīng)邊緣(即最靠近輔助測量圖形202的側(cè)邊211)的實(shí)際距離為d3，再測量得知輔助測量圖形202遠(yuǎn)離待測量圖形201的側(cè)邊213到待測量圖形201對應(yīng)邊緣(即最靠近輔助測量圖形202的側(cè)邊211)的實(shí)際距離為d4。同樣，測量輔助測量圖形203靠近待測量圖形201的側(cè)邊215到待測量圖形201對應(yīng)邊緣(即最靠近輔助測量圖形203的側(cè)邊212)的實(shí)際距離為d5，再測量輔助測量圖形203遠(yuǎn)離待測量圖形201的側(cè)邊216到待測量圖形201對應(yīng)邊緣(即最靠近輔助測量圖形203的側(cè)邊212)的實(shí)際距離為d6。可通過掃描式電子顯微鏡等儀器測量得知d3、d4、d5、d6。上述實(shí)際距離d3、d4、d5、d6均是指刻蝕工藝后，輔助測量圖形靠近待測量圖形的側(cè)邊到所述待測量圖形對應(yīng)邊緣(即最靠近輔助測量圖形的側(cè)邊)的實(shí)際距離。

然后，對上述實(shí)際距離d3與實(shí)際距離d4求平均值，即可得到輔助測量圖形202的兩個側(cè)邊213、214的中間線217到待測量圖形201的對應(yīng)邊緣(即最靠近輔助測量圖形202的側(cè)邊211)的距離；同理，可得到輔助測量圖形203的兩個側(cè)邊215、216的中間線218到待測量圖形201的對應(yīng)邊緣(即最靠近輔助測量圖形203的側(cè)邊212)的距離。進(jìn)一步，可以得到中間線217到待測量圖形201的對應(yīng)邊緣211和中間線218到待測量圖形201的對應(yīng)邊緣212的實(shí)際距離之和，若此實(shí)際距離之和在設(shè)計(jì)允許的誤差范圍內(nèi)，即認(rèn)為待測量圖形201的實(shí)際尺寸d11符合設(shè)計(jì)要求。該誤差范圍可根據(jù)器件要求進(jìn)行相應(yīng)設(shè)定，在此不予限制。

通過此方法，可以避免在實(shí)際測量中由于輔助測量圖形202、203的側(cè)壁傾斜而導(dǎo)致的測量誤差。當(dāng)然此誤差也是在可接受范圍內(nèi)，所以在實(shí)際應(yīng)用中，也可直接測量輔助測量圖形202的靠近待測量圖形201的側(cè)邊214到待測量圖形201對應(yīng)邊緣211的距離和輔助測量圖形203的靠近待測量圖形201的側(cè)邊215到待測量圖形201對應(yīng)邊緣212的實(shí)際距離之和；或者，直接測量輔助測量圖形202遠(yuǎn)離待測量圖形201的側(cè)邊213到待測量圖形201對應(yīng)邊緣211的距離和輔助測量圖形203遠(yuǎn)離待測量圖形201的側(cè)邊216到待測量圖形201對應(yīng)邊緣212的實(shí)際距離之和。可以理解的是，輔助測量圖形可以為三個以上，即可以得到多個上述實(shí)際距離之和的值，可通過求平均值的方法使結(jié)果更加精確。

經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，采用本實(shí)施例提供的測量圖形尺寸的方法，由于上述實(shí)際距離之和皆在微米級以內(nèi)，其測量誤差也可控制在10nm以內(nèi)，兩個輔助測量圖形202、203的實(shí)際距離與設(shè)計(jì)值的誤差可控制在20nm，所以總的誤差可以控制在納米級，即，待測量圖形201的測量精度可以達(dá)到納米級。

<實(shí)施例二>

在實(shí)施例一中，兩個輔助測量圖形均設(shè)置在待測量圖形的外側(cè)，而在本實(shí)施例中，輔助測量圖形均設(shè)置在所述待測量圖形的內(nèi)側(cè)。具體如圖3所示，本實(shí)施例提供的圖形測試結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一的區(qū)別在于，輔助測量圖形302、303均位于待測量圖形301的內(nèi)側(cè)。當(dāng)然，在實(shí)際應(yīng)用中，也可以一部分待測量圖形位于待測量圖形301的內(nèi)側(cè)，另一部分輔助測量圖形位于待測量圖形301的外側(cè)。

本實(shí)施例提供了一種測量圖形尺寸的方法，其包括：

提供如圖3所示的圖形測試結(jié)構(gòu)；

至少測量位于所述待測量圖形相對的兩側(cè)的兩個輔助測量圖形的特定位置到所述待測量圖形對應(yīng)邊緣的實(shí)際距離之和，若此實(shí)際距離之和與設(shè)計(jì)值在允許的誤差范圍內(nèi)，則判斷所述待測量圖形的尺寸符合設(shè)計(jì)要求。

