技術(shù)編號：12916855
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實施例涉及鰭型場效應(yīng)晶體管及其制造方法。背景技術(shù)由于半導(dǎo)體器件的尺寸保持按比例縮小，已經(jīng)開發(fā)了諸如鰭型場效應(yīng)晶體管(FinFET)的三維多柵極結(jié)構(gòu)以替代平面CMOS器件。FinFET的結(jié)構(gòu)部件是從襯底的表面直立延伸的硅基鰭，并且包裹在溝道周圍的柵極還提供對溝道的更好的電氣控制。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實施例提供了一種鰭型場效應(yīng)晶體管，包括：襯底，具有多個鰭；多個絕緣體，位于所述襯底上方和所述鰭之間；柵極堆疊件，位于所述鰭上方和所述絕緣體上；密封間隔件，位于所述柵極堆疊件的側(cè)壁上方；以及第一偏移間...
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