技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明描述了鰭型場效應(yīng)晶體管，包括襯底、絕緣體、柵極堆疊件、密封間隔件、第一偏移間隔件和第二偏移間隔件。襯底具有位于其上的鰭。絕緣體位于襯底上方和鰭之間。柵極堆疊件位于鰭上方和絕緣體上方。密封間隔件位于柵極堆疊件的側(cè)壁上方。第一偏移間隔件位于密封間隔件上方。第二偏移間隔件位于第一偏移間隔件上方。本發(fā)明的實施例還涉及鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法。

技術(shù)研發(fā)人員：蔡俊雄;陳科維
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.21
技術(shù)公布日：2017.11.14