技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種含片狀二氧化硅的鋁基介質(zhì)漿料及其制備方法，該鋁基介質(zhì)漿料包括質(zhì)量份為：40?70%低熔點(diǎn)玻璃粉、0?20%（不含0）片狀二氧化硅粉、20?40%有機(jī)載體、0?3%著色劑；該鋁基介質(zhì)漿料具有以下優(yōu)點(diǎn)：1、低熔點(diǎn)玻璃的熱膨脹系數(shù)大于16*10?6m/K，可以很好的匹配鋁基板；低熔點(diǎn)玻璃粉的熔點(diǎn)＜600℃，可以在鋁的熔點(diǎn)下燒結(jié)；2、片狀二氧化硅（石英）粉的加入，有效地提高了介質(zhì)層的耐腐蝕性能、耐氧化性能、耐熱性能、電氣絕緣性能；3、該絕緣介質(zhì)漿料制成絕緣介質(zhì)層與金屬鋁基板結(jié)合力好，擊穿電壓高，絕緣性能良好。該制備方法包括：制備低熔點(diǎn)玻璃粉、制備有機(jī)載體、介質(zhì)漿料制備。

技術(shù)研發(fā)人員：徐方星;蘇冠賢;張念柏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東莞珂洛赫慕電子材料科技有限公司
文檔號(hào)碼：201611174806
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.19
技術(shù)公布日：2017.06.13