如圖3所示，測量得知輔助測量圖形302靠近待測量圖形301的側(cè)邊313到所述待測量圖形301對應(yīng)邊緣311的實(shí)際距離為d7，再通過測量得知輔助測量圖形302遠(yuǎn)離待測量圖形301的側(cè)邊314到待測量圖形301對應(yīng)邊緣311的實(shí)際距離為d8。同樣，測量得知輔助測量圖形303靠近待測量圖形301的側(cè)邊316到待測量圖形301對應(yīng)邊緣312的實(shí)際距離為d9，再測量得知輔助測量圖形303遠(yuǎn)離待測量圖形301的側(cè)邊315到待測量圖形301對應(yīng)邊緣312的實(shí)際距離為d10。

對上述實(shí)際距離d7、d8求平均值，即可得到輔助測量圖形302的兩側(cè)313與314的中間線317到待測量圖形301的對應(yīng)邊緣311的距離；同理可得到，輔助測量圖形303的兩側(cè)315和316的中間線318到待測量圖形301的對應(yīng)邊緣312的距離。進(jìn)一步，可以得到中間線317到待測量圖形301的對應(yīng)邊緣311和中間線318到待測量圖形301的對應(yīng)邊緣312的實(shí)際距離之和，若此實(shí)際距離之和在設(shè)計(jì)允許的誤差范圍內(nèi)，即認(rèn)為待測量圖形301的實(shí)際尺寸d12符合設(shè)計(jì)要求。

通過此方法，可以避免在實(shí)際測量中由于輔助測量圖形302、303的側(cè)壁傾斜而導(dǎo)致的測量誤差。當(dāng)然此誤差也是在可接受范圍內(nèi)，所以在實(shí)際應(yīng)用中，也可直接測量輔助測量圖形302的靠近待測量圖形301的的側(cè)邊313到待測量圖形301對應(yīng)邊緣311的距離和輔助測量圖形303的靠近待測量圖形301的的側(cè)邊316到待測量圖形301對應(yīng)邊緣312的實(shí)際距離之和；或者直接測量輔助測量圖形302遠(yuǎn)離待測量圖形301的側(cè)邊314到待測量圖形301對應(yīng)邊緣311的距離和輔助測量圖形303遠(yuǎn)離待測量圖形301的側(cè)邊215到待測量圖形301對應(yīng)邊緣312的實(shí)際距離之和?？梢岳斫獾氖?，輔助測量圖形可以為三個以上，即可以得到多個上述實(shí)際距離之和的值，可通過求平均值的方法時結(jié)果更加精確。

<實(shí)施例三>

本實(shí)施例提供了一種圖形測試結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括以下步驟：

提供一半導(dǎo)體襯底；

采用光刻與刻蝕工藝，在所述半導(dǎo)體襯底上形成輔助測量圖形與待測量圖形，所述輔助測量圖形至少位于所述待測量圖形相對的兩側(cè)，且所述輔助測量圖形與待測量圖形的最大設(shè)計(jì)距離小于100微米。

本實(shí)施例中，先形成輔助測量圖形，后形成待測量圖形，并且，沉積形成待測量圖形所需膜層之前就已經(jīng)形成輔助測量圖形。

下面結(jié)合圖4～6詳細(xì)說明本實(shí)施例提供的圖形測試結(jié)構(gòu)的制作方法。

首先，如圖4所示，在半導(dǎo)體襯底501上采用光刻工藝定義所述輔助測量圖形并采用刻蝕工藝蝕刻出對應(yīng)凹槽，此凹槽即為輔助測量圖形402、403，凹槽的深度優(yōu)選為0.1μm～5μm。在此，光刻工藝包括涂膠、曝光和顯影等工藝，光刻工藝(具體是指曝光工藝)中所用光罩可以是其它工序所用光罩，例如是接觸孔工藝或者溝道孔工藝中所用光罩，這樣更節(jié)省工藝成本。在實(shí)際應(yīng)用中，也可通過光刻工藝定義所述輔助測量圖形為凸起，若定義為凸起，采用刻蝕工藝刻蝕完成后，凸起高度優(yōu)選為0.1μm～2μm。申請人研究發(fā)現(xiàn)，上述深度的凹槽或者凸起更加容易獲知準(zhǔn)確的測量結(jié)果。

接著，如圖5所示，在半導(dǎo)體襯底501上沉積形成待測量圖形所需膜層502，此形成待測量圖形所需膜層502例如是氧化物層或者氮化物層，其厚度例如是10nm～50nm。在實(shí)際應(yīng)用中，所述形成待測量圖形所需膜層502的材質(zhì)不限于氧化物與氮化物，其厚度也可根據(jù)工藝條件進(jìn)行調(diào)整。

接著，如圖6所示，采用光刻工藝定義待測量圖形501，并刻蝕形成待測量圖形區(qū)域401。本實(shí)施例中，待測量圖形401定義為凸起，在其它實(shí)施例中，待測量圖形401也可定義為凹槽。

<實(shí)施例四>

本實(shí)施例中，同樣是先形成輔助測量圖形，后形成待測量圖形，但是，沉積形成待測量圖形所需膜層之后，才形成輔助測量圖形。

下面結(jié)合圖7～9詳細(xì)說明本實(shí)施例提供的圖形測試結(jié)構(gòu)的制作方法。

首先，如圖7所示，在半導(dǎo)體襯底701上沉積形成待測量圖形所需膜層702，所述形成待測量圖形所需膜層702例如是氧化物層或者氮化物層，其厚度例如是10nm～50nm，在實(shí)際應(yīng)用中，所述膜層702的材質(zhì)不限于氧化物與氮化物，其厚度也可根據(jù)工藝條件進(jìn)行調(diào)整。

接著，如圖8所示，采用光刻工藝在半導(dǎo)體襯底701上定義輔助測量圖形，并采用刻蝕工藝刻蝕出輔助測量圖形602、603。本實(shí)施例中輔助測量圖形602、603為凹槽，其深度優(yōu)選為0.1μm～5μm。在其它實(shí)施例中，所述輔助測量圖形602、603也可定義為凸起，其高度優(yōu)選為0.1μm～2μm。

接著，如圖9所示，采用光刻工藝定義待測量圖形，并刻蝕形成待測量圖形601。本實(shí)施例中，待測量圖形601定義為凸起，在其它實(shí)施例中，待測量圖形601也可定義為凹槽。

<實(shí)施例五>

本實(shí)施例與實(shí)施例三和四的區(qū)別在于所述輔助測量圖形與待測量圖形同時形成。

下面結(jié)合圖10～圖11詳細(xì)說明本實(shí)施例提供的圖形測試結(jié)構(gòu)的制作方法。

首先，如圖10所示，在半導(dǎo)體襯底901上沉積形成待測量圖形所需膜層902，所述形成待測量圖形所需膜層902例如是氧化物層或者氮化物層，其厚度例如是10nm～50nm，當(dāng)然在實(shí)際應(yīng)用中，所述膜層902的材質(zhì)不限于氧化物與氮化物，其厚度也可根據(jù)工藝條件進(jìn)行調(diào)整。

接著，如圖11所示，在所述半導(dǎo)體襯底901上采用光刻工藝同時定義出待測量圖形和輔助測量圖形，并通過刻蝕工藝形成所述待測量圖形801和輔助測量圖形802、803。本實(shí)施例中，所述輔助測量圖形802、803為凹槽，其深度優(yōu)選為0.1μm～5μm。在其它實(shí)施例中也可將其定義為凸起，若定義為凸起，凸起高度優(yōu)選為0.1μm～2μm。本實(shí)施例中，待測量圖形801定義為凸起，在其它實(shí)施例中，也可將其定義為凹槽。

總之，采用此方法，輔助測量圖形802、803與待測量圖形801在同一光罩中定義后刻蝕形成，即輔助測量圖形802、803與待測量圖形801同時形成。

綜上所述，采用本發(fā)明提供的圖形測試結(jié)構(gòu)與測量圖形尺寸的方法，在半導(dǎo)體襯底的待測量圖形至少相對的兩側(cè)形成由輔助測量圖形，將無法直接測量的待測量圖形的尺寸，轉(zhuǎn)化為至少測量位于所述待測量圖形相對的兩側(cè)的兩個輔助測量圖形的特定位置到所述待測量圖形對應(yīng)邊緣的實(shí)際距離之和。由于所述輔助測量圖形與待測量圖形的最大設(shè)計(jì)距離小于100微米，其測量誤差可以控制在10nm以內(nèi)，兩個輔助測量圖形之間的實(shí)際距離與設(shè)計(jì)值的誤差可控制在20nm，所以總的誤差可以控制在納米級，即，對所述待測量圖形的測量精度可以達(dá)到納米級。

需要說明的是，本說明書中各個實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對于實(shí)施例公開的方法而言，由于與實(shí)施例公開的結(jié)構(gòu)相對應(yīng)，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見結(jié)構(gòu)部分說明即可。

上述描述僅是對本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。